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» 2017年11月28日 09時30分 公開

福田昭のデバイス通信(123) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(7):IEDM 2017の講演3日目(12月6日)午前:10nm世代と7nm世代の半導体量産技術 (2/2)

[福田昭,EE Times Japan]
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10nm世代と7nm世代のCMOSロジック量産技術

 セッション29では、最先端のCMOSロジック量産技術が半導体製造の大手企業によって披露される。

 Intelは、10nm世代のCMOSロジック量産技術を開発した(講演番号29.1)。既に量産を始めている。要素技術としては、第3世代のFinFET技術、ArF液浸リソグラフィのSAQP(自己整合四重パターニング)技術、コバルト金属のローカル配線技術(12層金属配線の中で下層側の3層に採用)、第5世代の高誘電率絶縁膜金属ゲート電極(HKMG)技術、第7世代のひずみシリコン技術などを駆使した。トランジスタのしきい電圧は3段階である。フィンの厚みは7nm、フィンの高さは46nm。

 GLOBALFOUNDRIESは、7nm世代のCMOSロジック量産技術を発表する(講演番号29.5、レイトニュース)。第3世代のFinFET技術、ArF液浸リソグラフィのSAQP技術とSADP(自己整合二重パターニング)技術などを駆使した。特定のクリティカルな加工層は、将来においてEUV(極端紫外光)リソグラフィによって容易に置き換えられるように工夫した。試作した高密度SRAMセルの面積は0.0269μm2と小さい。

12月6日(水曜日)午前の注目講演タイトル(その2) (クリックで拡大)

(次回に続く)

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