技術講演の最終日午前（その4）、周波数を88倍に高めるクロック発生回路：福田昭のデバイス通信（135） 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー（11）（1/2 ページ）

高周波発振器、GaN電源、クロック発生の回路技術を披露

　2018年（今年）2月に米国サンフランシスコで開催予定の国際学会「ISSCC 2018」の概要をシリーズでお届けしている。前回は、メインイベントである技術講演セッションの最終日午前（現地時間で2月14日水曜日午前8時30分開始予定）から、セッション21（機能と用途を拡張したシリコン）とセッション22（GHz級のデータ変換器）のハイライトをお届けした。今回は、同じ最終日午前のハイライトを続けてご紹介する。

　繰り返しになるが、最終日の午前にはセッション18〜セッション25の8本のセッションが予定されている。その中でセッション20〜セッション25の5本はハーフセッションである。全体としては5本のセッションが同時並行で進行する。

　セッション名は番号順に、「適応型デジタル電源」（セッション18）、「センサーとインタフェース」（セッション19）、「フラッシュメモリ」（セッション20）、「機能と用途を拡張したシリコン」（セッション21）、「GHz級のデータ変換器」（セッション22）、「局所発振器」（セッション23）、「窒化ガリウム用のドライバとコンバーター」（セッション24）、「高速リンク向けのクロック発生」（セッション25）となっている。今回はセッション23からセッション25までのハイライトをお届けする。

最終日（2月14日）午前の技術講演セッション一覧。ISSCC 2018のプログラムからまとめた。今回はセッション23とセッション24、セッション25のハイライトをご紹介する（クリックで拡大）

300GHzの超高周波発振器

　セッション23の「局所発振器（ローカルオシレーター）」ではまず、マルチバンドの5G（第5世代移動通信）携帯電話システムに向けた局所発振器の研究成果が続出する。28GHz〜44GHzのミリ波周波数を対象とする。発表を予定しているのは、韓国のUlsan National Institute of Science and Technologyと韓国FCIの共同研究チーム（講演番号23.1）、イタリアのUniversity of Pavia（講演番号23.2）、中国のUniversity of Electronic Science and Technology of China（講演番号23.3）である。

　続いてUniversity of MichiganとCornell University、サウジアラビアのKing Abdulaziz City for Science and Technology、フランスのSTMicroelectronicsによる共同研究グループが、周波数が300GHzと極めて高い発振器を発表する（講演番号23.4）。発振周波数の範囲は301.7GHz〜331.8GHz、ピーク出力は−13.9dBmである。フィードバックループによって周波数を安定化した。PLLと外付け水晶発振子はいずれも使っていない。製造技術はバイポーラCMOSだ。

　それから中国のUniversity of Macau、マレーシアのUniversity of Malaya、ポルトガルのInstituto Superior Tecnico/University of Lisboaによる共同研究グループが、位相雑音が低い4GHzの逆F級CMOS VCO（電圧制御発振器）を報告する（講演番号23.5）。雑音エネルギーが周波数の2乗に反比例および周波数の3乗に反比例する領域における位相雑音を低減した。性能指数（FoM）は−196.2dBc/Hzである。

2月14日（水曜日）午前の注目講演（その7）。セッション23（局所発振器）から（クリックで拡大）