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容量8MビットのReRAMを製品化：富士通セミコンダクター

富士通セミコンダクターは2019年7月30日、抵抗変化型メモリ（以下、ReRAM）として8Mビット容量品を2019年9月から販売すると発表した。同社では「ReRAMの量産製品としては世界最大容量」としている。

» 2019年07月30日 13時30分公開

[竹本達哉，EE Times Japan]

　富士通セミコンダクターは2019年7月30日、抵抗変化型メモリ（以下、ReRAM）として8Mビット容量品を2019年9月から販売すると発表した。パナソニックセミコンダクターソリューションズと共同で開発したメモリ製品で、富士通セミコンダクターでは「ReRAMの量産製品としては世界最大容量」としている。

8Mビット容量のReRAM「MB85AS8MT」

　9月から販売するReRAM「MB85AS8MT」は、1.6～3.6Vの電源電圧で動作し、EEPROM互換のコマンドおよびタイミングで動作するSPIインタフェースを備える。パッケージは、EEPROMとピン互換の8ピンSOPと、ウェアラブル端末に搭載可能な2×3mmサイズの11ピンWL-CSPの2種類がある。

**新製品の主な仕様**
製品名	MB85AS8MT
メモリ容量（構成）	8Mビット（1Mワード×8ビット）
インタフェース	SPI（Serial Peripheral Interface）
動作電源電圧	1.6～3.6V
動作周波数	最大10MHz
読み出し動作電流	0.15mA（平均値、5MHz動作時）
ライトサイクル時間	10ミリ秒
ページサイズ	256バイト
書き込み保証回数	100万回
読み出し保証回数	無限回
データ保持特性	10年（＋85℃）
パッケージ	11ピンWL-CSP、8ピンSOP
富士通セミコンダクターの資料を元に作成

　5MHz動作時の平均読み出し電流は0.15mAで「EEPROMの読み出し電流（＝3.0mA）に比べてわずか5％」（富士通セミコンダクター）とする。同社では、電池駆動のウェアラブル端末である補聴器、スマートウォッチ、スマートバンドなどでの採用を見込んでいる。

ReRAM「MB85AS8MT」の主な特長と想定採用用途出典：富士通セミコンダクター

　富士通セミコンダクターは、これまでEEPROMやシリアルフラッシュメモリに比べ、高書換え耐性や高速書き込みを備える強誘電体メモリ（FRAM）製品とともに、書き換えは頻繁ではないが何度もデータの読み出しをするアプリケーションに向けて読み出し時の電流が少ないReRAMを2016年10月から提供。これまで提供してきたReRAMの容量は4Mビットだった。

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