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» 2011年07月20日 21時23分 UPDATE

TECHNO-FRONTIER 2011:富士電機がSiC-SBD搭載パワーモジュールを展示、2011年内に量産出荷を開始へ

SiC-SBDを採用することにより、Siベースのダイオードを用いたパワーモジュールと比べて動作時の損失を低減できる。

[朴尚洙,EE Times Japan]

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 富士電機は、「TECHNO-FRONTIER 2011」(2011年7月20日〜22日、東京ビッグサイト)において、「Si-SiCハイブリッド・パワーモジュール」を展示した(図1)。2011年末までに量産出荷を開始する予定である。

 Si-SiCハイブリッド・パワーモジュールは、トランジスタとしてSi(シリコン)ベースのIGBTを、ダイオードとしてSiC(シリコンカーバイド)ベースのショットキーバリアダイオード(SiC-SBD)を用いたパワーモジュールである。SiC-SBDを採用したことにより、Siベースのダイオードを用いた同社パワーモジュールの現行品と比べて、動作時の損失を低減できることを特徴とする。SiC-SBDは、産業技術総合研究所の試作ラインで製造したものを用いている。

 また、先に述べた現行品と同じパッケージを採用しているので、置き換えを容易に行うことができる。展示した製品の仕様は、耐圧が600Vで、電流容量が100A。富士電機は、「耐圧が1200Vの製品も開発中である」としている。

ALT 図1 富士電機の「Si-SiCハイブリッド・パワーモジュール」

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