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» 2015年01月21日 11時00分 UPDATE

国際カーエレクトロニクス技術展:「BMW i3」が搭載するxEV向けIGBTモジュールをアピール

インフィニオン テクノロジーズは、国際カーエレクトロニクス技術展において、BMW製EV「BMW i3」に搭載されたIGBTモジュール「HybridPACK 2」や、次世代xEV向けIGBTモジュール「HybridPACK DRIVE」を展示した。

[馬本隆綱,EE Times Japan]

 インフィニオン テクノロジーズは、国際カーエレクトロニクス技術展(2015年1月14〜16日、東京ビッグサイト)において、BMW製EV「BMW i3」に搭載されたIGBTモジュール「HybridPACK 2」を、実車とともにメインステージで紹介するとともに、次世代xEV向けIGBTモジュール「HybridPACK DRIVE」も展示した。

 BMW i3には、コア技術となるHybridPACK 2を始め、マイクロコントローラ「AUDO Future」やパワーMOSFET「CoolMOS」など、75個のインフィニオン製半導体デバイスが搭載されているという。HybridPACK 2は、EVやHEVのモータ駆動インバータ向けに開発されたパワーモジュールで、出力定格は650V/600A&800Aである。低損失で効率が高く、コストメリットも大きいという。

 ブースには、HybridPACK 2の次世代製品「HybridPACK DRIVE」も展示した。従来と同じ出力定格であれば、「モジュールの形状をほぼ30%削減できる」(説明員)と話す。IGBTやダイオードおよびパッケージの技術革新により、効率を高めることで小型・高密度実装を可能にした。

tm_150119infineon01.jpg 次世代xEV向けIGBTモジュール「HybridPACK DRIVE」の外観

 インフィニオンブースでは、IGBTモジュール以外でも、車載用LEDドライバICや機能安全対応のシステム電源IC、77GHz車載レーダー用MMIC、車載用高耐圧MOSFET「CoolMOS」などの展示を行った。

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