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» 2017年10月12日 12時00分 公開

SamsungとTSMCは導入へ向け加速:IntelはEUV競争を静観か、導入時期は明言避ける (2/2)

[Rick Merritt,EE Times]
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ファウンドリー各社の投資額

 Hutcheson氏によると、Intelは引き続き、従来の規模で設備投資を行う予定である。

 Intelの2017年の設備投資予測額は120億米ドルだ。それに対し、Samsungは170億米ドル、TSMCは100億米ドルの設備投資をそれぞれ見込んでいる。2016年には、Intelは95億米ドル、Samsungは115億米ドル、TSMCは102億米ドルをそれぞれ設備投資に投入した。ファウンドリー業界4番手のGLOBALFOUNDRIESの年間設備投資額は、過去2年、25億〜28億米ドルで推移しており、上位3社から大きく引き離されている。

 Hutcheson氏によると、Samsungは過去数年にわたり、3D(3次元) NAND型フラッシュメモリの製造を強化すべく、最大規模の設備投資を行ってきたという。3D NANDフラッシュに大規模な投資を行っているのはIntelも同様だ。Intelの設備投資の大部分は、中国・大連の3D NANDフラッシュ製造施設の他、米国ユタ州リーハイ(Lehi)でMicron Technologyと共同開発している「3D XPoint」メモリの製造施設にそれぞれ投じられるという。

 Hutcheson氏は、2017年第3四半期はDRAMやNANDフラッシュで供給不足が生じたと話した。同氏は、その傾向は同年第4四半期にも続くと見ている。Hutcheson氏は、「Intelも全力投球してはいるが、Samsungの3D NANDフラッシュの拡大には目を見張るものがある」との見解を述べた。

【翻訳:青山麻由子、滝本麻貴、編集:EE Times Japan】

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