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オン抵抗を大幅低減、東芝のSJ－MOSFET：耐圧800V、高効率電源向け

東芝は、「DTMOS IV」シリーズとして、耐圧800Vのスーパージャンクション（SJ）構造nチャネルパワーMOSFET製品を発表した。新たに出荷を始めるのは8製品で、低オン抵抗と高速スイッチング特性を実現している。

» 2017年01月23日 14時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

スーパージャンクション構造を採用

　東芝は2017年1月、オン抵抗とスイッチング特性を改善した耐圧800Vのスーパージャンクション構造nチャネルパワーMOSFETを発表した。「DTMOS IV」シリーズの製品群として、今回は新たに8製品を追加した。

「DTMOS IV」シリーズに追加した、耐圧800Vのスーパージャンクション構造nチャネルパワーMOSFETの外観

　新製品は、耐圧を維持しつつ、オン抵抗を低減することができるスーパージャンクション構造を採用した。これにより、単位面積当たりのオン抵抗を、同社従来製品「π-MOSVIII」シリーズに比べて、約79％低減できたという。例えば、ドレイン電流17Aの「TK17A80W」は、オン抵抗が0.29Ωである。スイッチング特性の改善により、電源効率を向上させることも可能とした。

　新製品は、パッケージが「TO-220SIS」と「TO-220」の2種類を用意している。それぞれにドレイン電流が17A、11.5A、9.5A、6.5Aの製品があり、合計で8製品となる。

新製品の主な仕様出典：東芝

　新製品は、産業用電源や各種サーバ用スタンバイ電源、ノートPCなどのアダプターやチャージャー、LED照明用電源などの用途に向ける。

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