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» 2013年06月24日 10時25分 UPDATE

EE Times Japan Weekly Top10:次世代パワー半導体材料、今後の注目は酸化ガリウム?

EE Times Japanで先週(2013年6月16日〜6月22日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!

[EE Times Japan]

「EE Times Japan Weekly Top10」バックナンバー

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 1位は「「HaswellはIvy Bridgeよりもわずかに良くなっただけ」、Intelの新プロセッサは賛否両論」、2位は「「日本市場さえ見ていれば、戦略的マーケティングはいらない」――STのMEMS事業は日本を最重要視」、3位は「ルネサスが“ARM搭載マイコン”の第1弾製品「RZファミリ」を発売」がランクインしました。

 4位の記事では、次世代パワー半導体材料の1つである酸化ガリウムを用いたMOSFETを紹介しました。次世代パワー半導体材料の代表格といえば、SiCやGaNですが、それよりもバンドギャップが大きいことが利点だとされています。今回開発されたMOSFETをきっかけに、SiCとGaNに続く注目の材料として急浮上するのでしょうか。「SiC/GaNデバイスは離陸間近」の他、電子ブックレット「実用期迎える次世代パワー半導体SiC・GaN」も、おすすめの記事です。

 10位は、スマートフォンの市場を読み解く記事です。「Qualcommの強さ際立つスマホ向けプロセッサ市場、Intelのシェアは0.2%」「フラッシュメモリの搭載量、2013年にスマートフォンがフィーチャーフォンを上回る」なども、ぜひご覧ください。

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