メディア
連載
» 2018年01月09日 10時30分 公開

福田昭のデバイス通信(129) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(5):ISSCC技術講演の2日目午前ハイライト(その2)、GPS不要の超小型ナビ、16Gビット高速大容量DRAMなど (2/2)

[福田昭,EE Times Japan]
前のページへ 1|2       

靴のかかとに組み込む超小型ナビゲーションシステム

 セッション10の「センサーシステム」では、身体に装着可能であり、GPS信号を受信困難な環境で使える超小型ナビゲーションシステムの発表が非常に面白そうだ。

 University of UtahとUniversity of California at Berkeley、Ozyegin University、Case Western Reserve Universityの共同研究チームは、GPS信号を受信困難な環境で使え、身体に装着できるほど小さな慣性式ナビゲーションシステムを発表する(講演番号10.2)。靴のかかとに組み込むことを想定した。人間が歩く際に靴が床を蹴るときの反力(床反力)を圧力センサーによって検出し、移動方向と移動距離を算出する。圧力センサーはMEMS技術による容量式センサーのアレイである。素子数は13×26素子。このセンサーアレイとASICを組み合わせてシステムを構成する。

 ASICは容量を電圧に変換する回路(プログラム可能なオフセット補償機能付き)、12ビットのアナログデジタル(AD)変換回路、9軸の慣性計測ユニット(IMU)を内蔵する。システムの試作品をブーツのかかとに装着して3100mの距離を歩行したところ、位置の計測誤差は5.5mにとどまった。

2月13日(火曜日)午前の注目講演(その3)。セッション9とセッション10の発表から(クリックで拡大)

入出力ピン当たり5Gビット/秒の超高速モバイル16GビットDRAM

 セッション11の「SRAM」はハーフセッションで、発表件数は3件とあまり多くない。このセッションでは、Intelが10nmと微細なFinFET技術を駆使した高密度SRAM技術を発表する(講演番号11.1)。高密度タイプのメモリセルの面積は0.0312μm2と小さい。SRAMセルアレイの密度は23.6Mビット/mm2に達する。低電圧タイプのメモリセルの面積は0.0367μm2、セルアレイの密度は20.4Mビット/秒である。電源電圧を下げる回路技術の内容を講演する予定だ。

 セッション12の「DRAM」もハーフセッションで、こちらは5件の発表を予定している。このセッションではSamsung Electronicsが16Gビットと大容量の高速DRAMを報告する。報告は2件ある。

 1件はグラフィックスDRAM規格のGDDR6に準拠した16GビットDRAMの発表である(講演番号12.1)。2枚のシリコンダイを1個のパッケージに収容した。入出力ピン当たりのデータ転送速度は18Gビット/秒に達する。データ転送速度を向上するため、シングルエンドのDFE(Decision Feedback Equalizer)回路、ZQ符号化送信回路、PLLレスのクロック回路を搭載した。

 もう1件はモバイルDRAM規格のLPDDR4Xに準拠した16GビットSDRAMの発表である(講演番号12.2)。入出力ピン当たりのデータ転送速度は5Gビット/秒と高い。誤り訂正(ECC)回路の搭載によって自己リフレッシュの消費電力をGビット当たりでわずか0.1mWに低減した。NBTI(Negative Bias Temperature Instability)に強い回路技術、サブワード線ドライバ(SWD: Sub-Word line Driver)によるGIDL(Gate Induced Drain Leakage)の発生を低減する回路技術、ハイブリッドな入出力バッファ技術などを報告する。製造技術は10nm級と微細なCMOS DRAMプロセスである。

2月13日(火曜日)午前の注目講演(その4)。セッション11とセッション12の発表から(クリックで拡大)

(次回に続く)

⇒「福田昭のデバイス通信」連載バックナンバー一覧

前のページへ 1|2       

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSSフィード

All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
This site contains articles under license from UBM Electronics, a division of United Business Media LLC.