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» 2013年03月14日 16時57分 UPDATE

ビジネスニュース 企業動向:窮地のシャープが電子デバイス事業を強化、GaNパワー半導体市場に参入

シャープが、窒化ガリウム(GaN)を用いたパワー半導体市場に参入する。第1弾製品として、耐圧が600Vのパワートランジスタを発表した。

[EE Times Japan]
GaNパワートランジスタ

 シャープは2013年3月14日、窒化ガリウム(GaN)を用いたパワー半導体市場に参入することを発表した。同社は、電子デバイス事業を強化する方針であり、カメラモジュール、照明用LED、センサー、タッチパネルシステム、パワー関連デバイスの5つを重点分野にしている。今回発表したGaNパワー半導体は、パワー関連デバイスの中で、蓄電システムモジュールと並ぶ2つ目の柱となっている。

 今回の発表に併せて、定格電圧が600VのGaNパワートランジスタを開発、2013年4月よりサンプル出荷を開始する。サンプル価格は3000円。高耐圧や高速スイッチングといったGaNの利点を生かし、民生用途に向ける。

 シャープは、以前よりLEDやレーザーの分野でGaNデバイスの開発に取り組んできた。その技術と、LSIプロセス半導体技術を融合して、今回のGaNパワートランジスタを開発したという。

mm130314_sharp01.jpgmm130314_sharp02.jpg GaNパワートランジスタ(左)と6インチのGaNパワートランジスタウエハー(クリックで拡大)

 今回発表したパワートランジスタの主な仕様は、定格電流が8A、オン電圧が3.5V、オン抵抗が155mΩ、ゲート電荷量が13nC、逆回復電荷量が65nCである。

 将来的には、GaNパワートランジスタだけではなく、周辺部品も統合した電源モジュールの提供も行う予定だ。GaNパワートランジスタは、2013年内の量産開始を目指す。広島県にあるシャープの福山工場にて、月産25万個を予定している。

mm130314_sharp03.jpg シャープのGaNパワーデバイス事業 今後の展開(クリックで拡大) 出典:シャープ

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