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» 2011年12月12日 10時36分 UPDATE

ビジネスニュース 企業動向:Samsung、中国にNANDフラッシュのウエハーファブを建設か

2011年9月に世界最大規模のNANDフラッシュウエハーファブの稼働を開始したSamsung。需要の急増にも対応できるよう、中国にファブを建設する計画があるという。

[Peter Clarke,EE Times]

 中国の地元紙は2011年12月、「Samsung Electronicsは、中国にNAND型フラッシュメモリ(以下、NANDフラッシュ)のウエハーファブを建設し、2013年から稼働するための許可を申請中であると発表した」と報じた。だたし、ファブの建設地はまだ決定していないという。

 Samsungは約40億米ドルを投じて、中国のスマートフォン/タブレット端末メーカー向けに、NANDフラッシュを製造する施設を建設する計画だという。同ファブでは、20nmプロセス技術を適用して製造を開始するとみられる。

 米国の市場調査会社であるGartnerは、「2011年におけるNANDフラッシュの世界市場は、前年比20.6%増となる250億米ドル規模に成長する」と予測している。また、2012年と2013年の年間成長率は共に14%で、市場規模は2012年に287億米ドル、2013年には327億米ドルに拡大すると見込んでいる。

 Samsungがウエハーファブ建設計画を実現するには、韓国政府による承認が必要となる。Reuters(ロイター通信)によると、Samsungでメモリ事業のプレジデントを務めるJun Dong-Soo氏は、「建設計画が承認されれば、顧客企業からの需要の急増に対応することができると同時に、メモリ市場での競争力を強化できる」と述べたという。

 Samsungは市場シェア40%を誇る、世界最大のNANDフラッシュメーカーである。

 Samsungは2011年9月、韓国 京畿道(キョンギド)にある世界最大規模のメモリファブ「Line-16」の稼働を開始した。20nmプロセス技術を適用したNANDフラッシュの量産を開始しており、300mmウエハー換算で約1万枚/月を製造している。Line-16への投資は今後も段階的に行われる予定で、投資総額はおよそ12兆ウォン(約100億米ドル)に上るとみられる。将来的には、直径300mmのウエハー換算で20万枚/月相当のNANDフラッシュを製造する計画だという。

【翻訳:滝本麻貴、編集:EE Times Japan】

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