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» 2013年02月22日 10時36分 UPDATE

プロセス技術:FinFET以降の半導体製造技術はどう進む? IBMの見解 (1/2)

「Common Platform Technology Forum」において、IBMが半導体製造技術の将来展望について発表を行った。液浸リソグラフィによるダブルパターニング技術やFD-SOI技術に加え、カーボンナノチューブ、シリコンフォトニクス、ナノワイヤーなどのキーワードを交えて半導体製造の将来像や課題などが示された。

[Rick Merritt,EE Times]

 2013年2月5日に米カリフォルニア州サンタクララで開催された「Common Platform Technology Forum」において、IBMが半導体製造技術の将来展望について発表を行った。同フォーラムは、IBMとGLOBALFOUNDRIES、Samsung Electronicsの3社が推進しているCommon Platformアライアンスが主催している。

 今回のフォーラムでIBMの研究者らは、特に液浸リソグラフィによるダブルパターニング技術に焦点を当てていた。また、完全空乏型SOI(FD-SOI:Fully Depleted Silicon on Insulator)の技術開発の進捗状況について説明するとともに、半導体製造のロードマップで今後導入が予定されているシリコンフォトニクスやナノワイヤーなどの新技術に関する計画についても明らかにした。

 IBMの半導体研究グループでチーフテクノロジストを務めるGary Patton氏は、「45nm世代のプロセス技術以降、微細化は行き詰まる傾向にあった。しかし、EUV(極端紫外線)リソグラフィ技術の登場によって復調に向かっている」と語った。その上で同氏は、「EUVは、リソグラフィ技術の歴史の中でも最も大きな変化を必要とする技術だと言える。EUVは反射レンズや反射マスクなどのあらゆる物体に吸収されてしまうので、取り扱いが非常に難しいからだ」と付け加えた。

 また、Patton氏は、「CMOSの微細化は今後も続くと確信している。しかし、そのためにはカーボンナノチューブやシリコンフォトニクスなどの革新的な技術が不可欠だ」とも述べている。

mm130222_ibm_fig1.jpg プロセスノードの微細化とリソグラフィ技術の変化
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