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» 2018年03月19日 10時30分 公開

福田昭のストレージ通信(93) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(6):STMicroelectronicsの埋め込みフラッシュメモリ技術(前編) (1/2)

今回は、開発各社の埋め込みフラッシュメモリ技術を前後編にわたって紹介する。前編では、STMicroelectronicsが製品化している、1トランジスタのNORフラッシュ(1T NOR eFlash)技術を取り上げる。

[福田昭,EE Times Japan]

STはNORフラッシュ類似の技術を埋め込みに採用

 国際会議「IEDM」の「ショートコース(Short Course)」から、車載用の埋め込み不揮発性メモリに関する講座「Embedded Non Volatile Memories for Automotive Applications」の概要をご紹介している。講演者は半導体ベンダーSTMicroelectronics(STマイクロエレクトロニクス)のAlfonso Maurelli氏である。

 なお講演の内容だけでは説明が不十分なところがあるので、本シリーズでは読者の理解を助けるために、講演の内容を適宜、補足している。あらかじめご了承されたい。

 前回は、車載用の埋め込みフラッシュメモリ技術を開発企業別に簡単にご紹介した。今回からは、開発企業各社の埋め込みフラッシュメモリ技術を説明していく。最初は講演者の所属企業である、STMicroelectronicsの埋め込みフラッシュメモリ技術をご報告しよう。

 STMicroelectronicsが製品化している埋め込みフラッシュメモリ技術は、1トランジスタのNORフラッシュ(1T NOR eFlash)技術である。前回でも説明したように、1T NOR eFlash技術は、MOSFETのゲートを浮遊ゲート(フローティングゲート)と制御ゲート(コントロールゲート)の積層構造にしたトランジスタで、単体メモリのNORフラッシュメモリと類似の技術である。メモリセル面積が小さいので高密度の大容量化に適している、信頼性が高いといった特長がある。一方で書き込みの消費電流が高い、メモリアクセスのページサイズが大きい、書き込みに10Vと高い電源電圧を必要とする、といった弱点を抱える。

STMicroelectronicsが製品化している埋め込みフラッシュメモリ技術「1T NOR eFlash」の概要。左の表は筆者が作成、右の図面はSTMicroelectronicsの講演スライドから(クリックで拡大)
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