連載
» 2017年08月10日 10時30分 UPDATE

福田昭のストレージ通信(68) 強誘電体メモリの再発見(12):FeRAMの長期信頼性に関する特徴 (2/2)

[福田昭,EE Times Japan]
前のページへ 1|2       

ヒステリシス曲線が電圧方向にずれる「インプリント」

 強誘電体キャパシターの劣化で良く知られているもう1つの現象が、「インプリント(imprint)」だ。「インプリント」が発生すると、ヒステリシス曲線は電圧方向に平行にずれていく。例えばマイナスの電圧方向(ヒステリシス曲線のグラフでは左方向)にヒステリシス曲線が移動していくとしよう。すると、ある程度まで進んだところで突然、負(マイナス)電荷の残留分極が大きく減少する。つまりそこで、データを保存できなくなり、データ保持期間の制限要因となる。ただし、正(プラス)電荷の残留分極量は初期値とほとんど変わらない。非対称である。

 インプリントは、書き込んだデータ(分極の向き)をそのままにしておくと、経時変化によって発生するといわれている。この結果、データ保持特性を悪化させる。

強誘電体キャパシターでインプリントが発生する様子。ここではヒステリシス曲線がマイナスの電圧方向(左方向)にだんだんとずれている。この結果、負(マイナス)の電荷を有する残留分極が急激に減少してしまう。出典:NaMLabおよびドレスデン工科大学(クリックで拡大)

(次回に続く)

⇒「福田昭のストレージ通信」連載バックナンバー一覧

前のページへ 1|2       

Copyright© 2017 ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSSフィード

All material on this site Copyright © 2005 - 2017 ITmedia Inc. All rights reserved.
This site contains articles under license from UBM Electronics, a division of United Business Media LLC.