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» 2012年03月09日 12時38分 UPDATE

ビジネスニュース 市場動向:GaNパワー半導体市場、2012年は1000万ドル規模に

GaNやSiCを用いた次世代のパワー半導体の市場は、今後4〜5年間で大きく成長すると予測されている。市場調査会社によれば、2016年には5億米ドル規模に達する見込みだという。

[Peter Clarke,EE Times]

 フランスの市場調査会社であるYole Developpementによると、GaN(窒化ガリウム)を用いたパワー半導体チップの2011年における市場規模は、250万米ドルを下回ったという。しかし同社によると、GaNパワー半導体市場では現在、数多くの研究開発が進められていることから、2012年には1000万米ドル規模に、さらに2016年には5億米ドル規模に成長する見込みだという。

 2012年のGaNパワー半導体市場は当面、International RectifierとEfficient Power Conversionの2社が主要メーカーとしての地位を維持するとみられる。2012年における同市場の規模は、1000万米ドルを下回る程度となる見込みだ。

 多くのGaNパワー半導体チップメーカーにとって、2013年は評価段階から量産へと進む移行期間となり、その市場規模は5000万米ドルに達する見込みだ。さらに2015年には、耐圧600VのGaNパワー半導体が普及することで、新しい市場が開かれることになりそうだ。このころには、12〜15社のメーカー全体で、6インチ相当のウエハー消費量が10万枚を超えると予想されている。

 Yole Developpementでパワーエレクロトニクス事業部門担当マネジャーを務めるPhilippe Roussel氏によると、2015年より先には、電気自動車市場においてGaNの評価が高まることにより、GaNパワー半導体チップの市場が年間10億米ドル規模に届くようになる可能性があるという。ただし、自動車メーカー各社がシリコン、SiC(炭化ケイ素)、GaN技術のどれを選ぶのか、またその時期によって、市場規模は大きく左右されることになる(関連記事:SiC/GaNデバイスは離陸間近)。

 この他にも、現在、さまざまな種類の基板材料の評価が進められている。例えば、サファイア基板/GaN(GaN-on-Sapphire)、SiC基板/GaN(GaN-on-SiC)、GaN基板/GaN(GaN-on-GaN)、AlN(窒化アルミニウム)基板/GaN(GaN-on-AlN)、シリコン基板/GaN(GaN-on-silicon)などがある。厚さ7μmのGaNエピタキシャル層を形成した6インチ(150mm)ウエハーが既に実用化されていることから、Yole Developpementは、GaN-on-siliconが優位性を確保するとみている。同様に8インチ(200mm)ウエハーの評価も現在進んでおり、今後実用化された場合、低コストの経済的な技術として選択されていくだろう。

 またYole Developpementによると、既にGaN材料を利用しているLEDメーカーの一部は、自社の製造能力の活用方法を多様化していく上で、GaNパワー半導体を手掛けることを検討しているという。

【翻訳:田中留美、編集:EE Times Japan】

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