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5Gなどに対応、ルネサスが直接変調型LDを開発：動作温度範囲は－40～95℃

ルネサスエレクトロニクスは、次世代移動通信やIoTネットワーク機器に向けた、直接変調型レーザーダイオード「RV2X6376A」シリーズを発表した。

» 2018年03月16日 09時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

25Gビット/秒×4波長で100Gビット/秒を実現

RV2X6376Aシリーズの外観イメージ

　ルネサスエレクトロニクスは2018年3月、直接変調型DFB（分布帰還型）レーザーダイオード「RV2X6376A」シリーズを発表した。4.9G／5GLTE基地局用装置やIoT（モノのインターネット）用ネットワーク機器などの用途に向ける。

　RV2X6376Aシリーズは、動作温度範囲が－40～95℃と広く、素子を冷却しなくても1波長当たり25Gビット/秒の高速伝送を可能とした。CWDM4（Coarse Wavelength Division Multiplexing）標準仕様に準拠しており、4波長を多重化することで100Gビット/秒の高速通信を実現できる。このため、従来のNRZ変調方式を用いた100Gビット/秒QSFP28光トランシーバーモジュールの光源として利用可能である。

　RV2X6376Aシリーズは、発振波長が1270nm、1290nm、1310nm、1330nmの4品種を用意した。光出力は7mW（25℃）、SMSR（サイドモード抑圧比）は最小35dB、レーザーの動作電流は最大55mA、レーザーの逆電圧は最大2.6Vである。

　新製品は直接変調型レーザーダイオード（DML）技術を用いており、広い動作温度範囲を実現した。同社は、「トランシーバーの設計者は、これまでの電界吸収型変調器集積レーザーダイオード（EML）を用いた設計よりも、格段にシステムコストを低減することが可能」とコメントしている。新製品はベアダイの形態で量産出荷を始めた。

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