「プロセス技術(エレクトロニクス)」最新記事一覧

マイコン Cortex-M7コア:
STマイクロがCortex-M7コア搭載マイコンを量産――「業界初」
STマイクロエレクトロニクスは、ARM Cortex-M7コアを搭載したマイコン「STM32F7」の量産を始めた。「Cortex-M7コア搭載マイコンを量産するのは業界初」と同社は主張する。(2015/7/2)

アナログ ADC/DAC:
762kmの通信距離で、毎秒38.4テラビットの高速伝送を可能にしたA-D/D-Aコンバータ
ソシオネクストは、自社製A-Dコンバータ/D-Aコンバータを搭載した光送受信機を用いた通信距離762kmの実証実験で、毎秒38.4テラビットの高速伝送を実現したと発表した。(2015/6/30)

6MHz動作で小型!:
PR:高速過渡応答DC-DCコンバータの決定版! COT制御の弱点を克服した「HiSAT-COT」とは
過渡応答特性に優れるCOT制御。しかし、負荷や入力電圧により発振周波数が大きく変動するため、敬遠されることも多かった。しかし、弱点を克服した新たな制御技術「HiSAT-COT」が登場した。高速過渡応答性はそのままに、発振周波数の変動を大幅削減できる「HiSAT-COT」を紹介していこう。(2015/6/29)

「Cortex-A」を最先端プロセスで実証へ:
UMCが14nm FinFETのプラットフォームを強化、ARMとも提携
UMCは、14nm FinFETプロセスの導入に向け、ARMやSynopsysと提携し、同プロセス向けのプラットフォーム構築に取り組む。まずは、ARMのプロセッサコア「Cortex-A」を14nm FinFETプロセスで実証する予定だ。(2015/6/26)

「ムーアの法則」から抜け出す時?:
GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIプロセスでの製造を2016年に開始か
GLOBALFOUNDRIESは、22nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ)プロセスの導入について、2016年末の量産開始を目指すという。同社は「28nm FinFETと同程度のコストで、14nm FinFETと同等の性能を実現できる」としている。(2015/6/25)

蓄電・発電機器:
火力発電のCO2は減らせる、水素やバイオ燃料の製造も
日本の電力の中心になる火力発電の最大の課題はCO2排出量の削減だ。発電効率の改善に加えて、CO2を回収・利用・貯蔵する「CCUS」の取り組みが進み始めた。2030年代にはCO2の回収コストが現在の3分の1に低減する一方、CO2から水素やバイオ燃料を製造する技術の実用化が見込める。(2015/6/25)

企業動向 ザイリンクス:
車載機器向けFPGA事業を強化、ADASにプログラマブルソリューション提供
ザイリンクスは、車載機器向けの事業戦略について、東京都内で記者説明会を開催した。ADAS(先進運転支援システム)などの用途を中心に、All Programmable SoC/MPSoCをベースとしたソリューションを提供していく方針を示した。(2015/6/24)

プロセス技術:
CMOSプロセスでInGaAs FinFETを形成、Si/SOI基板上に
IBMがIII-V族化合物半導体を使ったFinFETの開発成果を積極的に発表している。IBMは、局所横方向エピタキシャル成長(CELO)技術により、シリコンおよびSOI基板の両方に、通常のCMOSプロセスで、InGaAsのFinFETを形成したと発表した。(2015/6/23)

メモリ各社の製品から探る:
プレーナ型NANDフラッシュの微細化の限界
最近になって、1Xnm世代のプロセスを適用したプレーナ(平面)型のNAND型フラッシュメモリが市場に投入され始めた。だが、プレーナ型NANDフラッシュの微細化は限界だといわれている。各社の1Xnm世代NANDフラッシュを見ながら、微細化技術について考察してみたい。(2015/6/23)

ザイリンクス日本法人代表取締役社長 サム・ローガン氏:
5年連続で国内売り上げ記録を更新! 「国内でも競合を超えた」
FPGA大手ベンダーのXilinxの日本法人は、2015年3月期に5年連続となる売上高最高記録を更新したという。日本法人社長のサム・ローガン氏に好調の要因などを聞いた。(2015/6/22)

プロセス技術:
「ムーアの法則」継続の鍵となるか、Si/III-V族の“ハイブリッド”ナノワイヤ
IBM研究所が、Si(シリコン)とIII-V族化合物半導体を組み合わせたナノワイヤを形成する技術を発表した。独自の「TASE(Template-Assisted Selective Epitaxy)」という技術を使って形成する。TASEで作成したInAs(インジウムヒ素)のナノワイヤは、5400cm2/Vsの電子移動度を達成したという。「ムーアの法則」を継続させる鍵になるかもしれない。(2015/6/12)

燃料電池車:
燃料電池の性能と生産性を10倍に、5カ年研究プロジェクトが始動
新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は、燃料電池車の本格的な普及に向けた5カ年の研究開発プロジェクトを新たに始める。燃料電池スタックの性能と生産性を現在の10倍にするための技術確立が目標となっている。(2015/6/8)

ビジネスニュース 企業動向:
ザイリンクス、2017年に7nm FPGAを投入へ――TSMCでの生産継続
ザイリンクスは2015年5月29日、2017年にTSMCの7nmプロセス技術を使ったFPGA製品を投入すると発表した。(2015/5/29)

村田製作所 表面実装型MEMS角加速度センサー:
表面実装型のMEMS角加速度センサー、検知周波数帯域は1kHz以上
村田製作所は2015年5月、表面実装型のMEMS角加速度センサー(ジャイロセンサー)を開発した。検知周波数帯域は1kHz以上を保有し、角加速度換算ノイズ実効値は、測定周波数帯域1Hz〜25kHzにおいて1rad/s2rms以下となっている。(2015/5/26)

TECHNO-FRONTIER 2015:
「IoT」「電源」「産業」の3分野でソリューションを具体的に提案
日本テキサス・インスツルメンツは、「TECHNO-FRONTIER 2015」(2015年5月20〜22日、千葉・幕張メッセ)で、センサー関連製品や低消費電力マイコンなどのデモ展示を行った。同社は、リファレンスデザインなど開発環境の拡充にも注力しており、評価ボード/開発キットを用いて具体的な事例を紹介した。(2015/5/21)

TECHNO-FRONTIER 2015 開催直前情報:
デバイスからモジュール技術まで、エコと省エネに貢献する全製品を展示――サンケン電気
サンケン電気は「TECHNO-FRONTIER 2015」(2015年5月20〜22日、幕張メッセ)で、次世代パワーデバイス、パワーマネジメント、エネルギーマネジメント、モーター制御、カーエレクトロニクス、LED照明など、同社が手掛ける全ての事業について展示する。とりわけ注力するのが、“エコと省エネ、グリーンエネルギー”という同社のテーマを訴求するための製品だ。(2015/5/18)

EE Times Japan Weekly Top10:
スマホ市場でAppleを引き離したサムスン
EE Times Japanで2015年5月2〜8日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/5/11)

EE Times Japan Weekly Top10:
10nm、7nm、さらにその先へ――プロセス技術に高い関心
EE Times Japanで2015年4月18〜24日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/4/30)

ビジネスニュース 業界動向:
ASMLがEUV装置を15台受注、納品先はIntel?
ASMLが、EUV(極端紫外線)リソグラフィ装置を15台、“米国顧客企業の1社”に納入すると発表し、業界の観測筋の間でさまざまな臆測を呼んでいる。複数の情報筋が、この顧客企業がIntelではないかという見方を示している。(2015/4/30)

プロセス技術:
Intelの10nmチップ、鍵はIII-V族半導体と量子井戸構造か
Intelは10年近くにわたり、量子井戸電界効果トランジスタ(QWFET)の研究を進めてきた。ある半導体アナリストは、Intelの10nmチップは、III-V族半導体、具体的にはInGaAs(インジウム・ガリウム・ヒ素)とGe(ゲルマニウム)を用いたQWFETになると予測している。(2015/4/28)

ビジネスニュース 企業動向:
ファウンドリ市場で揺らぐTSMCの優位性、サムスンの追い上げ加速で
ファウンドリ市場で圧倒的優位に立っているTSMCだが、その地位を揺るがしかねない“懸念事項”が少しずつ表面化し始めている。14nm FinFETを早々に製造したSamsung Electronics(サムスン電子)の存在や、スマートフォン市場の鈍化などが、その筆頭として挙げられる。(2015/4/23)

2015 VLSIシンポジウム概要:
14nm SoCや新規メモリなどの研究成果を発表へ――日本の採択論文数は米国に次ぐ計27件
2015年6月に開催される国際学会「VLSI Technologyシンポジウム」と「VLSI Circuitsシンポジウム」の概要が明らかになった。IoT(モノのインターネット)社会の実現に向けたLSIのデバイス技術と回路技術などに関して、最先端の研究成果が披露される予定である。(2015/4/22)

プロセス技術:
14nm FinFETへの移行は「難しい決断だった」――サムスン
Samsung Electronics(サムスン電子)の最新スマートフォン「Galaxy S6」には、14nm FinFETを適用したプロセッサが搭載されている。同社は、14nm FinFETの生産量において、Intelに次ぐ第2位のポジションを確保したい考えだ。Samsung Semiconductorの幹部は、14nmプロセスへの移行を決断するのは、たやすいことではなかったと振り返る。(2015/4/20)

製品解剖:
Samsung 14nmプロセッサ「Exynos」に刻まれた文字から探る
Samsung Electronics(サムスン電子)の最新スマートフォン「Galaxy S6」に搭載されているプロセッサ「Exynos」は、14nm FinFETを適用しているとして話題になった。今回は、同チップの刻印から何が分かるのかを探ってみたい。(2015/4/15)

プロセス技術:
TSMC、2015年半ばに16nm FinFETの量産開始へ
TSMCは、16nmプロセス以降のロードマップを明らかにした。まずは2015年半ばに、16nm FinFET+を適用したチップの量産を開始する。2016年には、10nmチップの生産工場の建設にも着手する。(2015/4/10)

ビジネスニュース 企業動向:
三重富士通、SuVoltaから低消費電力トランジスタ技術の知的財産権を取得――40nm、フラッシュ混載へ応用
三重富士通セミコンダクターは2015年4月、米SuVoltaから低消費電力CMOS技術に関する知的財産権を取得したと発表した。従来、SuVoltaからライセンス供与を受けて55nmプロセスに適用してきた同技術を、40nmプロセスなどへと展開していく。(2015/4/9)

FPGA:
「MAX 10 FPGA」で極薄パッケージを実現する新技術
TSMCとアルテラは「MAX 10 FPGA」向けに、0.5mm以下(はんだボールを含む)の薄型パッケージを実現する新技術を共同開発した。(2015/4/8)

パッケージ技術:
TSMCとAlteraが新パッケージ技術を開発――フラッシュ混載FPGA「MAX 10」向け
TSMCとAlteraは、Alteraの55nmフラッシュメモリを混載したFPGA「MAX 10 FPGA」(以下、MAX 10)向けに最適化した新しいパッケージング技術を共同で開発したと発表した。厚さ0.5mm以下の薄型パッケージを実現したという。(2015/4/8)

プロセス技術:
次世代3次元SoCは、TSVを使わない――Qualcomm
Qualcommは、米国で開催された「International Symposium on Physical Design(ISPD)」で、同社の3次元SoCの技術動向について語った。TSV(シリコン貫通ビア)を使わずに積層することで、小型化と歩留まりの向上を実現したいという。(2015/4/2)

自然エネルギー:
水からプラスチックを作る、「人工光合成」で化石燃料不要の化学品製造実現へ
NEDOと人工光合成化学プロセス技術研究組合は、太陽エネルギーを利用した光触媒による水からの水素製造で、世界最高レベルの太陽エネルギー変換効率である2%を達成した。今後2021年度末(2022年3月期)にエネルギー変換効率10%を目指すとともに、同時に開発している分離膜技術と合成触媒技術を組み合わせ、化石資源が不要な化学品製造基盤技術の確立を目指す。(2015/4/1)

ビジネスニュース 事業買収:
インテルがアルテラ買収で交渉か――受託製造事業強化が狙い?
米Wall Street Journalなど複数の米国メディアは、インテル(Intel)が、PLD大手のアルテラ(Altera)を買収する方向で交渉に入ったと関係筋の話を引用して報じた。(2015/3/30)

日立マクセル 薄膜高分子フィルム粘着テープ:
テープ厚10μmのタッチパネル用薄膜高分子フィルム粘着テープ
日立マクセルは、テープ厚10μmで透過率92%の「薄膜高分子フィルム粘着テープ」を開発した。光学特性に優れた薄膜高分子フィルムを基材とし、片面に接着力の高い粘着材を配置した。(2015/3/26)

電気自動車:
100万km走る燃料電池車、4年間で技術開発
新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は燃料電池車が大量に普及するために必要な研究開発「固体高分子形燃料電池利用高度化技術開発事業」のための公募を開始した。2019年度末までに燃料電池の性能、耐久性、コストを改善し、より短い時間で製造できる技術開発を進める。(2015/3/24)

福田昭のデバイス通信(12):
ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(1)
ARMにとって「IEDM」は非常に重要だ。この会議で議論されるトランジスタ技術が同社のCPUアーキテクチャの行方を左右するからである。ARMは「IEDM 2014」で、CPU設計とデバイス・プロセス技術の関わりを解説する講義を行った。今回から、その内容を複数回にわたってお届けする。(2015/3/18)

プロセス技術:
FinFETプロセスをめぐる技術開発は競争激化へ
FinFETプロセスを採用したチップは、既に100種類以上がテープアウトされているという。以前は、プロセス技術ではIntelが突出していたが、現在はTSMCやSamsung ElectronicsなどのファウンドリもIntelとの差を縮めてきていて、接戦が繰り広げられている。(2015/3/13)

14nm FinFETも差異化要因にはならず?:
“次の手”がないスマホ市場、サムスンはさらに窮地か?――MWC 2015総括
「MWC 2015」が閉幕した。Samsung Electronics(サムスン電子)の「Galaxy S6」など、注目を集めた発表はあったものの、今後のスマートフォン市場をけん引していく要素は、見当たらなかったのではないだろうか。(2015/3/10)

テスト/計測:
波形の捕捉/記録/解析機能で究極を追求した高性能オシロ
キーサイト・テクノロジーは、独自の半導体プロセス技術などを駆使することで、業界最高レベルの測定確度を実現したオシロスコープ「Infiniium Vシリーズ」を発表した。周波数帯域として8GHzから33GHzまでの機種を用意している。(2015/3/9)

MWC 2015:
「Galaxy S6」でサムスンは勢いを取り戻す?
Appleと中国のスマートフォンメーカーを相手に苦戦を強いられているSamsung Electronics(サムスン電子)だが、「Galaxy S6」「Galaxy S6 edge」の投入で風向きが変わるかもしれない。(2015/3/4)

三重富士通セミコンダクター 社長 八木春良氏:
“日本のピュアファウンドリ”に本気で挑む三重富士通の勝算
富士通の半導体事業再編の中で2014年末に誕生したファウンドリ専業会社「三重富士通セミコンダクター」。台湾をはじめとした海外勢の独壇場となっている大口径の300mmウエハーによる半導体受託生産市場で、最先端微細加工技術、大きな生産能力を持たない同社はどう生き残って行くのか。同社社長の八木春良氏に聞いた。(2015/3/4)

EE Times Japan Weekly Top10:
10nmプロセスでインテルに追い付きたいTSMC
EE Times Japanで先週(2015年2月21〜27日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2015/3/3)

MWC 2015:
MWC 2015もキーワードは“コネクテッド”、IoTや5G関連技術に注目
スペイン バルセロナで開催される「Mobile World Congress(MWC) 2015」(2015年3月2〜5日)では、「2015 International CES」と同様、“コネクテッド”がキーワードになりそうだ。MWCは、名前にこそ「モバイル」という言葉が入っているが、もはやスマートフォンやモデム向けの技術だけでなく、さまざまな分野向けの接続機器やネットワーク技術について議論を交わすための場となっている。(2015/3/2)

プログラマブルロジック FPGA:
アルテラが20nm SoC FPGAを出荷開始、性能は50%向上
アルテラは、20nmプロセス技術を用いて製造する第2世代SoC(System on Chip) FPGA「Arria 10 SoC」の出荷を開始した。前世代製品に比べて、処理性能を最大50%向上し、消費電力は最大40%削減できるという。(2015/2/26)

ISSCC 2015:
インテル、14nm SRAMの実現へ
Intelは、「ISSCC 2015」において14nmプロセスのSRAMについて論文を発表する予定だ。同社のシニアフェローはムーアの法則についても言及し、「ムーアの法則は10nm以降も継続する。EUV(極端紫外線)リソグラフィ技術を採用せずに7nmプロセス技術を実現できれば、トランジスタ当たりのコストを削減できる」と述べている。(2015/2/26)

プロセッサ/マイコン:
ルネサス、28nm世代混載フラッシュ技術を改良――順調に進む次世代車載マイコン開発
ルネサス エレクトロニクスは2015年2月25日、28nmプロセス世代の車載マイコン向けに、高速読み出し、高速書き換えを実現する新たな混載フラッシュメモリ技術を開発したと発表した。(2015/2/25)

プロセス技術 印刷エレクトロニクス:
解像度10nm台の微細加工に対応可能、キヤノンのナノインプリント半導体製造装置
キヤノンは、開発中のナノインプリント技術を用いた半導体製造装置について、2015年中の製品化を目指している。同装置は解像度10nm台の微細加工に対応することが可能である。まずはフラッシュメモリの製造ラインへの導入を予定している。(2015/2/25)

プログラマブルロジック FPGA:
16nm世代FPGA、ザイリンクスが「UltraScale+」ファミリを発表
ザイリンクスは、16nmプロセス技術を用いた次世代FPGA「UltraScale+」ファミリを発表した。従来の28nmプロセスFPGA/SoCに比べて、消費電力当たり2〜5倍のシステム性能を実現することが可能となる。(2015/2/25)

2015年第3四半期に東京拠点を開設:
「日本が『ソフトウェア製造』で世界のリーダーになれない理由はない」
米PivotalおよびPivotalジャパンは、2015年第3四半期に「Pivotal Labs Tokyo」を開設、一般企業が事業をITで変革する際に必要となる、先進的なソフトウェア開発のプロセスノウハウを伝える活動を始める。ではなぜ、日本なのか。(2015/2/25)

新技術:
量子コンピュータ並み!? 「組み合わせ最適化問題」を瞬時に解く新型コンピュータ
日立製作所は、膨大なパターンから実用に適した解を導く「組み合わせ最適化問題」を、量子コンピュータ並みの性能で実現する新型コンピュータを試作した。室温での動作が可能で、従来コンピュータに比べると電力効率は約1800倍となる。(2015/2/24)

ビジネスニュース 業界動向:
CMOSイメージセンサーが引っ張る3次元積層技術
チップを積層し、TSV(シリコン貫通電極)などで接続する3次元IC技術。CMOSイメージセンサーでも、3次元化が進んでいる。(2015/2/23)

プロセス技術:
20nm対応ナノインプリント用テンプレートの年内量産を発表――大日本印刷
大日本印刷(以下、DNP)は2015年2月19日、20nmレベルの半導体製造プロセスに対応したナノインプリントリソグラフィ(以下、NIL)用のテンプレート(型)の生産体制を構築し2015年にも量産を開始すると発表した。(2015/2/19)



国民ひとりひとりに番号を割り当てて行政手続きに利用する電子化施策。一般企業も行政とのやりとりのために、従業員やその家族のマイナンバーを把握・管理しなければならず、2016年1月のスタートに向けて対応が本格化している。

テレビ等のHDMI端子に差すだけで使えるスティック型のPC。マウスコンピューターのm-Stickの登場以降、各社から同様の製品が発表されており、Lenovoも提供を決めるなど注目が高まっている。

ヤフオクが強いC2C分野だが、スマホでは新興のフリマアプリも存在感を持っている。ネットオークションの独特の作法からは距離を置いた、シンプル/直観的な使い心地が女性に好まれているようだ。

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