「プロセス技術(エレクトロニクス)」最新記事一覧

プロセス技術:
ルネサスとIMECが、28nm CMOS技術によるRFレシーバとA-Dコンバータを開発
ルネサス エレクトロニクスとIMECは、LTE-advancedなど次世代無線規格に向け、28nm CMOS技術を用いたRFレシーバとA-Dコンバータを開発した。(2013/6/17)

プロセス技術:
富士通研、CPU間クロック伝送回路の電力を75%削減する技術を開発
富士通研究所とFujitsu Laboratories of Americaは2013年6月14日、CPU間の高速データ通信回路の低電力化を実現するクロック伝送技術を開発したと発表した。サーバなどに搭載されるCPU間のクロック伝送回路の消費電力を75%削減できるという。(2013/6/14)

プロセス技術:
ルネサス、コストかけずに高速I/O搭載LSIを実現する設計技術開発
ルネサス エレクトロニクスは、LSIと実装基板の間に生まれるインピーダンス差による信号劣化をパッケージ基板内に存在する寄生容量をコントロールして抑える技術として、25Gビット/秒の高速なデータ伝送にも対応する手法を開発した。既に新技術を適用したASICの設計を進め、早ければ2014年にも新技術を搭載したLSIの生産を実施する。(2013/6/14)

プロセス技術:
動作電圧0.4V以下を実現する技術を開発、スマホの消費電力も1/10になる!?
新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)と超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、動作電圧が0.4V以下のロジックLSIやメモリを実現できる技術を開発した。これらの技術を使ったLSIを搭載した機器は、消費電力を1/10に低減できる可能性がある。(2013/6/12)

プロセス技術:
パナソニック、CMOS回路上での強誘電体メモリスタ形成に成功
パナソニックは、アナログデータを記憶、再生できる「強誘電体メモリスタ」をCMOS回路上に形成することに成功したと発表した。(2013/6/10)

プロセス技術 不揮発ロジック:
消費電力1/100に! 夢の“不揮発ロジック”の実用化へ前進
NECと東北大学は、スピントロニクス技術のロジックLSI分野への応用の道を開く2つの開発成果を発表した。2者は、「今回の開発成果をさらに進化させ、2017年頃には商用デバイスに技術を反映させたい」とする。(2013/6/10)

プロセス技術:
7nmプロセス以降は不透明、開発には企業間の連携が不可欠に
最先端のプロセス技術の開発に注力するIntel。同社は現在、10nmプロセスの開発を行っているが、それ以降のプロセスについては「先行きが見えない」との見解を示している。(2013/5/29)

プロセス技術:
「太陽光発電パネルの効率を3%向上できる」、EVGの反射防止膜塗布装置
MEMS/3次元実装向け製造装置を手掛けるEV Groupが、日本国内における新製品展開を強化する。その中でも、開発中の反射防止膜塗布装置は、太陽光発電パネルの反射光を従来比4分の1以下に低減して、発電効率を3%以上高められるという。(2013/4/25)

プロセス技術:
想像以上に難しい14nmプロセス、設計面での課題が山積
14nmプロセス技術を確立することは、設計者たちが予想していたよりも、はるかに難しいようだ。プロセスの微細化が進むに連れて、リーク電流の増加などの課題が浮き彫りになった。IBMのエンジニアは、「14nm世代では、これまでの対応策が通用しなくなる」との見解を述べている。(2013/4/4)

プロセス技術:
FinFET以降の半導体製造技術はどう進む? IBMの見解
「Common Platform Technology Forum」において、IBMが半導体製造技術の将来展望について発表を行った。液浸リソグラフィによるダブルパターニング技術やFD-SOI技術に加え、カーボンナノチューブ、シリコンフォトニクス、ナノワイヤーなどのキーワードを交えて半導体製造の将来像や課題などが示された。(2013/2/22)

プロセス技術:
GLOBALFOUNDRIES、2014年にもFD-SOIプロセスで量産を開始
GLOBALFOUNDRIESが、FD-SOIプロセスによるチップの量産開始時期を明らかにした。2013年第1四半期中に同プロセス用のPDKの供給を始め、2014年上半期には大量生産を開始する予定だという。(2013/2/15)

プロセス技術:
14nmプロセスの立ち上げで、デッドヒートを続けるSamsungとGF
Samsung ElectronicsとGLOBALFOUNDRIES(GF)は、14nmプロセスでの製造開始に向けてデッドヒートを繰り広げている。一方、IBMは、半導体業界のより長期的な発展を見据え、EUVリソグラフィ装置の開発を進めている。ただし、現在のところ芳しい進展は見られていない。EUVリソグラフィ技術の実用化は、7nm世代以降になる見通しだ。(2013/2/13)

プロセス技術:
450mmウエハー対応のリソグラフィ装置、Molecular Imprintsが市場に投入
Molecular Imprintsは、同社のリソグラフィ装置「Imprio 450」が、ある半導体メーカーに採用されたことを明らかにした。同製品は450mmウエハーによる半導体チップの製造に対応しているという。同社は「Imprio 450により、450mmウエハーへの移行を、少なくとも2年は早められる見込みだ」と主張している。(2013/1/23)

プロセス技術:
EUVは本当に実用化できるのか?
半導体製造技術のロードマップでは、193nmリソグラフィに限界が来たら、157nmフォトリソグラフィへと移行するはずだった。しかし、実際に普及したのは193nmの液浸リソグラフィであった。次の技術として名前が挙がるのはEUVだが、「この技術が実際に商業用途で利用されるかどうかは定かではない」と指摘する声がある。(2012/12/19)

プロセス技術:
22nmプロセス技術で火花を散らすIBMとIntel
米カリフォルニア州で開催された半導体素子の国際学会「IEDM 2012」では、IBMとIntelが22nmプロセス技術に関する論文を相次いで発表した。22nmプロセスの量産体制に入っているという意味では、優位なのはやはりIntelだろうか。(2012/12/14)

プロセス技術:
ST、28nm FD-SOIチップの生産準備を完了
STは、28nmプロセスを適用したFD-SOIの試作品を生産する準備が整ったと発表した。同社は、「FD-SOIは、プレーナ型バルクCMOSやFinFET CMOSなどに比べて、性能や消費電力、製造性の間のトレードオフが少ない」と主張している。(2012/12/13)

プロセス技術 印刷エレクトロニクス:
PragmatIC、印刷エレクトロニクス向けのパイロット製造ラインの稼働を開始
PragmatIC Printingは、印刷技術を用いて、柔軟性を持つ素材上にロジック回路を構築する技術の開発に取り組んでいるプリンテッドエレクトロニクス企業である。同社は2012年11月、その技術を適用した製品用のパイロット製造ラインの稼働を開始したと発表した。2013年には、年間1000万個以上の製品を製造可能だという。(2012/12/4)

プロセス技術:
KLA-Tencor、28nm/20nmプロセス向けの半導体フォトマスク検査装置を発表
28nm世代以降のプロセス技術では、フォトマスク上のナノレベルの欠陥でさえも歩留まりに影響することがある。KLA-Tencorは、28nm世代以降のプロセスのレチクルを監視する検査装置を発表した。(2012/9/11)

プロセス技術 不揮発ロジック:
もうコンセプトだけとは言わせない! 待機電力ゼロの不揮発システムLSIへ前進
東北大学とNECの研究グループは、スピントロニクス回路を採用した待機電力ゼロの不揮発システムLSIの開発を進めてきた。今回、「不揮発、高性能」、「高集積、低電圧動作」、「高信頼性、高耐久性」という技術要件を満たすべく、5つの要素技術を開発した。(2012/6/12)

プロセス技術 3次元積層:
3D積層チップ製造に新局面、先端走るTSMCが「統合型」を提案
TSMCは、3次元積層チップの製造工程のうち、前工程だけでなく後工程も同社が受け持つことを提案している。同社は信頼性向上や製造コスト削減が見込めると説明しているが、ファブレスの半導体ベンダーの選択肢を狭めることになる。(2011/12/21)

プロセス技術 タイミングデバイス:
「MEMSトランジスタ」をCMOSチップ上に作製、フィルタや発振器が集積可能に
CMOS技術で製造する半導体チップ上に、ギガヘルツオーダーの高周波信号源を集積し、タイミング生成機能を組み込めるという。研究チームによれば、これを応用することで、通信チャネル選択用フィルタや発振器などを、その他のCMOS回路とともに1枚のシリコンチップに搭載できるようになる。(2011/12/14)

プロセス技術 IEDM2011:
“ポストシリコン”狙うカーボンデバイス、性能も製造性も着実に向上
現在、半導体材料の圧倒的な主流はシリコンである。しかし、材料特性がシリコンとは大幅に異なる点を利用して新しい機能のデバイスを実現しようとする取り組みも進んでいる。先週ワシントンD.C.で開催された半導体デバイス技術に関する世界最大の国際会議「IEDM 2011」から、最新の研究成果をリポートする。(2011/12/13)

プロセス技術:
「20nmプロセスはダブルパターニングがコスト増要因に」、TSMCのCTOが明かす
TSMCは、20nmプロセスの試験生産を2012年第3四半期から開始する。しかし、同プロセスに採用したダブルパターニングによって、28nmプロセスと比べて製造コストが増える見込みだ。(2011/11/29)

プロセス技術 :
「ソニーの裏面照射型CMOSセンサーにも採用」、酸化膜接合の新技術のインパクトとは!?
米国の研究都市Research Triangle Park発のベンチャー、Ziptronixの独自の酸化膜接合技術を使えば、裏面照射型CMOSセンサーを高画素化できる。半導体の高集積化の手法として注目が集まっている3次元積層技術にも適用できるという。(2011/11/16)

プロセス技術:
GLOBALFOUNDRIES、車載向けに0.18μmのBCDプロセスを発表
GLOBALFOUNDRIESは、車載向けのBCDプロセスを発表した。世界のトップ車載半導体サプライヤーにサービスを提供している実績を持つ同社だが、今回の発表で、「車載半導体市場向けに総合的なプロセスを提供できる」という手応えをさらに感じたようだ。(2011/9/20)

プロセス技術:
さまざまな素材に転写可能なナノワイヤー回路、医療分野などへの応用も期待
Stanford Universityの研究チームが、ナノワイヤー回路をさまざまな素材の表面に転写する技術を開発した。ディスプレイ、電池、生化学センサーなどへの応用が期待される。(2011/8/8)

パワー半導体 プロセス技術:
ICEMOSがMEMS技術を用いたSJ-MOSFETを開発、オムロンの野洲事業所に生産委託
ICEMOS TECHNOLOGYの高耐圧スーパージャンクションMOSFETは、MEMS技術を応用した製造技術により素子の微細化が容易である。今後、素子の微細化を行ってオン抵抗の小さい製品を開発する際には、競合他社品よりもコスト面で有利になるという(2011/8/5)

プロセス技術 フォトギャラリー:
TIが300mmウエハー対応のアナログ半導体ファブを公開、業界で初めて環境配慮認証を取得
アナログ半導体の最大手ベンダーであるTexas Instruments(TI)が、米国のテキサス州リチャードソンに開設した半導体ファブ「RFAB」を報道関係者に公開した。このRFABは、2つの点で半導体業界「初」のファブである。(2011/7/5)

プロセス技術 不揮発ロジック:
目指すは待機電力ゼロの夢のLSI、東北大が磁性素子利用の不揮発ロジックを実証
もはや、従来技術の延長ではこれ以上の消費電力の削減は見込めない。今まさに、半導体チップの基本デバイスの根本的な変革が必要な時期を迎えている。(2011/6/15)

プロセス技術:
「ムーアの法則はまだまだ継続」、Intelが3次元ゲート構造を22nmプロセスから採用
Intelは、「Tri-Gate」と呼ぶ独自の3次元ゲート構造のトランジスタ製造技術を、22nm世代の製造プロセスから採用すると発表した。(2011/5/6)

プロセス技術:
豊橋技科大がシリコン基板にIII-V素子を集積、発光素子の統合が可能に
豊橋技術科学大学の研究者は、Si(シリコン)基板上にGaN(窒化ガリウム)発光素子やその他の光学材料を集積することに成功したと発表した。(2011/3/28)

プロセス技術:
パナソニックが32nmのhigh-kチップを予定通り出荷、Chipworksが報告
パナソニックは2010年9月に、ゲートファースト工法の高誘電率(high-k)金属ゲートを採用した32nm世代のプロセス技術で製造するシステムLSIを2010年10月より出荷すると発表していた。今回、半導体チップや電子機器の解析を手掛けるカナダのChipworksが発表した最新のリポートで、パナソニックが同製品の出荷を予定通り始めていたことが明らかになった。(2011/3/25)

プロセス技術 グラフェン:
「シリコンもグラフェンも超える」、新たな半導体材料をスイスの大学が発表
二硫化モリブデンは、二次元方向に広がる層状の結晶構造を備えているため、結晶構造が3次元のシリコンよりも、膜状に加工しやすい。さらにバンドギャップを備えているためにグラフェンよりも扱いやすい。(2011/2/4)

プロセス技術 THz帯デバイス:
解決の鍵は思わぬところに、室温でのTHz基本波発振を初めて実現
未開拓の周波数領域と呼ばれる「THz帯(100GHz〜10THz)」に関連した研究に大きな進展があった。(2010/9/8)

プロセス技術:
微細化の限界に挑む、Siと新材料の融合で新たな展望も
半導体製品、特にSi(シリコン)材料を使ったトランジスタの歴史を振り返るとき、「微細化」が重要なキーワードであることは間違いない。微細化に伴って、50年あまりの間にトランジスタの処理性能は劇的に高まり、寸法は小さくなった。ところが、2000 年代に入り、状況が変わってきた。(2010/3/2)

プロセス技術 グラフェン:
IBM社、グラフェンFETにバンドギャップを持たせることに成功
炭素原子が平面上に結合したグラフェンはキャリア移動度がSiよりも高く、高性能FETを設計できる可能性がある。しかし、バンドギャップが存在しないために、オン/オフ比が10未満とかなり低かった。(2010/2/1)

プロセス技術:
強誘電体SRAMやスピンMOS FETが開発、新材料や新機構で微細化限界打ち破る(前編)
Si(シリコン)以外の新たな材料や、新たな動作機構を採用することで、先が見えつつある微細化の限界を引き延ばそう、または乗り越えていこうという研究開発が進められている。(2009/12/18)

プロセス技術:
既存の量産製造プロセスでそのまま使える、比誘電率が2.0と低い層間絶縁膜材料
微細化が進展するにつれて、配線間や層間に使う低比誘電率(Low-k)絶縁膜材料の重要度が増している。(2009/12/18)

プロセス技術 印刷エレクトロニクス:
注目集める印刷エレクトロニクス、nano tech 2009が開催
「nano tech 2009」では、トランジスタ、メモリー、電池、液晶パネル、プリンタなど幅広い分野で印刷エレクトロニクスの新技術が披露された。(2009/3/11)



オープンソースのSSL/TLS実装である「OpenSSL」に深刻な脆弱性が見つかった。エンドユーザーが解決できる問題ではないが、利用しているサービスの対応状況の確認や対応後のパスワードの変更など、慎重な姿勢が求められる。便乗するスパムメールにも注意が必要だ。

通信キャリアのMVNOとして月額1000円を切る格安SIMを提供するサービスが増加している。これまで日本ではほとんど存在感がなかったSIMフリーの端末にも、この動きに合わせて注目が高まっている。

ソフトバンク傘下で6月に合併予定のイー・アクセス、ウィルコムを、同じタイミングでヤフーが買収することとなった。これまでのサービスを引き継ぎつつ、Android端末を中心に展開し、自社のサービスとの連携を図っていくようで、「インターネットキャリア」を標榜している。

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