メディア

マイコン大手ルネサスの埋め込みフラッシュメモリ技術：福田昭のストレージ通信（96） STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ（9）（2/2 ページ）

» 2018年03月30日 09時30分公開

[福田昭，EE Times Japan]

コード格納用フラッシュとデータ格納用フラッシュを開発

　28nm世代の製造プロセスによってルネサスが開発したSG-MONOS技術の埋め込みフラッシュメモリには、コード格納用メモリとデータ格納用メモリがある。コード格納用メモリは記憶容量が大きいことと、読み書きのスループットが高いことを特長とする。最大容量は32Mバイト（256Mビット）である。読み出しの最大動作周波数は200MHzと高い。書き込みのスループットは2.0Mバイト/秒である。書き換え可能回数は1万サイクルであり、コード格納用としては十分な値だ。

　データ格納用メモリは書き換え可能回数が多いことを特長とする。最大容量は512Kバイト（4Mビット）である。読み出しの最大動作周波数は10MHz、書き込みのスループットは4バイト当たりで150マイクロ秒と動作はあまり速くない。書き換え可能回数は100万サイクルと極めて多い。

　28nm世代のSG-MONOS技術をルネサスが国際学会で発表したのは2014年～2015年のことである。そしてつい最近、この技術を採用した車載用フラッシュマイコン製品のサンプル出荷を開始した（参考記事「ルネサス、28nmフラッシュ内蔵マイコンを出荷）。

28nm世代の製造プロセスによって開発したSG-MONOS技術の埋め込みフラッシュメモリ。出典：STMicroelectronics（クリックで拡大）

データ格納用埋め込みフラッシュメモリの書き換えサイクル特性。170℃と高い温度環境にもかかわらず、100万サイクルの書き換えを実現できている。出典：STMicroelectronics（クリックで拡大）

（次回に続く）

⇒「福田昭のストレージ通信」連載バックナンバー一覧

埋め込みフラッシュIP大手ベンダーSSTのメモリ技術
今回は、SST（Silicon Storage Technology）が開発した埋め込みフラッシュメモリ技術を紹介する。同社は「SuperFlash（スーパーフラッシュ）」と呼んでいるが、その最大の特徴はスプリットゲート方式にある。
「不揮発性DRAM」へのアプローチ（前編）
今回から、「不揮発性DRAM」の実現を目指す研究開発について解説する。二酸化ジルコニウムは、その結晶構造から、工夫次第で強誘電体のような不揮発性を付加できる可能性がある。
強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する（前編）
今回から2回にわたり、二酸化ハフニウム系強誘電体材料を使った強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する仕組みについて紹介する。
パッケージング産業の再編成（前編）
半導体製造工程における「後工程」を担うパッケージング産業の再編成が起こっている。今回から2回にわたり、パッケージ産業再編の動きを紹介する。
モバイル端末向けパッケージング技術「FOWLP」（前編）
ウエハーレベルのファンアウトパッケージング技術「FOWLP（Fan Out Wafer Level Packaging）」の製造工程は、開発企業によって大きく異なる。そこで、いくつかに大別される製造工程の違いを紹介する。
シリコンインターポーザを導入した高性能パッケージの製品例
シリコンインターポーザを導入したパッケージの製品化時期は、おおむね、2012年の第1期と、2015～2016年の第2期に分けられる。それぞれの時期を代表する製品例と、それらの特徴を紹介する。