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» 2011年12月08日 07時00分 UPDATE

メモリ/ストレージ技術 NAND型フラッシュメモリ:指先にテラビットが載る、IntelとMicronが20nm世代のNANDフラッシュ量産

IntelとMicron Technologyは、20nm世代の半導体プロセス技術を適用した128GビットのNAND型フラッシュメモリの量産を2012年前半に始める。20nm世代の128Gビット品の量産は、業界初になる見通しだ。マルチチップ品の記録容量は1T(テラ)ビットに達する。

[前川慎光,EE Times Japan]

 IntelとMicron Technologyは、20nm世代の半導体プロセス技術を適用したNAND型フラッシュメモリの量産を開始すると発表した。まず64Gビットの品種の量産を2011年12月に開始し、次に128Gビットの品種のサンプル出荷を2012年1月に、量産を2012年前半に開始する。

 「20nm世代のプロセス技術で製造する128Gビット品の量産は、われわれが初。8つのチップを1つのパッケージに収めると、記録容量が1T(テラ)ビットに達するストレージを実現できる」(Micron Technologyでマーケティング部門のディレクターを務めるKevin Kilbuck氏)という。

sm_201112micron-1.jpgsm_201112micron-2.jpg 左は、20nmの製造プロセスを採用した128GビットのNAND型フラッシュメモリ。右の写真はMicron Technologyのマーケティング部門のディレクターのKevin Kilbuck氏。

 IntelとMicronの20nmのNAND型フラッシュメモリでは、「平面セル」と呼ぶゲート構造とHigh-kゲートを採用することで、微細化を進めながらも前世代と同等の書き込み/読み出し性能と信頼性を実現したという。64Gビット品ではONFI 2.0インタフェースを採用したのに対して、128Gビット品にはONFI 3.0インタフェースを採用した。ページサイズは、64Gビット品が8Kバイト、128Gビット品が16Kバイトである。

 20nmよりも微細な次世代プロセス技術の導入スケジュールについては、明かにしていない。2011年12月7日にMicronが東京都内で開催した報道機関向け説明会では、「当社は、50nmから34nm、25nm、20nmという製造プロセスの進展をムーアの法則のサイクルよりも短い15カ月ごとに進めてきた」(Kilbuck氏)とだけ説明した。

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