IEDM 2017の講演3日目（12月6日）午前：10nm世代と7nm世代の半導体量産技術：福田昭のデバイス通信（123） 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー（7）（1/2 ページ）

12月6日午前のセッション28からセッション34までを概観

　前回は、技術講演の2日目である12月5日（火曜日）の午後の講演セッションと注目講演をご報告した。今回は、最終日である12月6日の午前のセッションから、概要と注目講演をご紹介する。

　この時間帯は、セッション28からセッション34までの6本の技術講演セッションが同時に進行する。テーマは、インメモリコンピューティング（セッション28）、最先端プラットフォーム技術（セッション29）、ナノデバイスのシミュレーション（セッション31）、3次元集積（セッション32）、GaNパワーデバイス技術（セッション33）、シリコンフォトニクス（セッション34）である。なおセッション30は、プレナリセッションとなっている。

12月6日（水曜日）午前の技術講演セッション一覧。セッション28からセッション34までが同時並行で進行する（クリックで拡大）

ReRAMと論理演算機能をメモリセルレベルで統合

　この時間帯は、セッション28とセッション29に興味深い講演が多い。

　セッション28では、メモリセルと論理演算を統合することで脳神経回路を模倣する、あるいは、大量のメモリアクセスを減らす、といった研究成果が目を引く。

　Politecnico di MilanoとMicron Technologyの共同研究チームは、脳神経回路を模倣したReRAMベースの学習回路を設計するための、指針となるモデルを提唱する（講演番号28.1）。ReRAMをシナプスとするスパイクタイミング依存シナプス可塑性（STDP: Spike-Timing Dependent Plasticity）をベースにモデル化した。

　National Tsing Hua Universityを中心とする共同研究グループは、ANDあるいはOR、XORの論理演算機能とメモリ機能をまとめたReRAMマクロを発表する（講演番号28.2）。書き込みを自動的に完了する機能によってReRAMの抵抗ばらつきを抑制した。0.15μmのCMOSプロセスで16MビットのReRAMマクロを試作した結果を示す。

　NaMLabは、二酸化ハフニウム（HfO₂）の強誘電体トランジスタ（FeFET）を使った、再構成可能なNAND／NOR論理ゲートを開発した（講演番号28.5）。28nmの高誘電率金属ゲート（HKMG）技術と22nmの完全空乏（FD）型 SOIのFeFET技術によって製造する。

12月6日（水曜日）午前の注目講演タイトル（その1） （クリックで拡大）