2019年のファブ装置投資額、過去最高記録を更新：SEMIが発表

2017〜2020年着工の新規ファブ向け装置投資額は2200億米ドル超

　SEMIは2018年9月17日（米国時間）、半導体前工程ファブ向け装置の投資額を発表した。2019年は675億米ドルとなり、年間投資額で過去最高となる見込みである。また、2017〜2020年に着工される新規のファブ向け装置投資額は2200億米ドルを上回ると予想した。

　SEMIは、四半期ごとにファブに対する装置の投資額や生産能力、テクノロジーノード、ウエハーサイズなどのデータを「SEMI World Fab Forecast」としてまとめている。今回のレポートでは2019年までを予測した。

　8月末に発行した最新レポートによると、ファブ装置の投資額は2018年に628億米ドルを見込む。前年に比べて14％の増加となる。2019年は675億米ドルと予測した。前年に比べて7.5％の増加となる。新規ファブの建設に投資される金額は、2019年に530億米ドルとなる見通しだ。

　ファブ装置への投資額は、技術や製品の進化と生産能力の拡張に向けて増加する。新規工場の建設ラッシュも後押しする。同レポートによると、2017年から2020年にかけて78件の新規ファブ／ラインが着工される予定である。計画されている78件のうち、59件は2017年と2018年に着工される。残りの19件は2019年と2020年に着工される見通しだ。

　これらの投資計画から予測した結果、新規ファブ／ラインへの装置需要として、2200億米ドルが発生すると予測した。具体的な投資の実行時期については、2017〜2018年に10％未満、2019〜2020年に約40％、残りが2021年以降と分析する。

　新規ファブに対する投資計画は、その後も高い水準で続いており、予測を上回る可能性もあるという。実際に、2018年6月発表の前回レポートに比べ、今回のレポートでは18件の新規計画が追加された。

新規ファブ／ラインへの投資によって発生する新たな投資 出典：SEMI

　2017〜2020年着工の新規ファブ向け装置投資額を、国／地域別にみると、首位は韓国の630億米ドル。中国が620億米ドルと続く。その差はわずか10億米ドルである。3位は台湾の400億米ドルとなった。そのあとが日本（220億米ドル）と南米アメリカ（150億米ドル）である。欧州と東南アジアは80億米ドルとなり、同規模で並んだ。

　製品別には3D NANDフラッシュメモリを中心に、メモリ分野向けが装置投資額全体の60％を占める。また、3分の1はファウンダリー分野向けだという。