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ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演(5)〜インプリント装置の開発ロードマップSEMICON West 2015リポート(12)(3/3 ページ)

» 2015年09月18日 17時30分 公開
[福田昭EE Times Japan]
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第1世代機「FPA-1100NZ2」と第2世代機「FPA-1200NZ2C」

 講演者のResnick氏は、第1世代機「FPA-1100NZ2」が実際の半導体リソグラフィ工程で稼働している様子と、第2世代機「FPA-1200NZ2C」の概要を示した。第1世代機「FPA-1100NZ2」はNANDフラッシュメモリへの適用を想定してテストを重ねている。第2世代機「FPA-1200NZ2C」は、クラスタ構成の装置を組み立てているところだという。

第1世代機「FPA-1100NZ2」の外観と概要 (クリックで拡大)
第1世代機「FPA-1100NZ2」が1Xnm世代のNANDフラッシュメモリ向けに稼働している様子 (クリックで拡大)
第2世代機「FPA-1200NZ2C」の外観と概要。目標仕様は、寸法ばらつき(平行な直線群パターン)が1.3nm、所要電力が90kW、設置面積が30m2など (クリックで拡大)
第2世代機「FPA-1200NZ2C」の要素技術を構成するユニット群 (クリックで拡大)

 またハーフピッチ15nmを解像したときの、製造コストを比較してみせた。比較したのはナノインプリント技術とArF液浸SAQP技術、EUVリソグラフィとArF液浸SADPの混在技術、EUVリソグラフィ技術である。製造コストが最も低いのがナノインプリント技術、製造コストが最も高いのが、EUVリソグラフィとArF液浸SADPの混在技術となっていた。

ArF液浸SAQP技術、EUVリソグラフィとArF液浸SADPの混在技術、EUVリソグラフィ技術、ナノインプリント技術のコスト比較 (クリックで拡大)
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