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2種類の永久スピンらせん状態間を電気的に制御次世代の省電力・高速演算スピンデバイス実現へ(2/2 ページ)

» 2016年04月12日 13時40分 公開
[馬本隆綱EE Times Japan]
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スピン演算素子実現が可能に

 理論解析から、この2つのゲート電圧では「永久スピンらせん状態」と「逆永久スピンらせん状態」が実現されていることを確認した。

相補型電界効果スピントランジスターの模式図 (クリックで拡大) 出典:東北大学大学院工学研究科

 スピン緩和の抑制された「永久スピンらせん状態」と「逆永久スピンらせん状態」間を電界操作した実験結果は「世界でも初めて」と研究チームは主張する。このスピン緩和が抑制された2つのスピン状態を電界制御することにより、「相補型電界効果スピントランジスターや電界操作によるスピン演算素子を実現することが可能になる」と研究チームではみている。

 なお、今回の研究成果は米国科学誌「Applied Physics Letters」で、2016年3月28日にオンライン公開された。

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