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» 2018年09月19日 12時50分 公開

96層NANDフラッシュを製造:東芝メモリ、四日市工場第6製造棟での量産を開始

東芝メモリとWestern Digitalは2018年9月19日、東芝メモリ四日市工場(三重県四日市市)の新製造棟「第6製造棟」が完成し、同製造棟で3次元構造のNAND型フラッシュメモリ(以下、3D NANDフラッシュ)の量産を開始したことを発表した。

[竹本達哉,EE Times Japan]

 東芝メモリとWestern Digitalは2018年9月19日、東芝メモリ四日市工場(三重県四日市市)の新製造棟「第6製造棟」が完成し、3次元構造のNAND型フラッシュメモリ(以下、3D NANDフラッシュ)の量産を開始したことを発表した。

量産を開始した東芝メモリ四日市工場第6製造棟 (クリックで拡大) 出典:Western Digital

 四日市工場第6製造棟は、3D NANDフラッシュ固有の工程を行う製造棟として、2017年2月から東芝メモリが建設を実施。その後、東芝メモリとWestern Digitalの両社により、成膜やエッチングなどを行う製造設備導入を進め、2018年9月から96層積層プロセスを用いた3D NANDフラッシュの量産を開始した。

東芝メモリ四日市工場第6製造棟のクリーンルーム内 (クリックで拡大) 出典:Western Digital

 また、第6製造棟に隣接して、メモリ開発センターを新設。2018年3月から運用を開始し、3D NANDフラッシュの開発を進めている。

 両社は、「3D NANDフラッシュは、エンタープライズ用サーバ向けやデータセンター向けSSDおよび、スマートフォン向けを中心に需要が伸びており、長期的な市場の拡大が見込まれている。今後、市場動向に応じて追加投資を行い、生産体制を拡充していく」とコメントしている。

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