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「プロセス技術(エレクトロニクス)」最新記事一覧

テープアウトは完了:
ARMの10nmチップ、2016年末にもスマホに搭載か
ARMは2016年1月に、TSMCの10nm FinFETプロセス向けにSoC(System on Chip)のテストチップをテープアウトしたことを明らかにした。この10nm SoCは、2016年末までに携帯端末に搭載される予定だという。同プロセス技術は、比較的コストが高いが、低消費電力化に注力している。(2016/5/20)

米のスタートアップが開発:
ダイヤモンド半導体、実用間近か
ダイヤモンドが近い将来、半導体業界にとって“親友”のような存在になるかもしれない。米国の新興企業であるAkhan Semiconductorが、ダイヤモンド半導体を確実に実現できる見込みであることを明らかにした。(2016/5/17)

企業動向を振り返る 2016年4月版:
熊本地震で影響を受けた各社工場一部再開へ/インテル大規模人員削減計画
過去1カ月間のエレクトロニクス関連企業の動向をピックアップしてお届け! 2016年4月は、熊本地震の影響を受けた製造業各社の生産再開見込みに関する速報や、国内外の大手企業による人員整理の話題に注目が集まりました。(2016/5/12)

10nm、7nm世代の開発方針も公表:
Samsung、2016年内に14nm LPCプロセス提供へ
Samsung Semiconductorは、第1世代の14nmプロセス技術「14LPP」よりもコストを抑えられる第2世代14nmプロセス技術「14LPC」を2016年中にも提供するとの方針を明らかにした。10nmプロセス技術でも、第1世代の「10LPE」と第2世代の「10LPP」を提供するという。(2016/4/27)

STMicroelectronics TSB572/TSB611:
「BiCMOS」プロセス技術採用、車載/産業機器向け36V耐圧オペアンプ
STマイクロエレクトロニクスは、車載機器/産業機器の性能と耐久性を向上させる36V耐圧オペアンプ「TSB572」「TSB611」を発表した。(2016/4/27)

「競合の28nm世代に匹敵するフラッシュ技術」:
PR:40nm世代マイコンの出荷も開始――積極的な新製品攻勢を仕掛けるCypressの車載半導体戦略
Cypress(サイプレス)は、車載半導体事業を注力事業に位置付け、積極的な技術/製品開発を展開している。2016年1月には、車載マイコンでは最先端となる40nmプロセスを採用した製品の出荷をスタートさせた。注目を集める40nm世代車載マイコンや今後の車載向け製品開発戦略について、サイプレス自動車事業本部自動車事業部長を務める赤坂伸彦氏に聞いた。(2016/4/28)

設備投資は10nmプロセスと3D NANDに:
Intelの再編、メモリとIoTに舵を切る
最大で1万2000人の人員削減を行うと発表したばかりのIntel。現在、全製品を見直し、どのように構造改革を行っていくかを検討している段階だという。アナリストの中には、Intelの再編の動きを評価する声もある。(2016/4/25)

「VLSI技術シンポジウム 2016」プレビュー:
0.03μm2のSRAMから最先端のIII-V族FinFETまで
米国ハワイで2016年6月13〜16日に開催される「VLSI Symposia on VLSI Technology and Circuits(以下、VLSIシンポジウム)」は、最先端の半導体デバイス/回路技術が一堂に会する国際会議だ。VLSIシンポジウムを実行するVLSIシンポジウム委員会は4月20日、都内で記者説明会を開催し、同イベントの概要と注目論文を紹介した。(2016/4/25)

元エルピーダ社長の動きにも注目:
“メモリ大国”を目指す中国(後編)
メモリ技術の開発に積極的な中国だが、話はそれほど簡単ではない。中国では、元エルピーダメモリ社長の坂本幸雄氏がDRAMメーカーを立ち上げるなど、注目に値する動きも出てきている。(2016/4/19)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(1):
STT-MRAMの基礎――情報の蓄積に磁気を使う
次世代不揮発メモリの候補の1つに、STT-MRAM(スピン注入磁化反転型磁気メモリ)がある。データの読み書きが高速で、書き換え可能回数も多い。今回から始まるシリーズでは、STT-MRAMの基本動作やSTT-MRAが求められている理由を、「IEDM2015」の講演内容に沿って説明していこう。(2016/4/19)

STマイクロ TSB572/TSB611:
ESD耐性最大4kVの車載向け36V耐圧オペアンプ
STマイクロエレクトロニクスは、車載機器/産業機器の性能と耐久性を向上させる36V耐圧オペアンプ「TSB572」「TSB611」を発表した。動作電圧は4.0〜36V、静電気放電耐性は最大4kV(HBM)である。(2016/4/15)

前途多難なのか:
“メモリ大国”を目指す中国(前編)
中国がメモリ技術の開発に注力している。中国のファウンドリーであるXMCは、「3D NAND型フラッシュメモリでSamsung Electronicsに追い付く」と、非常に積極的な姿勢を見せている。(2016/4/14)

10nm以降もCMOSに注力:
Intel、「ムーアの法則は微細化の実現ではない」
「ISPD 2016」においてIntelは、10nmプロセス以降もCMOSに注力する考えであることを明らかにした。同社はそこで、ムーアの法則は微細化そのものというわけではなく、より多くのダイをウエハー上に形成することで利益を確保することだと、述べている。(2016/4/11)

「2016 VLSI Symposia」プレビュー:
10nmプロセス以降に焦点、“微細化のその先”も
2016年6月に米国ハワイで開催される「2016 VLSI Symposia on VLSI Technology and Circuits」では、10nm以降のプロセス技術の研究成果も多数発表される予定だが、“微細化のその先”についても、これまで以上に活発な議論が行われるようだ。(2016/3/30)

EE Times Japan Weekly Top10:
ついに“ひと桁”、7nmプロセス開発へ加速
EE Times Japanで2016年3月19〜25日に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2016/3/28)

省エネ機器:
製鉄工程のCO2排出量、30%削減する分離・回収技術を2030年に確立へ
NEDOプロジェクトで建設が進められていたCO2の分離・回収技術を開発するための試験炉が完成した。新日鐵住金が所有する君津製鉄所構内に建設したもので、2016年度からパイロット規模の総合試験を行い、CO2排出量を約30%削減できる技術を2030年度をめどに確立する計画だ。(2016/3/28)

サーバ市場での勢力拡大を狙い:
ARM、TSMCと7nm FinFET開発で協業
ARMとTSMCが、データセンサーやネットワークインフラ向けに、7nm FinFET開発で協業する。サーバ市場での勢力拡大に積極的なARMは、7nmプロセスの採用によるチップの高性能化を非常に重要視していると専門家は話す。(2016/3/22)

自然エネルギー:
人工光合成で水素を製造するシート、太陽光に反応する光触媒が水を分解
再生可能エネルギーからCO2フリーの水素を製造する試みの1つに、光触媒を使って水を分解する方法がある。NEDOなどの研究チームは2種類の光触媒を混合したシートを使って効率的な水素の製造方法を開発中だ。最新の研究成果では太陽光エネルギーのうち1.1%を水素に変換することができた。(2016/3/14)

電源用部品技術特集:
PR:設計しやすい非絶縁型AC-DCコンバータIC――電源設計ノウハウの蓄積でかなえた高効率と低ノイズ
複雑化する電源回路の設計は、一筋縄ではいかなくなった。そうした中で、高性能な電源回路を容易に実現するには、さまざまな工夫が施された優れた電源ICを使用するのが最良の策だ。そこで今回は“電源回路設計の知識や経験が少ないエンジニアでも、高性能な電源回路が設計できる”をコンセプトに開発された電源製品を紹介していこう。(2016/3/14)

太陽エネルギー変換効率1.1%:
太陽光で水を分解して水素を生む光触媒シート
水中に沈めて太陽光を当てるだけで、水を分解して水素と酸素を発生させる光触媒シートをNEDOなどが開発した。安価に量産が行えるスクリーン印刷による製造にも対応できる。(2016/3/11)

積水化学、大容量リチウム電池本格参入 第1弾は住宅用定置タイプ
積水化学工業は9日、大容量フィルム型リチウムイオン電池事業に本格参入すると発表した。(2016/3/10)

ルネサス「Synergy」のセキュリティ戦略:
IoT機器のRoot of Trustはマイコンであるべき
ルネサス エレクトロニクスは、設計基盤プラットフォーム「Renesas Synergyプラットフォーム」の新しいセキュリティ戦略として、IoT(モノのインターネット)機器の製品ライフサイクルの全段階を保護する「DLM(Device Lifecycle Management)」を発表した。DLMは、IoT機器のセキュリティに対するルネサスの考え方を、具現化したものとなっている。(2016/3/2)

オスラム、用途別の展開を強化:
幅広い製品群と新工場建設で、LED事業を拡大
オスラム オプトセミコンダクターズは照明用LED事業を一段と強化していく。LEDチップの新工場をマレーシアに建設するなど、製造能力の強化にも乗り出す。(2016/3/1)

最上位モバイルPC対決:
「VAIO Z」クラムシェルモデル徹底検証――Surface Book/Pro 4と比べた性能は?
ついに販売が開始された新世代CPU搭載の「VAIO Z」。新たに追加されたクラムシェルモデルの性能をSurface BookやSurface Pro 4といったライバルと比較する。(2016/2/26)

リード3200MB/秒!:
5コアコントローラ+第3世代V-NANDの新製品も――日本サムスンが最新SSDを展示
日本サムスンが「2016 Samsung SSD Forum, Japan」を開催。2016年春の投入が見込まれる最新SSDを披露した。(2016/2/25)

福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待(1):
システム設計の要諦は電力管理
今回から、2015年12月に開催された「IEDM2015」でARM Researchが講演した、メモリ技術の解説をお届けしよう。まずは、システム設計が抱える課題から紹介していきたい。(2016/2/17)

需要のけん引役はAppleとQualcomm:
次世代FinFETへの移行を加速、SamsungとTSMC
Samsung ElectronicsとTSMCが、次世代FinFETチップへの取り組みを加速させている。14/16nm以降のチップの量産が増加するかは、最大顧客ともいえるAppleとQualcommにかかっているようだ。(2016/2/5)

「ISSCC 2016」で“ポストCMOS”を語る:
Intel、10nmプロセスでは新技術は導入せず
Intelは「ISSCC 2016」でムーアの法則の維持と“ポストCMOS”について講演し、10nmプロセスでは新しい技術は導入しないことを断言した。(2016/2/4)

7nmプロセスでの実用化は可能なのか:
着実に進歩するEUV、課題は光源
EUV(極端紫外線)リソグラフィ技術は、着実に進化を遂げている。業界には、2018年ごろの実用化を望む声も多いが、当面の課題は光源の強さをどう向上するかにありそうだ。(2016/1/28)

「i.MX8/i.MX9」にも:
NXP、マイコンに28nm FD-SOIプロセスを採用へ
NXP Semiconductorsは、同社のLPCマイコンに28nm FD-SOIを適用すると発表した。FD-SOIは、Freescale Semiconductorがプロセッサ「i.MX」シリーズに採用を決めていたものだ。(2016/1/22)

14nm FinFETプロセスを適用:
新Snapdragonの製造、Samsungが全面受注
Samsung Electronicsが、Qualcommの新世代プロセッサ「Snapdragon 820」の製造を全面的に委託したもようだ。Samsungの最新プロセス技術である「14nm Low-Power Plus(LPP)」を適用する。(2016/1/20)

車載半導体:
サイプレスが車載マイコンに40nmプロセスを初採用、低価格メータークラスタ向け
サイプレス セミコンダクタは車載マイコン「Traveoファミリ」の新製品を発表した。同社初となる40nmプロセスで製造する。量販車種のメータークラスタや、複雑化する車載ネットワークのゲートウェイに向ける。Traveoファミリに最適な電源ICや、日本発の車載LAN規格「CXPI」対応のトランシーバICなども併せて供給する。(2016/1/13)

第1弾はクラスタとボディーコントロール向け:
サイプレス、車載用40nmマイコンを製品化
Cypress Semiconductor(サイプレス セミコンダクタ)は、車載向け半導体事業戦略について、記者発表会を東京都内で開催した。この中で、同社の車載用MCUファミリー「Traveo」としては初めてとなる40nmプロセス製品を発表した。(2016/1/13)

三重富士通セミコンダクター 取締役執行役員常務 河野通有氏:
PR:40nm製造ラインが本格稼働、真価問われる一年に
三重富士通セミコンダクター(MIFS)は、ファウンドリ専業会社として2014年末に誕生し、1年余りが経過した。2016年始めより40nmプロセス技術に対応した製造ラインが本格的に稼働する。2016年はファウンドリ専門会社として真価が問われる一年となる。取締役執行役員常務を務める河野通有氏が、40nm製造ラインを軸とした今後の事業戦略などについて語った。(2016/1/12)

STマイクロ L5963:
複数の電圧レギュレータを集積した電源制御用IC
STマイクロエレクトロニクスは、車載グレードに対応した電源制御用ICの新シリーズを発表した。シリーズ最初の製品「L5963」は、単一の小型パッケージに3個の電圧レギュレータを搭載している。(2016/1/5)

SEMICON Japan 2015会場レポート:
開催1週間前にQFN対応! ミニマルファブの進歩
産業技術総合研究所、ファブシステム研究会、ミニマルファブ技術研究組合は、2015年12月16日に開幕した展示会「SEMICON Japan 2015」で、開発を進めるミニマルファブの展示を行った。(2015/12/18)

EUVの採用は、まだ不明:
TSMCが5nmプロセス開発に着手
TSMCが5nmプロセスの開発に着手する。ただし、EUV(極端紫外線)リソグラフィを採用するかどうかは、まだ不明だ。とはいえ、193nm ArF液浸リソグラフィを適用するには、かなりの数のパターニングが必要になり、コストが膨れ上がる。(2015/12/17)

SEMICON Japan 2015 会場レポート:
20μmピッチTSV、車載用測距センサーに適応へ
新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は、2015年12月16〜18日の会期で東京ビッグサイトで開催されている「SEMICON Japan 2015」で、車載センサー向け3次元積層技術を展示した。(2015/12/16)

三重富士通セミコン、IoTによる需要拡大に備え:
独自低消費電力プロセスの40nm版、2017年量産へ
三重富士通セミコンダクターは2015年12月16〜18日の会期で開催されている展示会「WORLD OF IOT」(併催:SEMICON Japan2015)で、独自トランジスタ構造「DDC(Deeply Depleted Channel)トランジスタ」を使用した低消費電力CMOSプロセス技術に関する展示を実施。同技術を用いた40nmプロセスによる受託量産を2017年から開始する方針を明かした。(2015/12/16)

放送メディア、IPネットワーク伝送にも対応:
放送機器/業務用AV機器向けFPGA事業を強化
ザイリンクスは、放送機器や業務用AV機器向けFPGA事業を強化する。最先端FPGA製品や開発環境、自社開発のビデオインタフェースIPなどを用意し、4k/8k映像やVideo over IPなど、あらゆるメディア/ネットワークに対応できるAll Programmableソリューションを提供していく。(2015/12/11)

強い需要を取り込む:
TSMC、中国 南京に半導体製造工場を建設
TSMCが、中国の南京に12インチウエハー工場を設立するとして、台湾の投資委員会に申請書を提出した。世界最大規模の半導体市場でありながら、半導体のほとんどを輸入に頼っている中国の強い需要を取り込む考えだ。(2015/12/10)

STマイクロエレクトロニクス ST33J2M0:
2Mバイトのメモリ内蔵、IoT向けセキュアマイコン
STマイクロエレクトロニクスは、ARM SecurCore SC300プロセッサを搭載した32ビットセキュアマイコンシリーズの最新製品「ST33J2M0」を発表した。業界最大のフラッシュメモリ容量を内蔵し、組み込み暗号化アクセラレータで、最速のクロック速度を可能にする。(2015/12/10)

SEMICON Japan主催者に聞く:
IoTを原動力に復活狙う日本半導体産業――SEMICON Japan2015
マイクロエレクトロニクス製造サプライチェーンの国際展示会「SEMICON Japan2015」が、2015年12月16〜18日の3日間、東京ビッグサイトで開催される。IoT向け半導体需要の拡大で注目を集めているのが200mmウェハーファブの有効活用である。日本半導体産業の復活に期待がかかる。(2015/12/1)

ARM TechCon 2015基調講演リポート:
“印刷”のCortex-M0から64bit化を推進するCortex-A35、mbed OSまで、ARMの示す未来像
英ARMが同社の取り組みを紹介する「ARM TechCon 2015」を開催した。内容は多岐にわたるが、ここではCTO Mike Muller氏による基調講演から、ローエンド64bitCPUやセキュリティ、mbed OSなど、ARMの目指す未来像について紹介する。(2015/11/24)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(8):
折り曲げ可能なNANDフラッシュメモリ
カンファレンス2日目に予定されているセッション19〜21の内容を紹介しよう。セッション19では、折り曲げ可能なX線イメージング技術や、折り曲げ可能なNANDフラッシュメモリなど、さまざまなフレキシブルエレクトロニクス技術に関する講演が行われる。折り曲げ可能なNANDフラッシュメモリは、韓国の研究チームが発表するもので、30万回折り曲げた後でも、安定した電気接続を維持したという。(2015/11/20)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(7):
不揮発性メモリを脳神経コンピューティングに活用
今回はセッション16〜18の講演を紹介する。セッション17では、不揮発性メモリを利用したニューロモルフィックシステム(脳神経系を模倣した低消費電力システム)の講演が相次いだ。(2015/11/17)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(6):
ナノワイヤと非シリコン材料で「ムーアの限界」を突破
今回はセッション13〜15の概要を取り上げたい。セッション15では、「モア・ムーア(More Moore)」と「モアザン・ムーア(More Than Moore)」の両方に関する研究成果が発表される。「モアザン」については、フランスの研究チームが折り曲げ可能なCMOS回路を紹介する。(2015/11/13)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(4):
抵抗変化メモリとGaNデバイス
今回のプレビューでは、セッション7〜9を紹介する。セッション7では抵抗変化メモリ(ReRAM)の信頼性に関する発表が相次ぐ。セッション8では、3次元集積回路の製造技術がテーマだ。セッション9では、富士通と東京工業大学が試作した、96GHzの周波数で出力が3W/mmと高いInAlGaN/GaN HEMTなどが発表される。(2015/11/10)

通信基地局やFA機器、モータ制御向け:
耐圧80Vで効率最高レベル、ロームのDC-DCコン
ロームは、従来品に比べて高い電力変換効率を実現した耐圧80VのMOSFET内蔵DC-DCコンバータ「BD9G341AEFJ」を開発し量産を始めた。通信基地局やFA機器、モータ制御などの用途に向ける。(2015/10/28)

ウェアラブル向けに低消費電力を追求:
エプソン、ARM M0+コア搭載の新マイコンファミリ
セイコーエプソンは2015年10月26日、CPUコアに「ARM Cortex-M0+」を搭載した新しいフラッシュメモリ内蔵マイコンファミリ「S1C31」を発表した。(2015/10/26)



7月29日で無料アップグレード期間が終了する、Microsoftの最新OS。とんでもないレベルで普及している自社の基幹製品を無料でアップグレードさせるというビジネス上の決断が、今後の同社の経営にどのような影響をもたらすのか、その行方にも興味が尽きない。

ドイツ政府が中心となって推進する「第四次産業革命」。製造業におけるインターネット活用、スマート化を志向するもので、Internet of Things、Industrial Internetなど名前はさまざまだが、各国で類似のビジョンの実現を目指した動きが活発化している。

資金繰りが差し迫る中、台湾の鴻海精密工業による買収で決着がついた。寂しい話ではあるが、リソースとして鴻海の生産能力・規模を得ることで、特にグローバルで今後どのような巻き返しがあるのか、明るい話題にも期待したい。

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