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» 2018年10月09日 10時30分 公開

ナノ光メモリとしての基本性能確認:山梨大ら、ナノメートル級の英文字を描画し消去 (2/2)

[馬本隆綱,EE Times Japan]
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200nm四方に1文字ずつ描画

 具体的には、山梨大学の英語表記である「University of Yamanashi」の頭文字「U」と「Y」を200nm四方に1文字ずつ描画した。Uは8点、Yは6点の近接場光励起により描画した。この文字サイズは、髪の毛の断面(直径約0.1mm)に新聞1部分の記事量を全て書き込めるレベルである。つまり、局所光異性化によって、約50nmの間隔で「0」と「1」の光情報を記録できることを示したものだという。

光の波長以下の範囲にアルファベットパターン(U、Y)を描画した例 出典:NICT、山梨大学、龍谷大学

 描画したアルファベットパターンを、観察表面全体への均一な近接場光励起により消去できることも確認した。これらの情報は、一様に消失するのではなく、パターンの特長を反映しながら変化することが分かった。さらに、消去する途中では結晶育成時と同様に、段差1nmのステップ状構造へと平たん化されていくことも確認した。

描画したアルファベットパターンが消去されるイメージ 出典:NICT、山梨大学、龍谷大学
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