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» 2015年12月11日 08時30分 UPDATE

日本IBMなど3社が開発:300mmウエハー対応のバンプ形成技術「IMS」

JSRと日本アイ・ビー・エム、千住金属工業の3社は2015年12月9日、半導体の高密度実装を可能にするはんだバンプの形成技術「IMS」を発表した。同技術は、2015年12月16〜18日に東京ビッグサイトで開催される「SEMICON JAPAN 2015」で展示される予定である。

[庄司智昭,EE Times Japan]

 JSRと日本アイ・ビー・エム(以下、日本IBM)、千住金属工業の3社は2015年12月9日、半導体の高密度実装を可能にするはんだバンプの形成技術を発表した。

 同技術は、300mmウエハー向けに開発された溶融はんだインジェクション法(IMS:Injection Molded Solder)という。IMSは、ウエハー上にレジストで形成したマスクの開口部に溶融はんだを直接注入し、埋め込むことによりはんだバンプを形成する方式。日本IBMが開発を行っている。マスク開口部分のサイズに応じて微細なはんだバンプを高信頼性で低コスト、環境に優しいプロセスを形成できるとしている。

 従来は、200mmウエハー向け試作装置で展開されていたが、300mmウエハーでの実用化が求められていた。今回、溶融はんだを直接埋め込む高温プロセスに耐えるレジスト材料をJSR、溶融した材料を300mmウエハーに埋め込むときの細かい圧力/温度制御を実現できる装置を千住金属工業が開発したことで実現したという。

 なお、300mmウエハー対応のIMS装置とレジスト材料は、2015年12月16〜18日に東京ビッグサイトで開催される「SEMICON JAPAN 2015」で展示される予定である。

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