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» 2017年11月10日 13時30分 公開

ウエハー研磨工程:日立金属、ロームからSiC製造の一部を受託へ

日立金属は2017年11月9日、ロームからSiC(炭化ケイ素)パワー半導体ウエハーの製造プロセスの一部(研磨工程)を受託する方針を明らかにした。

[竹本達哉,EE Times Japan]

山崎工場(大阪府島本町)で実施へ

 日立金属は2017年11月9日、ロームからSiC(炭化ケイ素)パワー半導体ウエハーの製造プロセスの一部を受託する予定だと発表した。

写真はイメージです。

 日立金属は、これまで情報部品事業として、医療、通信、車載用途などに向けたセラミックス材料の開発、製造を実施してきた。今回、セラミックス材料で培ってきた製造技術を生かす形で、ロームからSiCパワー半導体ウエハーの一部製造工程として研磨工程を受託し、「情報部品事業の強化、拡大を図ることを検討する」(日立金属)という。製造は、情報部品の製造拠点である山崎工場(大阪府島本町)を活用する予定。

 日立金属では「SiCパワー半導体は、現在主流となっているシリコン(Si)パワー半導体と比較して、インバーターやコンバーターなど電力変換器の損失を大幅に低減でき、電力変換器の小型・軽量化を実現することが可能。このため、送電システム、電車、電気自動車やハイブリッド電気自動車、産業機器など、さまざまな分野で今後の需要拡大が見込まれる。成長が期待される分野への集中により、情報部品事業の持続的成長を図っていく」としている。

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