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「20nmプロセス」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「20nmプロセス」に関する情報が集まったページです。

関連キーワード

日本TI LMG341xファミリー:
最大10kW対応の600V GaN FET
日本テキサス・インスツルメンツは、最大10kWの電力アプリケーションをサポートする、600V GaN FETデバイス「LMG341x」ファミリーを発表した。オン抵抗50mΩおよび、70mΩのGaN FETにドライバと保護機能を集積している。(2018/11/13)

NANDフラッシュの世代交代はいつ?
3D XPointだけじゃない NANDやDRAMに代わる新たなメモリテクノロジー
NANDフラッシュはメモリ市場で優位に立っている。だが、コストとスケーリングの限界により、徐々にIntelの「3D XPoint」などの新たなテクノロジーにその立場を明け渡すことになるだろう。(2018/11/9)

湯之上隆のナノフォーカス(5) ドライエッチング技術のイノベーション史(5):
最先端のドライエッチング技術−マルチ・パターニングとHARC−
今回は、最先端のドライエッチング技術として、マルチ・パターニングとHARC(High Aspect Ratio Contact)について解説する。(2018/11/6)

電子情報を光情報に変換:
電子スピン情報を増幅する新たなナノ構造を開発
北海道大学の研究グループらは、半導体光デバイスにおいて、電子のスピン情報を増幅してそのまま一定の値を保つことができる新しいナノ構造を開発した。(2018/9/14)

高性能1GbitシリアルNAND:
PR:車載ディスプレイアプリケーションに最適な高容量フラッシュメモリが登場
インストルメントクラスタなど車載ディスプレイでは、よりリッチなグラフィックス表示が求められている。それに伴い、車載ディスプレイで使用する不揮発メモリの大容量化が必要になっている。そうした中で、読み出し速度、信頼性、互換性という車載ディスプレイの必須要件を満たした大容量NANDフラッシュが登場した。(2018/9/12)

人類のデータを未来に届けるストレージ
「5D光学ストレージ」とは? 360TBのデータを138億年保存する仕組み
5D光学ストレージは、360TBのデータを138億年もの長期間保存できる見込みがあると研究者は話す。美術館や公文書保管所など膨大な情報を保存する組織には有用かもしれない。今後数世紀にわたって進化するだろう。(2018/9/1)

福田昭のデバイス通信(157) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(17):
光ファイバーとシリコン光導波路を結合する技術
今回は、光ファイバーとシリコン光導波路を結合する技術を解説する。(2018/8/7)

福田昭のストレージ通信(109) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(9):
2xnm技術で試作した40Mビット埋め込みMRAM(前編)
2xnm世代のCMOSロジック製造技術によって記憶容量が40Mビット(5Mバイト)の埋め込みMRAMマクロを試作した結果を、前後編で報告する。前編では、高温動作での読み出し電圧マージンの確保と、低温動作での書き込み電圧マージンの維持について紹介する。(2018/7/18)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
「プロセッサIPを出せばいい」時代の終了、Armはどう対処するか
Armは2018年5月から6月にかけて多くのプレスリリースを出している。それらを俯瞰してみると、もう単純に「プロセッサIPだけを提供していればいい」という時代ではないことがよく分かる。その時代にArmはどう対処しようとしているのか。(2018/7/13)

福田昭のストレージ通信(108) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(8):
磁気トンネル接合(MTJ)におけるSRAM代替用とフラッシュ代替用の違い
SRAM代替用MRAMとフラッシュメモリ代替用MRAMでは、磁気トンネル接合(MTJ)の特性がどのように異なるのだろうか。(2018/7/6)

福田昭のストレージ通信(98)STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(11):
車載用埋め込みフラッシュメモリ技術のまとめ
今回は、本シリーズで、これまで述べてきた車載用埋め込みフラッシュメモリ技術を総括する。(2018/4/13)

穴の開いたグラフェンで保護:
筑波大ら、安価で水素発生効率が高い電極を開発
筑波大学数理物質系の伊藤良一准教授らは、腐食耐性に優れ水素発生効率の高い卑金属電極を開発した。この卑金属電極は、白金などに代わる安価な水素発生電極として有用であることが分かった。(2018/4/6)

各国の警戒が強まる中:
中国、海外半導体企業の“買いあさり作戦”を変更?
中国は、半導体産業を強化すべく、既に技術を持っている海外企業を買収しようとしてきた。だが、特に米国で、そうした動きに対する警戒が強まる中、中国は海外企業の買収から、国内で全てまかなうという方向にシフトし始めているようだ。(2018/4/5)

IPベンダーならではの出方:
ArmのAI戦略、見え始めたシナリオ
機械学習についてなかなか動きを見せなかったArmだが、モバイルやエッジデバイスで機械学習を利用する機運が高まっているという背景を受け、少しずつ戦略のシナリオを見せ始めている。(2018/3/23)

福田昭のストレージ通信(90) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(3):
車載用マイコンへの要求仕様
車載用マイコンに対する要求仕様は、かなり厳しい。車載用マイコンが内蔵する不揮発性メモリについても同様だ。今回は、これらの要求仕様について説明する。(2018/3/7)

超伝導デバイスの実現に道筋:
2次元超伝導体で新たな2つの量子状態を発見
東京大学と東北大学の研究グループは、乱れが極めて少ない2次元超伝導体に磁場を加えると、2つの特殊な量子状態が現れることを発見。磁場による量子状態の制御にも成功した。【訂正】(2018/2/23)

100GビットのSTT-MRAM実現へ:
磁気トンネル接合素子、直径3.8nmで動作確認
東北大学電気通信研究所の大野英男教授らによる研究グループは、不揮発性磁気メモリ「STT-MRAM(スピン移行トルク−磁気抵抗RAM)」の大容量化を可能とする磁気トンネル接合素子の新方式を提案し、動作実証に成功した。(2018/2/19)

福田昭のデバイス通信(137) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(13):
技術講演の最終日午後(その2)、東芝が次世代無線LAN用トランシーバーを発表
「ISSCC 2018」の技術講演を紹介するシリーズ、最終回となる今回は、最終日のセッション28〜31を紹介する。東芝グループは次世代の無線LAN技術「802.11ax」に対応する送受信SoC(System on a Chip)を発表する。その他、114本の短針プローブによって脳神経信号を並列に取得するシステムや、カーボンナノチューブFETとReRAMによる脳型コンピューティング回路などが発表される。(2018/2/8)

福田昭のストレージ通信(78) 強誘電体メモリの再発見(22):
強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する(前編)
今回から2回にわたり、二酸化ハフニウム系強誘電体材料を使った強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する仕組みについて紹介する。(2017/9/26)

福田昭のストレージ通信(77) 強誘電体メモリの再発見(21):
二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発(後編)
後編では、二酸化ハフニウム系強誘電体トランジスタ(FeFET)の特性について見ていこう。動作電圧やデータ書き込み時間などは十分に良い特性だが、長期信頼性については大幅な改善が必要になっている。(2017/9/21)

Intersil ISL32741Eなど:
IIoT向け絶縁型RS-485差動バストランシーバー
Intersil(インターシル)は、産業用モノのインターネット(IIoT)ネットワーク向けに、絶縁型RS-485差動バストランシーバー「ISL32741E」「ISL32740E」ファミリーを発表した。データレート40Mビット/秒の双方向データ伝送を可能にしている。(2017/9/20)

市場の見通しは明るい:
「MRAMの導入は速く進む」 STTが強気な見解
MRAMを手掛ける数少ない新興企業の1つSpin Transfer Technologies(STT)は、MRAMの根本的な課題を解決する技術の開発を進めているという。CEOに着任したばかりのTom Sparkman氏は、「MRAMの導入は、予想よりもはるかに速く進むのではないか」との見方を示す。(2017/9/15)

量子効率は量子井戸の100倍:
東北大、直径5nmの量子ドットを低損傷で作製
東北大学の寒川誠二教授らは、独自のバイオテンプレート技術と中性粒子ビーム加工技術を組み合わせることで、損傷が極めて小さい直径5nmの3次元窒化インジウムガリウム/窒化ガリウム(InGaN/GaN)量子ドット(量子ナノディスク構造)を作製することに成功した。(2017/6/26)

技術開発の指針の役割は終えた?:
ムーアの法則、半導体業界はどう捉えるべきか(前編)
台湾Etron TechnologyのCEOであるNicky Lu氏は、「ムーアの法則」は、技術開発の方針としての役目を既に終え、ビジネス的な意味合いの方が強くなっていると述べる。半導体メーカーが今、ムーアの法則について認識すべきこととは何なのか。(2017/5/12)

医療技術ニュース:
脳の働きに重要なIP3受容体の動作原理を解明、神経疾患や認知症の治療に貢献
理化学研究所は、記憶や学習などの脳機能に必要なIP3受容体の動作原理を、X線結晶構造解析と変異体の機能解析によって解明した。今後、神経疾患や認知症の治療/予防に役立つことが期待される。(2017/5/11)

福田昭のデバイス通信(108) TSMCが解説する最先端パッケージング技術(7):
シリコンインターポーザを導入した高性能パッケージの製品例
シリコンインターポーザを導入したパッケージの製品化時期は、おおむね、2012年の第1期と、2015〜2016年の第2期に分けられる。それぞれの時期を代表する製品例と、それらの特徴を紹介する。(2017/5/8)

この10年で起こったこと、次の10年で起こること(15):
TSMCの1強時代に幕? “2ファブ・オペレーション”が可能になった14/16nm世代
今回は昨今、発表が相次いでいる新しいGPUのチップ解剖から見えてくる微細プロセス、製造工場(ファブ)の事情を紹介する。チップ解剖したのはNVIDIAの新世代GPUアーキテクチャ「Pascal」ベースのGPUと、ゲーム機「PlayStation 4 Pro」にも搭載されているAMDのGPUだ。(2017/4/25)

スマホの在庫調整で:
TSMCがファウンドリー市場の見通しを下方修正
スマートフォン市場とPC市場の厳しい在庫調整を受け、TSMCが、ファウンドリー市場の成長見通しを下方修正した。(2017/4/19)

臨界電流値は360A超:
産総研、「世界最高」の磁場中臨界電流密度実現
産業技術総合研究所(産総研)は成蹊大学などと共同で、低コストの高温超電導線材を用いて、世界最高水準の磁場中臨界電流密度を実現した。(2017/4/18)

IHSアナリスト「未来展望」(1):
エレクトロニクス産業を動かす“3大潮流”
変化の激しいエレクトロニクス産業の未来をIHS Markit Technologyのアナリストが予測する。連載第1回は、これからのエレクトロニクス産業を動かしていくであろう“3大潮流”を解説する。(2017/4/7)

Intelも加えた三つどもえ戦で:
Samsung、10nmプロセス技術開発でTSMCをリード
半導体分野のアナリストによると、10nmプロセスの開発では、Intel、Samsung Electronics、TSMCが三つどもえ戦を繰り広げているが、現在はSamsungが一歩先を行っているようだ。(2017/3/28)

膨大な低温排熱を有効に活用:
有機系熱電変換材料、最高級の出力因子を実現
産業技術総合研究所(産総研)らの研究グループは、印刷プロセスで製造できるp型有機系熱電変換材料を開発した。世界最高レベルの出力因子を実現している。(2017/3/16)

製品分解で探るアジアの新トレンド(14):
中国スマホの進化で消えゆく日本の“スイートスポット”
中国のスマートフォン市場では相変わらず新興メーカーの台頭が目立っている。そうした若いメーカーが開発するスマートフォンを分解すると、アプリケーションプロセッサなどのプラットフォーム以外の場所でも、中国半導体メーカーの浸透が始まっていることが明らかになった。(2017/3/9)

インテル Cyclone10:
アルテラFPGA「Cyclone」、インテル傘下で第6世代製品に
日本アルテラは、2017年2月13日に発表したIoTアプリケーション向けのローエンドFPGA「インテル Cyclone10 ファミリー」に関する説明会を開催した。(2017/3/3)

大容量化と大量生産を加速:
MRAM、参照層スペーサーにイリジウム採用
産業技術総合研究所(産総研)は、磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の性能向上や大量生産を可能とする参照層を開発した。(2017/3/2)

慶応大の黒田忠広氏が語る:
近接場結合を用いた3D集積、電力効率の1桁改善を
電力効率の改善なくして、性能改善なし。 慶応義塾大学の理工学部電子工学科で教授を務める黒田忠広氏は、講演内でこう語る。電力効率の改善には新しいトランジスタ構造などの導入が検討されているが、黒田氏が提案するのは「近接場結合」による3D集積技術である。(2017/3/1)

コストは前世代の半分:
インテル、低価格FPGA「Cyclone10」を発表
Intel(インテル)のグループ会社である日本アルテラは、2017年2月13日に発表したIoTアプリケーション向けのローエンドFPGA「インテル Cyclone10 ファミリー」に関する説明会を開催した。(2017/2/20)

専門家が見解を披露:
ISS 2017で語られた半導体技術の今後(前編)
米国で開催された「Industry Strategy Symposium(ISS)」(2017年1月8〜11日)では、半導体技術の今後に関する議論が幾つか展開された。ナノワイヤトランジスタやGAA(Gate All Around)トランジスタといった次世代トランジスタ技術や、増加の一途をたどる設計コストなどについて、専門家たちが見解を披露している。(2017/1/19)

いまさら聞けないHILS入門(7):
HILSとプラントモデル(その3)
車載システムの開発に不可欠なものとなっているHILSについて解説する本連載。今回はエンジンの負荷となる発電機のプラントモデルを検討するとともに、これまで2回にわたって説明してきたエンジンのプラントモデルと組み合わせることを考えます。(2017/1/18)

「競合比2〜6倍の効率」:
Xilinx、機械学習の推論に強いFPGAをアピール
Xilinx(ザイリンクス)は2016年12月、データセンター向けのビジネスに関する記者説明会を都内で開催した。(2016/12/9)

「業界初」の投入:
MediaTek、10nmプロセスSoCを2017年Q2に出荷へ
MediaTekが、10nmプロセスを適用したスマートフォン向けSoC(System on Chip)「Helio X30」を2017年第2四半期から出荷する予定だという。ファウンドリーはTSMCを利用する。(2016/11/8)

日本でISDF開催:
インテル、FPGA戦略の踏襲をコミット
Intel(インテル)のグループ会社である日本アルテラは、東京都内で「インテルSoC FPGAデベロッパー・フォーラム(ISDF)」を開催した。SoC FPGAの製品戦略などについて、これまでの方向性を踏襲していくことを表明するとともに、会場では“インテル色”を全面に打ち出した。(2016/11/4)

福田昭のデバイス通信(94):
「SEMICON West 2016」、imecが展望する5nm世代の配線技術(前編)
imceによる、5nm世代のロジック配線プロセスを展望した講演を、前後編の2回にわたりお届けする。前半では、配線抵抗(R)、配線容量(C)、RC積という配線のパラメータの特徴を紹介する。さらに、10nm世代、7nm世代、5nm世代と微細化が進むと、配線抵抗(R)、配線容量(C)、RC積がどのように変化していくかを解説する。(2016/10/19)

福田昭のデバイス通信(91):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(Samsung編)
Samsung Semiconductorの講演では、「ムーアの法則」の現状認識から始まり、同社が考える微細化のロードマップが紹介された。Samsungは28nm世代と10nm世代が長く使われると予想している。さらに同社は、EUVリソグラフィが量産レベルに達するのは2018年で、7nm/5nm世代のチップ製造に導入されるとみている。(2016/9/30)

製品分解で探るアジアの新トレンド(8):
中国スマホメーカー、模倣からの脱却
中国メーカーのスマートフォンは当初、AppleやSamsung Electronics製スマートフォンの発展の後をたどるように進化してきた。だが、進んで最先端プロセッサを搭載するようになると、スマートフォンの進化に伴う課題も、自ら率先して解決法を見いだすことが求められるようになる。(2016/9/1)

ギガビット級MRAMの開発に道筋:
マンガン系合金ナノ薄膜からTMR素子を作製
東北大学の鈴木和也氏らは2016年7月、垂直磁化マンガン系合金ナノ薄膜を用いたトンネル磁気抵抗(TMR)素子の開発に成功した。ギガビット級の不揮発性磁気抵抗メモリ(MRAM)の開発につながる成果だとみている。(2016/8/1)

まだまだ光源に開発余地残るが:
2020年、5nm世代でEUV時代が到来か
ASMLは2016年4〜6月にEUV(極端紫外線)リソグラフィ装置を4台受注し、2017年には12台を販売する計画を明かした。これを受けて業界では、EUV装置によるチップ量産が、5nmプロセス世代での製造が見込まれる2020年に「始まるかも」との期待感が広がっている。(2016/7/26)

将来の高速、省エネデバイス実現につながる成果:
金属磁石表面のスピン波の発生と検出に成功
東北大学は2016年7月、金属磁石表面に光りパルスを用いて磁気の波(スピン波)を発生させ、観測、解析することに成功したと発表した。(2016/7/11)

プレ5Gの導入計画には90%以上採用:
ザイリンクス、5G向けに7nm「Zynq」を展開へ
Xilinxは2016年6月、4つのメガトレンドに対する取り組みを発表した。“ALL Programmable”をテーマに、CPUコア搭載FPGA『Zynq』シリーズなどを展開する同社。ワイヤレス分野では、多くの要件が求められる5G向けに7nm製品を2016年度中に発表する予定としている。(2016/6/28)

蓄電・発電機器:
太陽光を使う水素製造、効率を飛躍させる新材料を開発
東京大学物性研究所らの共同研究グループは、太陽光による水分解を極めて高い効率で行うことができるナノコンポジット結晶を開発した。水素ガスを効率よく生成することが可能となる。(2016/6/10)



ビットコインの大暴騰、「億り人」と呼ばれる仮想通貨長者の誕生、マウントゴックス以来の大事件となったNEM流出など、派手な話題に事欠かない。世界各国政府も対応に手を焼いているようだが、中には政府が公式に仮想通貨を発行する動きも出てきており、国家と通貨の関係性にも大きな変化が起こりつつある。

Amazonが先鞭をつけたAIスピーカープラットフォーム。スマホのアプリが巨大な市場を成したように、スマートスピーカー向けのスキル/アプリ、関連機器についても、大きな市場が生まれる可能性がある。ガジェットフリークのものと思われがちだが、画面とにらめっこが必要なスマホよりも優しいUIであり、子どもやシニアにもなじみやすいようだ。

「若者のテレビ離れが進んでいる」と言われるが、子どもが将来なりたい職業としてYouTuberがランクインする時代になった。Twitter上でのトレンドトピックがテレビから大きな影響を受けていることからも、マスメディア代表としてのテレビの地位はまだまだ盤石に感じるが、テレビよりもYouTubeを好む今の子ども達が大きくなっていくにつけ、少なくとも誰もが同じ情報に触れることは少なくなっていくのだろう。

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