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» 2014年07月29日 16時00分 UPDATE

TECHNO-FRONTIER 2014:IRジャパン、GaNデバイスの開発ロードマップ示す

インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)、「TECHNO-FRONTIER 2014」(テクノフロンティア/2014年7月23〜25日、東京ビッグサイト)において、小型IPM(インテリジェントパワーモジュール)「μIPM-DIP」ファミリや、第2世代IPM「IRAM Gen2」ファミリを紹介した。また、GaN(窒化ガリウム)によるパワー半導体の開発ロードマップなども示した。

[馬本隆綱,EE Times Japan]

 インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)は、「TECHNO-FRONTIER 2014」(テクノフロンティア/2014年7月23〜25日、東京ビッグサイト)において、モータ駆動用途向けにコスト効率を高めた小型IPM(インテリジェントパワーモジュール)「μIPM-DIP」ファミリや、第2世代IPM「IRAM Gen2」ファミリを紹介した。また、GaN(窒化ガリウム)によるパワー半導体の開発ロードマップなども示した。

 μIPM-DIPファミリは、冷却ファンやポンプ、エアコンの室内機ファン、冷蔵庫用コンプレッサなどに用いられる低電力モータの駆動用途に適した3相インテリジェントパワーモジュールである。定格電圧は250Vまたは500Vで、ヒートシンクなしで最大150Wのモータを駆動することが可能である。EMI(電磁干渉)雑音とスイッチング損失との間のバランスを最適にするよう調整されたゲートドライバICが搭載されている。パッケージは、外形寸法が12×29mmのSOP/DIPで供給する。

tm_140729irj01.jpg μIPM-DIP評価基板の外観

 IRAM Gen2ファミリも、エアコンや洗濯機など家電製品に搭載されたモータ駆動用途に向けたIPMである。最新のトレンチ型IGBTと3相ゲートドライバICを搭載した。特に、裏面金属が露出したIMS(絶縁金属基板)を用いることで、放熱特性を改善した。耐熱/耐久性は140℃までUL認定を受けている。より高温環境でのリフローも可能となる。

 ブースでは、IPMの新製品に加えて、GaNベースの技術基盤「GaNpowlR」に基づくパワーデバイスや、今後予想されるGaNpowlRの開発ロードマップなども紹介した。既に定格電圧が100〜150VのGaNデバイスをオーディオ製品向けに1年前から出荷を始めている。今後の展開について、「PCに内蔵可能なAC-DCコンバータやモータ駆動用インバータなどに向けたGaNデバイスの開発に取り組む。また、GaNデバイス単体ではノーマリオン動作だが、モジュールとしてノーマリオフ動作のデバイスを提供していく」(説明員)と話す。

tm_140729irj02.jpg 今後予想されるGaNpowlRの開発ロードマップ 出典:IRジャパン

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