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» 2015年08月04日 11時40分 UPDATE

BiCS技術用い、四日市工場で:東芝とサンディスク、256Gb 3D NANDの生産開始

サンディスクは、48層積層プロセスを用いた256Gビットの3ビット/セル3次元NANDフラッシュメモリを開発し、パイロット生産を開始した。東芝も同時に製品を発表した。

[馬本隆綱,EE Times Japan]

 サンディスクは2015年8月、48層積層プロセスを用いた256Gビットの3ビット/セル3次元NANDフラッシュメモリを開発したと発表した。これとは別に東芝も製品を発表した。

 新製品は、48層BiCS(Bit Cost Scalable)技術を用いて開発した。高い集積度と拡張性、性能を実現しつつ、従来の2次元NANDフラッシュメモリに比べて、書き込み/消去の耐久性向上や書き込み速度の高速化、エネルギー効率の改善などを図っている。すでに、東芝と共同運営する四日市工場でパイロット生産を始めた。本格的な出荷開始は2016年以降となる見通しで、民生電子機器やクライアント機器、モバイル端末、エンタープライズ機器などの用途に向ける。

 同時に、東芝は「BiCS FLASH」という製品名で256Gビットの3ビット/セル3次元NANDフラッシュメモリを発表した。2015年9月よりサンプル出荷を開始する。

tm_150804toshiba01.jpg 東芝の256Gビット3次元NANDフラッシュメモリ「BiCS FLASH」の外観

 東芝によれば、2007年に3次元積層構造のフラッシュメモリを公表。それ以降は生産性の最適化を含めて、量産に向けた開発を行ってきた。メモリシステムの大容量化や小型化に対応できるメモリ製品として、SSD用途を中心に製品展開を進めていく計画だ。

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