「プロセス技術(エレクトロニクス)」最新記事一覧

プロセス技術:
14nm FinFETへの移行は「難しい決断だった」――サムスン
Samsung Electronics(サムスン電子)の最新スマートフォン「Galaxy S6」には、14nm FinFETを適用したプロセッサが搭載されている。同社は、14nm FinFETの生産量において、Intelに次ぐ第2位のポジションを確保したい考えだ。Samsung Semiconductorの幹部は、14nmプロセスへの移行を決断するのは、たやすいことではなかったと振り返る。(2015/4/20)

製品解剖:
Samsung 14nmプロセッサ「Exynos」に刻まれた文字から探る
Samsung Electronics(サムスン電子)の最新スマートフォン「Galaxy S6」に搭載されているプロセッサ「Exynos」は、14nm FinFETを適用しているとして話題になった。今回は、同チップの刻印から何が分かるのかを探ってみたい。(2015/4/15)

プロセス技術:
TSMC、2015年半ばに16nm FinFETの量産開始へ
TSMCは、16nmプロセス以降のロードマップを明らかにした。まずは2015年半ばに、16nm FinFET+を適用したチップの量産を開始する。2016年には、10nmチップの生産工場の建設にも着手する。(2015/4/10)

ビジネスニュース 企業動向:
三重富士通、SuVoltaから低消費電力トランジスタ技術の知的財産権を取得――40nm、フラッシュ混載へ応用
三重富士通セミコンダクターは2015年4月、米SuVoltaから低消費電力CMOS技術に関する知的財産権を取得したと発表した。従来、SuVoltaからライセンス供与を受けて55nmプロセスに適用してきた同技術を、40nmプロセスなどへと展開していく。(2015/4/9)

FPGA:
「MAX 10 FPGA」で極薄パッケージを実現する新技術
TSMCとアルテラは「MAX 10 FPGA」向けに、0.5mm以下(はんだボールを含む)の薄型パッケージを実現する新技術を共同開発した。(2015/4/8)

パッケージ技術:
TSMCとAlteraが新パッケージ技術を開発――フラッシュ混載FPGA「MAX 10」向け
TSMCとAlteraは、Alteraの55nmフラッシュメモリを混載したFPGA「MAX 10 FPGA」(以下、MAX 10)向けに最適化した新しいパッケージング技術を共同で開発したと発表した。厚さ0.5mm以下の薄型パッケージを実現したという。(2015/4/8)

プロセス技術:
次世代3次元SoCは、TSVを使わない――Qualcomm
Qualcommは、米国で開催された「International Symposium on Physical Design(ISPD)」で、同社の3次元SoCの技術動向について語った。TSV(シリコン貫通ビア)を使わずに積層することで、小型化と歩留まりの向上を実現したいという。(2015/4/2)

自然エネルギー:
水からプラスチックを作る、「人工光合成」で化石燃料不要の化学品製造実現へ
NEDOと人工光合成化学プロセス技術研究組合は、太陽エネルギーを利用した光触媒による水からの水素製造で、世界最高レベルの太陽エネルギー変換効率である2%を達成した。今後2021年度末(2022年3月期)にエネルギー変換効率10%を目指すとともに、同時に開発している分離膜技術と合成触媒技術を組み合わせ、化石資源が不要な化学品製造基盤技術の確立を目指す。(2015/4/1)

ビジネスニュース 事業買収:
インテルがアルテラ買収で交渉か――受託製造事業強化が狙い?
米Wall Street Journalなど複数の米国メディアは、インテル(Intel)が、PLD大手のアルテラ(Altera)を買収する方向で交渉に入ったと関係筋の話を引用して報じた。(2015/3/30)

日立マクセル 薄膜高分子フィルム粘着テープ:
テープ厚10μmのタッチパネル用薄膜高分子フィルム粘着テープ
日立マクセルは、テープ厚10μmで透過率92%の「薄膜高分子フィルム粘着テープ」を開発した。光学特性に優れた薄膜高分子フィルムを基材とし、片面に接着力の高い粘着材を配置した。(2015/3/26)

電気自動車:
100万km走る燃料電池車、4年間で技術開発
新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は燃料電池車が大量に普及するために必要な研究開発「固体高分子形燃料電池利用高度化技術開発事業」のための公募を開始した。2019年度末までに燃料電池の性能、耐久性、コストを改善し、より短い時間で製造できる技術開発を進める。(2015/3/24)

福田昭のデバイス通信(12):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(1)
ARMにとって「IEDM」は非常に重要だ。この会議で議論されるトランジスタ技術が同社のCPUアーキテクチャの行方を左右するからである。ARMは「IEDM 2014」で、CPU設計とデバイス・プロセス技術の関わりを解説する講義を行った。今回から、その内容を複数回にわたってお届けする。(2015/3/18)

プロセス技術:
FinFETプロセスをめぐる技術開発は競争激化へ
FinFETプロセスを採用したチップは、既に100種類以上がテープアウトされているという。以前は、プロセス技術ではIntelが突出していたが、現在はTSMCやSamsung ElectronicsなどのファウンドリもIntelとの差を縮めてきていて、接戦が繰り広げられている。(2015/3/13)

14nm FinFETも差異化要因にはならず?:
“次の手”がないスマホ市場、サムスンはさらに窮地か?――MWC 2015総括
「MWC 2015」が閉幕した。Samsung Electronics(サムスン電子)の「Galaxy S6」など、注目を集めた発表はあったものの、今後のスマートフォン市場をけん引していく要素は、見当たらなかったのではないだろうか。(2015/3/10)

テスト/計測:
波形の捕捉/記録/解析機能で究極を追求した高性能オシロ
キーサイト・テクノロジーは、独自の半導体プロセス技術などを駆使することで、業界最高レベルの測定確度を実現したオシロスコープ「Infiniium Vシリーズ」を発表した。周波数帯域として8GHzから33GHzまでの機種を用意している。(2015/3/9)

MWC 2015:
「Galaxy S6」でサムスンは勢いを取り戻す?
Appleと中国のスマートフォンメーカーを相手に苦戦を強いられているSamsung Electronics(サムスン電子)だが、「Galaxy S6」「Galaxy S6 edge」の投入で風向きが変わるかもしれない。(2015/3/4)

三重富士通セミコンダクター 社長 八木春良氏:
“日本のピュアファウンドリ”に本気で挑む三重富士通の勝算
富士通の半導体事業再編の中で2014年末に誕生したファウンドリ専業会社「三重富士通セミコンダクター」。台湾をはじめとした海外勢の独壇場となっている大口径の300mmウエハーによる半導体受託生産市場で、最先端微細加工技術、大きな生産能力を持たない同社はどう生き残って行くのか。同社社長の八木春良氏に聞いた。(2015/3/4)

EE Times Japan Weekly Top10:
10nmプロセスでインテルに追い付きたいTSMC
EE Times Japanで先週(2015年2月21〜27日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/3/3)

MWC 2015:
MWC 2015もキーワードは“コネクテッド”、IoTや5G関連技術に注目
スペイン バルセロナで開催される「Mobile World Congress(MWC) 2015」(2015年3月2〜5日)では、「2015 International CES」と同様、“コネクテッド”がキーワードになりそうだ。MWCは、名前にこそ「モバイル」という言葉が入っているが、もはやスマートフォンやモデム向けの技術だけでなく、さまざまな分野向けの接続機器やネットワーク技術について議論を交わすための場となっている。(2015/3/2)

プログラマブルロジック FPGA:
アルテラが20nm SoC FPGAを出荷開始、性能は50%向上
アルテラは、20nmプロセス技術を用いて製造する第2世代SoC(System on Chip) FPGA「Arria 10 SoC」の出荷を開始した。前世代製品に比べて、処理性能を最大50%向上し、消費電力は最大40%削減できるという。(2015/2/26)

ISSCC 2015:
インテル、14nm SRAMの実現へ
Intelは、「ISSCC 2015」において14nmプロセスのSRAMについて論文を発表する予定だ。同社のシニアフェローはムーアの法則についても言及し、「ムーアの法則は10nm以降も継続する。EUV(極端紫外線)リソグラフィ技術を採用せずに7nmプロセス技術を実現できれば、トランジスタ当たりのコストを削減できる」と述べている。(2015/2/26)

プロセッサ/マイコン:
ルネサス、28nm世代混載フラッシュ技術を改良――順調に進む次世代車載マイコン開発
ルネサス エレクトロニクスは2015年2月25日、28nmプロセス世代の車載マイコン向けに、高速読み出し、高速書き換えを実現する新たな混載フラッシュメモリ技術を開発したと発表した。(2015/2/25)

プロセス技術 印刷エレクトロニクス:
解像度10nm台の微細加工に対応可能、キヤノンのナノインプリント半導体製造装置
キヤノンは、開発中のナノインプリント技術を用いた半導体製造装置について、2015年中の製品化を目指している。同装置は解像度10nm台の微細加工に対応することが可能である。まずはフラッシュメモリの製造ラインへの導入を予定している。(2015/2/25)

プログラマブルロジック FPGA:
16nm世代FPGA、ザイリンクスが「UltraScale+」ファミリを発表
ザイリンクスは、16nmプロセス技術を用いた次世代FPGA「UltraScale+」ファミリを発表した。従来の28nmプロセスFPGA/SoCに比べて、消費電力当たり2〜5倍のシステム性能を実現することが可能となる。(2015/2/25)

2015年第3四半期に東京拠点を開設:
「日本が『ソフトウェア製造』で世界のリーダーになれない理由はない」
米PivotalおよびPivotalジャパンは、2015年第3四半期に「Pivotal Labs Tokyo」を開設、一般企業が事業をITで変革する際に必要となる、先進的なソフトウェア開発のプロセスノウハウを伝える活動を始める。ではなぜ、日本なのか。(2015/2/25)

新技術:
量子コンピュータ並み!? 「組み合わせ最適化問題」を瞬時に解く新型コンピュータ
日立製作所は、膨大なパターンから実用に適した解を導く「組み合わせ最適化問題」を、量子コンピュータ並みの性能で実現する新型コンピュータを試作した。室温での動作が可能で、従来コンピュータに比べると電力効率は約1800倍となる。(2015/2/24)

ビジネスニュース 業界動向:
CMOSイメージセンサーが引っ張る3次元積層技術
チップを積層し、TSV(シリコン貫通電極)などで接続する3次元IC技術。CMOSイメージセンサーでも、3次元化が進んでいる。(2015/2/23)

プロセス技術:
20nm対応ナノインプリント用テンプレートの年内量産を発表――大日本印刷
大日本印刷(以下、DNP)は2015年2月19日、20nmレベルの半導体製造プロセスに対応したナノインプリントリソグラフィ(以下、NIL)用のテンプレート(型)の生産体制を構築し2015年にも量産を開始すると発表した。(2015/2/19)

電源設計 バッテリーマネジメント:
耐圧80V、16セル対応リチウムイオン電池監視ICを開発
ラピスセミコンダクタは2015年2月、耐圧80Vのプロセス技術を用いて最大16個のリチウムイオン電池セルの監視が行える電池監視IC「ML5239」を開発したと発表した。(2015/2/17)

「GALAXY S6」にも搭載か:
Samsung、14nmプロセス採用の「Exynos 7 Octa」は20%高速で消費電力は35%削減
Samsungが、14nm FinFET(立体構造トランジスタ)プロセス採用の初モバイルプロセッサの量産に入った。3月1日に発表予定のGALAXY Sシリースの新端末にも同プロセス採用の「Exynos 7 Octa」が搭載される見込みだ。(2015/2/17)

ビジネスニュース 企業動向:
TSMCが元社員を告訴、サムスンに技術漏洩か
TSMCは、28nmプロセス技術などに関する機密情報をSamsung Electronics(サムスン電子)に漏洩(えい)した疑いで、TSMCの元研究開発員を提訴するという。(2015/2/12)

ルネサス 執行役員常務 横田善和氏:
クルマよりも規模の大きい“ルネサスの屋台骨・汎用事業”の戦略
ルネサス エレクトロニクスの売上高の約6割は、産業機器/家電/OA機器などの半導体を展開する汎用事業が担う。車載向け半導体事業を上回るビジネス規模を持つ汎用事業を統括する執行役員常務 横田善和氏に事業戦略などについてインタビューした。(2015/2/10)

津田建二の技術解説コラム【歴史編】:
PR:半導体の温故知新(6)――MOSトランジスタの次はTFET?
最先端半導体の世界は今、16nmあるいは14nmのFinFET(フィンフェットと発音)と呼ばれるトランジスタを基本とする集積回路が量産されようとしています。今回は、MOSFETの基本原理に立ち返りながら、今後の集積回路を考察してみます。(2015/2/9)

新技術 セキュリティ:
「LSIの指紋」を活用、IoT機器の安全性を向上するセキュリティ技術
三菱電機は、LSIの個体差から指紋のような固有IDを生成して、その固有IDでのみプログラムの復号を可能とする組み込み機器向けセキュリティ技術を、立命館大学と共同で開発した。(2015/2/6)

2015年の半導体業界予測(3):
半導体メーカーの設備投資――TSMCが最大か
2015年の専業ファウンドリ業界では2桁成長が見込まれるが、一方で設備投資は減少すると見られている。設備投資の金額は、TSMCが最大になりそうだ。(2015/2/5)

X-fest 2015リポート:
UltraScaleの消費電力、7シリーズ比で約40%削減
ザイリンクスは、FPGA技術セミナー「X-Fest 2015」(アヴネット主催)の展示会場で、「Kintex UltraScale」と「Kintex-7」の消費電力比較のデモ展示を行った。アーキテクチャの見直しなどから、UltraScaleは、7シリーズに比べて消費電力を約40%削減することができる。(2015/2/4)

2015年の半導体業界予測(1):
Appleとファウンドリパートナーの動き
IC Insightsが、2015年における半導体業界の見通しで注目すべき動向を幾つか挙げている。(2015/2/3)

プロセッサ/マイコン:
ルネサス、2015年度内にSOTB採用マイコンを製品化へ――消費電力1/10以下、0.4V駆動品も可能に
ルネサス エレクトロニクスは2015年度(2016年3月期)中にも新型トランジスタプロセス技術「薄型BOX-SOI(SOTB:Silicon-on-Thin-Buried Oxide)」を用いたマイコンを製品化する。同技術を用いることで、0.4Vという超低電圧駆動のマイコンが実現できるという。(2015/2/2)

FPGA:
400万ロジックセルを集積した20nm FPGA「VU440」が出荷開始
ザイリンクスは、20nmプロセス技術を用い400万ロジックセルを集積したFPGA「Virtex UltraScale VU440」の出荷を開始した。(2015/1/22)

ザイリンクス Virtex UltraScale VU440:
400万ロジックセルを集積、20nm FPGAの出荷を開始
ザイリンクスは、20nmプロセス技術を用い400万ロジックセルを集積した最新のFPGA「Virtex UltraScale VU440」の出荷を始めた。次世代ASICあるいはSoCのプロトタイピングなどの用途に向ける。(2015/1/21)

ビジネスニュース:
中国、半導体業界に100億米ドルの資金を注入
半導体業界の成長促進に力を入れる中国。2015年は100億米ドルを投入するという。このうち70%が、中国国内のチップ生産向上に割り当てられる見込みで、雇用機会も生まれるとの期待もある。(2015/1/19)

LED照明:
白色LEDのコストを半減、さらに明るさを10%向上
東レは、白色LEDの材料コストと製造プロセスの改善を合わせてコストの半減を目指す「白色LED用蛍光体シート」を開発、2015年1月から販売を開始した。この蛍光体シートを採用することで、消費電力を変えずに明るさを10%以上向上できるという。(2015/1/19)

ビジネスニュース 企業動向:
オン抵抗を改善し実装面積も大幅削減、車載向け新型MOSFETを開発
インフィニオン テクノロジーズ(以下、インフィニオン)は、車載用パワー半導体事業に関して、新たなプロセス技術やパッケージを用いたMOSFETの概要、48V電源システムへの対応などについて、東京都内で記者説明会を開催した。(2015/1/16)

トレックス・セミコンダクター 代表取締役社長 藤阪知之氏:
PR:コイル一体型DC-DCコンの生産を3倍以上に、電池駆動の産業機器へ浸透
トレックス・セミコンダクターは、電源ICを中心としたアナログIC専業メーカーだ。高効率で低消費、低ノイズの電源ICを小型パッケージで実現する技術力を強みとする。産業機器/車載機器、ウェアラブル機器向けなど成長市場に向けた製品戦略を強化しつつ、既存製品分野ではモジュール製品向けなどを展開する。これらの取り組みによって、高収益体質のさらなる強化を図る。(2015/1/13)

STマイクロエレクトロニクス 日本法人代表取締役社長 マルコ・カッシス氏:
PR:独自の方向性でイノベーションを起こし、新たな価値を
STマイクロエレクトロニクスは2015年、「MEMS & センサ」「スマートパワー」「車載用製品」「マイクロコントローラ」「デジタル製品」の注力5分野での一層のビジネス拡大を目指す。本社エグゼクティブ・バイスプレジデントで日本・韓国地区を統括するマルコ・カッシス氏は「われわれは他社にはない独自の技術アプローチによってイノベーションを起こすことに集中している。2015年も、技術革新で注力5分野それぞれに新たな価値を提供したい」と抱負を語る。(2015/1/13)

ビジネスニュース 企業動向:
インフィニオンとUMCが関係拡大、車載向け130nmパワー半導体製造で合意
Infineon Technologies(インフィニオンテクノロジーズ)とUMC(United Microelectronics Corporation)は、車載用途向けパワー半導体の製造委託で合意した。インフィニオンの車載用途向け130nmプロセス技術「SPT9」を用いて設計されたパワー半導体を、UMCの300mmウエハーファブで2018年前半より量産を開始する。(2015/1/5)

IEDM 2014:
「微細化は今後10年続く」――インテルの見解
米国で開催された「IEDM(International Electron Devices Meeting)2014」。Intelの14nm FinFETプロセスやTSMCの16nm FinFETなどの開発状況をはじめ、多くの論文が発表された。IEDM 2014のリポートを数回にわたってお届けする。(2014/12/24)

BroadcomのCTOに聞く:
ムーアの法則は5nmに壁、民生用LSIは28nmで様子見を
ムーアの法則についての見解を数多く述べているBroadcomのCTO、Henry Samueli氏。微細化技術の今後や、IoT市場の動向、同社のベースバンド事業撤退などについて、話を聞いた。(2014/12/19)

プロセス技術:
ムーアの法則をできる限り進める――TSMCが7nmプロセス向けにEUV装置を発注
TSMCが、ASMLにEUV(極端紫外線)露光装置2台を発注していたことが明らかになった。TSMCは、EUVリソグラフィによって7nmプロセスの実現を目指すとみられている。2015年末には7nmプロセスを適用したチップのリスク生産が開始される可能性がある。(2014/12/10)

SEMICON Japan 2014:
オフィスフロアのスペースに半導体工場ができる! ミニマルファブ向け装置
産業技術総合研究所コンソーシアム・ファブシステム研究会(以下、産総研コンソーシアム)とミニマルファブ技術研究組合は、「SEMICON Japan 2014」(2014年12月3〜5日)で、ミニマルファブ向けの製造装置を実演展示した。「メガファブ」と呼ばれるこれまでの半導体製造工場に比べて、設備投資コストを1/1000に抑えることが可能になるという。(2014/12/4)



普及の途上にあるウェアラブルデバイスの本命と見られるAppleのスマートウォッチ。ウェアラブルデバイスはどの製品も、明確かつ魅力的な用途を提案できていない感があるが、この製品をきっかけに市場が確立すると見る識者も多い。

Windows 10と同じく今年下半期にリリースが予定される次世代Office。Microsoftの主力製品としてWindows同様に常にユーザーの厳しい目にさらされており、その製品の出来が世界中の企業の生産性に影響するお化け製品だ。

大ヒットした艦これの要素を踏襲するように、日本刀を擬人化したブラウザゲーム。男性キャラばかりなので女性プレイヤーばかりかと思えばそうでもない。艦これの「提督」に対し、プレイヤーは「審神者(さにわ)」と呼ばれ、今やネット上では提督同様に目立っている。

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