10nm世代にArF液浸露光技術を適用する場合、2つの大きな課題があるとRenwick氏は指摘する。1つは「EPE(Edge Placement Error)」、もう1つは「コストの急増」である。始めはEPEについて考える。なおEPEとはレイアウト・パターンと実際のレジスト露光パターンのずれ(誤差)を意味する。
10nm世代のモデルケースとして、44nmピッチの直線で平行な金属配線パターンを自己整合ダブルパターニング(SADP)技術とカットマスクで形成する場合を考える。このとき、最適条件でのEPEは、9カ所の配線カッティング箇所で3nm未満に抑えられた。非常に良好な成績である。
ただし、露光装置(スキャナー)でEPEを発生させる全ての要素について考えると、9カ所のカットに関してEPEは最大6nmと大きくなる。ここでEPEの大きな部分(3nm)を占めるのが、オーバーレイ(重ね合わせ)誤差である。このオーバーレイ誤差が5nmを超えるようになると、半導体デバイスの量産に支障が出てくる。
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