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» 2015年03月19日 08時30分 UPDATE

パワー半導体 GaNデバイス:耐圧600VのGaNトランジスタ2製品、オンセミとTransphormが発売

オン・セミコンダクターとTransphormは、耐圧600VのGaN(窒化ガリウム)トランジスタ2製品を発売した。小型電源やアダプタなどの用途に向ける。同時に新製品を搭載した240Wリファレンスデザインキットも発表した。

[馬本隆綱,EE Times Japan]

 オン・セミコンダクターとTransphormは2015年3月、耐圧600VのGaN(窒化ガリウム)トランジスタ2製品を発売した。小型電源やアダプタなどの用途に向ける。同時に新製品を搭載した240Wリファレンスデザインキットも発表した。

共同ブランドで

 新製品は、オン抵抗が290mΩ(標準値)の「NTP8G202N(TPH3202PS)」と同150mΩの「NTP8G206N(TPH3206PS)」である。パッケージはTO-220で供給する。

 また、240Wリファレンスデザインキットに含まれる評価基板「NCP1397GANGEVB(TDPS250E2D2)」は、ブーストステージで力率補正コントローラ「NCP1654」を利用し、98%の効率を達成している。LLC方式DC/DCステージでは、共振モードコントローラ「NCP1397」を用いることで全負荷効率97%を実現している。これらの効率はスイッチング周波数が約200kHzで動作した場合の性能である。しかも、EN55022クラスBのEMC特性を満たしているという。

tm_150318onsemi01.jpg GaNトランジスタを搭載した評価基板「NCP1397GANGEVB(TDPS250E2D2)」の外観

2014年9月に業務提携を締結

 両社は、GaNベースの電力システム向けソリューションの提供に関して2014年9月に業務提携し、関連技術や製品の共同開発に取り組んできた。今回はその成果の1つとなる。新製品は両社共同のブランドで販売する。

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