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» 2016年10月27日 15時30分 UPDATE

最大3kVまで測定可能:テクトロ、SiC/GaN用の完全自動テストシステム

テクトロニクスは2016年10月26日、SiC(炭化ケイ素)、GaN(窒化ガリウム)などの次世代パワー半導体材料での使用に適した、完全自動のテストシステム「S540型」を発表した。

[庄司智昭,EE Times Japan]

「完全自動のソリューション」

 テクトロニクスは2016年10月26日、パワー半導体テストシステム「S540型」を発表した。S540型は、再接続やプローブカードの変更なしに、最高48ピンのパラメトリック測定が可能。Ciss、Coss、Crssなどのトランジスタ容量も最大3kVまで測定できる。

 また、ピコアンペア未満の測定性能が実現され、高電圧のリーク電流を1秒以内に自動測定することが可能だ。SiC(炭化ケイ素)、GaN(窒化ガリウム)など次世代パワー半導体材料での使用に適しており、1度のプロービングで高電圧、低電圧、容量テストが実行できる。

 同社によると、SiCやGaNの商品化に伴い、パワー半導体デバイス製造メーカーは、製造プロセスでウエハーレベルのテストシステムを採用し、歩留まりの最適化や利益率の向上を図っている。S540型を活用することで、テスト時間を短縮し、設置スペースも節約するため、所有コストの低減と研究室レベルの高電圧測定性能を実現できるという。

パワー半導体テストシステム「S540型」 出典:テクトロニクス

 テクトロニクスのケースレープロダクト部門でジェネラルマネジャーを務めるMike Flaherty氏は、「多くの製造現場は、パワー半導体テストで低電圧テストから高電圧テストに切替える場合、テストセットアップをマニュアルで切り替える必要のある独自のハイブリッドテストシステムでテストを行っている。そのため、手順が増えて、製造スピードが低下してしまう。これに対して、S540型は完全自動のソリューションであり、数多くのデバイスを素早くテストしなければならない製造環境に最適である」と語る。

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