Samsung、中国にNANDフラッシュのウエハーファブを建設か：ビジネスニュース 企業動向

　中国の地元紙は2011年12月、「Samsung Electronicsは、中国にNAND型フラッシュメモリ（以下、NANDフラッシュ）のウエハーファブを建設し、2013年から稼働するための許可を申請中であると発表した」と報じた。だたし、ファブの建設地はまだ決定していないという。

　Samsungは約40億米ドルを投じて、中国のスマートフォン/タブレット端末メーカー向けに、NANDフラッシュを製造する施設を建設する計画だという。同ファブでは、20nmプロセス技術を適用して製造を開始するとみられる。

　米国の市場調査会社であるGartnerは、「2011年におけるNANDフラッシュの世界市場は、前年比20.6％増となる250億米ドル規模に成長する」と予測している。また、2012年と2013年の年間成長率は共に14％で、市場規模は2012年に287億米ドル、2013年には327億米ドルに拡大すると見込んでいる。

　Samsungがウエハーファブ建設計画を実現するには、韓国政府による承認が必要となる。Reuters（ロイター通信）によると、Samsungでメモリ事業のプレジデントを務めるJun Dong-Soo氏は、「建設計画が承認されれば、顧客企業からの需要の急増に対応することができると同時に、メモリ市場での競争力を強化できる」と述べたという。

　Samsungは市場シェア40％を誇る、世界最大のNANDフラッシュメーカーである。

　Samsungは2011年9月、韓国 京畿道（キョンギド）にある世界最大規模のメモリファブ「Line-16」の稼働を開始した。20nmプロセス技術を適用したNANDフラッシュの量産を開始しており、300mmウエハー換算で約1万枚/月を製造している。Line-16への投資は今後も段階的に行われる予定で、投資総額はおよそ12兆ウォン（約100億米ドル）に上るとみられる。将来的には、直径300mmのウエハー換算で20万枚/月相当のNANDフラッシュを製造する計画だという。

【翻訳：滝本麻貴、編集：EE Times Japan】