メディア
連載
» 2018年05月11日 10時30分 公開

福田昭のデバイス通信(146) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(6):imecが研究中のシリコンフォトニクス・プラットフォーム (2/2)

[福田昭,EE Times Japan]
前のページへ 1|2       

SOIウエハーのシリコン層に各種の光回路を作り込む

 シリコンフォトニクスが使うウエハーはバルクではなく、二酸化シリコン層を埋め込んだSOI(Silicon On Insulator)ウエハーである。CMOSロジックの高速デジタル回路と、フォトニクスに特有の光回路をシリコン層に作り込む。シリコンの光導波路、シリコンの回折格子型光ファイバー結合器、Ge(あるいはSi)の光検出器、GeSiの電界吸収型変調器、シリコンのpn接合によるキャリア空乏型変調器、金属配線層によるヒーター(加熱回路)などである。

 直径が200mmのシリコンウエハーを扱うシリコンフォトニクスのCMOSロジックは90nm/130nmの製造技術、直径が300mmと大きなシリコンウエハーを扱うシリコンフォトニクスのCMOSロジックは28nm以下の製造技術を使う。

SOIウエハーに形成する主な光回路の断面構造。出典:imec(クリックで拡大)

(次回に続く)

⇒「福田昭のデバイス通信」連載バックナンバー一覧

前のページへ 1|2       

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSSフィード

All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
This site contains articles under license from UBM Electronics, a division of United Business Media LLC.