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» 2015年03月26日 11時50分 UPDATE

ビジネスニュース 企業動向:東芝、3次元NAND「BiCS」の製品化を発表――サムスン上回る48層構造

東芝は2015年3月26日、「BiCS」と呼ぶ3次元積層構造を用いたNAND型フラッシュメモリ(以下、3D NAND)を開発し、同日サンプル出荷を開始したと発表した。

[竹本達哉,EE Times Japan]

 東芝は2015年3月26日、「BiCS」と呼ぶ3次元積層構造を用いたNAND型フラッシュメモリ(以下、3D NAND)を開発し、同日サンプル出荷を開始したと発表した。セル当たり2ビットのデータを記憶するMLC品で容量は128Gビット(16Gバイト)。

サムスンは2014年に32層製品を出荷

 メモリセルを垂直に積層する3D NANDは、微細加工技術に頼らず、記録密度を向上できる技術として、各NANDメモリメーカーが開発を進めてきた。2013年には、サムスン電子が24層構造の128Gビット容量の3D NANDを世界で初めて製品化。サムスンは翌2014年にも、32層構造の3D NAND(128Gビット容量)を製品化し先行していた。

 東芝が開発した3D NANDは、サムスンの現行3D NAND製品を上回る48層の積層構造を実現。現行製品と比べて書き込み速度の高速化、書き換え寿命などの信頼性向上を実現しているという。

tt150326TOSHIBA000.jpg 新製品のイメージ

 東芝は、2015年夏の一部完成を目指して3D NAND専用製造設備を導入する新製造棟(新・第2製造棟)を建設中で、開発した製品についても同製造棟で生産を行う予定だ。

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