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Samsung 14nmプロセッサ「Exynos」に刻まれた文字から探る製品解剖(2/2 ページ)

» 2015年04月15日 11時15分 公開
[Kevin GibbEE Times]
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14nm FinFETの断面SEM画像

 Exynos 7420で、“GXL4928R”の刻印のGという文字は、Exynos 4412の“GKL799X”、5422の“GFL2349C”、5433の“GFL2349C”にも含まれている。

 われわれは、この“G”はファウンドリコードではなく、PoP(Package on Package)メモリモジュールにGLOBALFOUNDRIESのSRAMメモリを搭載していることを表しているのではないかと考えた。

 だが、旧世代のExynos(4412/5422/5430/5433)は14nmプロセスよりもずっと前に製造されている。つまり、GLOBALFOUNDRIESがSamsungの14nmプロセス技術のライセンス供与を受ける前に製造されているのだ。GがGLOBALFOUNDRIESを表わしているのでもないとすれば、残る可能性として、Exynos 7420はSamsungが自社で製造していることが考えられる。

photo Exynos 7420のダイの写真 出典:Teardown.com

 Exynos 7420の断面を見ると、14nm FinFETを適用していることがよく分かる。コンタクテッドゲートピッチの幅は約77nmで、20nmプロセスを適用したExynos 5430の90nmに比べて、15%小さくなっている。さらに、査型電子顕微鏡(SEM)画像から、メタルゲートの側面と底面を覆っているゲート誘電体と仕事関数金属が、置換ゲートプロセスと一致することも分かる。

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photo Exynos 7420の断面のSEM画像

 Samsungは、2014年9月にリリースしたExynos 5420では20nmプロセスを採用している。それからわずか7カ月で、14nmプロセスを適用したExynos 7420を製造したのは驚くべき進化である。

【翻訳:滝本麻貴、編集:EE Times Japan】

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