GaN素子単体でノーマリーオフ、2017年に投入へ：トランスフォームが開発中（2/2 ページ）
日本は“様子見”のメーカーが多い
同社によると、現在、GaNパワー半導体の採用には中国・台湾・韓国が積極的だという。日本はどちらかというと“様子見”の姿勢を示すメーカーが多いようだ。市場としてはこれから大きく分野であり、トランスフォーム・ジャパンも「GaNパワー半導体の日本市場はあと2〜3年すれば大きく伸び始める」とみている。まずは太陽光発電システムなどに使われるパワーコンディショナーや家電・サーバ向けの一般電源から、GaNパワー半導体の採用が始めり、その次が自動車だという。「自動車に採用され始めれば、日本と欧州でGaNパワー半導体市場が一気に成長するのではないか」（同社）。
なお、Transphormは2015年6月、米国の投資ファンド大手であるKKR（コールバーグ・クラビス・ロバーツ）が率いる投資コンソーシアムから7000万米ドルの投資を受けたと発表した。トランスフォーム・ジャパンは「この投資を受けたことは、資金面で大きかった。それだけGaNの技術が期待されているということ」と述べている。
Transphormとトランスフォーム・ジャパン、富士通セミコンダクターは2015年1月に、福島県会津若松市にある富士通セミコンダクターグループのCMOSプロセス互換150mmウエハー製造ラインにおいて、電源用GaNパワー半導体の量産を開始したと発表した。それから間もなく1年だが、「量産規模は公表していない」（トランスフォーム・ジャパン）としながらも、中国・台湾向けを中心に量産規模は順調に拡大しつつあるようだ。CMOSプロセス互換の製造ラインを使用していることから、量産規模の拡大にも対応しやすいという。
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寿命「30億年」に「10年」が挑む
次世代パワー半導体の旗手として脚光を浴びるSiC（炭化ケイ素、シリコンカーバイド）。SiCパワー半導体を利用したシステム製品も登場しており、次は自動車への採用に期待が掛かる。だが、SiCにはまだまだ課題が残っていた。その1つが寿命だ。
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SiC（炭化ケイ素）と並んで次世代パワー半導体の旗手として脚光を浴びる「GaN」（窒化ガリウム）。しかし、実用化が進むSiCと比べて、GaNの開発は遅れているように見える。GaNを採用すると、SiCと同様に電力変換時の損失を低減できる。さらに、SiやSiCよりも高速なスイッチングが可能だ。これは電源の小型化に大いに役立つ。しかし、ノーマリーオフ動作が難しいという欠点もある。こちらは電源には向かない特性だ。GaNの長所を伸ばし、欠点をつぶす、このような開発が進んでいる。
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パナソニックとインフィニオン テクノロジーズは、GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスを共同開発することで合意したと発表した。
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