連載
» 2018年02月08日 09時30分 公開

福田昭のデバイス通信(137) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(13):技術講演の最終日午後(その2)、東芝が次世代無線LAN用トランシーバーを発表 (2/2)

[福田昭,EE Times Japan]
前のページへ 1|2       

114本のプローブで脳神経信号を並列に検知

 セッション29の「最先端のバイオメディカルシステム」では、ヘルスケアや医療などの応用を想定した半導体技術が続出する。

 ドイツのUniversity of Freiburg-IMTEKとドイツによるHahn-Schickardの共同研究チームは、114本の短針プローブによって脳神経信号を並列に取得するシステムを発表する(講演番号29.2)。短針プローブの寸法は長さが11.5mm、幅が70μmである。0.18μmのCMOSプロセスで製造した。信号を取得するプローブの電極ごとにΔΣ(デルタシグマ)変調方式の11ビット分解能アナログデジタル変換回路を集積している。電極の大きさは70μm角。各電極で信号をデジタル化することにより、アナログ信号配線の引き回しによる雑音の問題を解消した。

 脳神経信号を取得したときの雑音電圧(RMS値)は、1Hz〜300Hzの範囲(局所フィールド電位の計測)で8.1μV、300Hz〜10kHzの範囲(活動電位の計測)で13.4μVである。クロストークは−74.4dB(周波数は1kHz)。外部との入出力インタフェースは8本の電線であり、電源供給やバイアス、デジタル信号伝送などを担う。

1014回の書き換えサイクルを達成した埋め込みメモリ

 セッション30の「次世代メモリ」では、抵抗変化メモリ(ReRAM)と酸化物メモリの研究成果が披露される。

 台湾のTSMCは、11Mビット(256K×44ビット)の埋め込み用ReRAMマクロを発表する(講演番号30.1)。製造技術は40nmプロセス。新開発のセンスアンプによってアクセス速度を従来に比べて58%向上させた。また書き込み技術の改良によってデータ書き換え特性とデータ保持特性を高めている。

 半導体エネルギー研究所と東京大学の共同研究グループは、酸化物半導体FET(OSFET)による書き換え可能回数が1014サイクルと長い、埋め込みメモリを開発した(講演番号30.4)。メモリの記憶容量は1kビット。読み出しのアクセス時間は45ナノ秒、消費エネルギーは97.9pJ。書き込みのアクセス時間は20ナノ秒、消費エネルギーは123pJである。

 セッション31の「機械学習に向けたインメモリ・コンピューティング」では、Stanford Universityほかの共同研究チームが、学習用データセットが少なくて済む、脳型コンピューティング回路を報告する。

 Stanford UniversityとUniversity of California, Berkeley(UCB)、Massachusetts Institute of Technology(MIT)の共同研究チームは、カーボンナノチューブFETとReRAMによる脳型コンピューティング回路を発表する(講演番号31.3)。学習用データセットを少なくしながら、複数の言語と文章を認識するシステムを目指して開発した。試作したシリコンダイは、2万を超える文章から21種類の欧州言語を98%の正確さで分類できたとする。

2月14日(水曜日)午後の注目講演(その2)。セッション30(次世代メモリ)とセッション31(機械学習に向けたインメモリ・コンピューティング)から(クリックで拡大)

⇒「福田昭のデバイス通信」連載バックナンバー一覧

前のページへ 1|2       

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSSフィード

All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
This site contains articles under license from UBM Electronics, a division of United Business Media LLC.