「フラッシュメモリ」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「フラッシュメモリ」に関する情報が集まったページです。

本社事務所も移転へ:
東芝メモリ「岩手新工場」の着工は7月に決定
東芝メモリは2018年5月22日、準備を進めてきた岩手県北上市でのNAND型フラッシュメモリ新製造拠点の建設を2018年7月から着手すると発表した。建屋の完成時期は2019年を予定する。(2018/5/22)

福田昭のストレージ通信(102) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(2):
微細化限界に達したフラッシュをMRAMで置き換え
埋め込みフラッシュメモリが直面する課題は、微細化の限界である。GLOBALFOUNDRIESは、2xnm以下の技術世代に向けた埋め込み不揮発性メモリとして、MRAM(磁気抵抗メモリ)を考えている。(2018/5/15)

車載の信頼性、堅牢性基準をクリアできる?:
PR:NORフラッシュが容量問題を抱える中、NANDフラッシュは車載向けコードストレージとしての道を拓けるか
広く知られる2つのフラッシュメモリ、「NORフラッシュ」と「NANDフラッシュ」。コードを格納するストレージとしてはNORフラッシュが適しているとされることが多いですが、必ずしもそうではありません。NORフラッシュが容量問題を抱える一方で、誤動作の許されない車載アプリケーションのコードストレージに求められる基準を満たすNANDフラッシュも登場しているのです。(2018/4/23)

福田昭のストレージ通信(98)STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(11):
車載用埋め込みフラッシュメモリ技術のまとめ
今回は、本シリーズで、これまで述べてきた車載用埋め込みフラッシュメモリ技術を総括する。(2018/4/13)

トランセンドがフラッシュメモリ製品の保証期間を無期限から5年へ変更、なぜ?
既に店頭にある「無期限保証」と記載された製品については、そのまま無期限保証が適用されます。(2018/4/12)

ルネサス RH850/E2x:
「世界初」で「世界最高性能」、ルネサスから28nm車載マイコン
ルネサスが28nmプロセスを採用したフラッシュメモリ内蔵車載マイコンのサンプル出荷を開始した。28nmプロセス採用のフラッシュメモリ内蔵マイコンのサンプル出荷は「世界初」であり、フラッシュメモリ内蔵車載マイコンの処理性能としても「世界最高」をうたう。(2018/4/10)

福田昭のストレージ通信(97) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(10):
マイコン大手Infineon Technologiesの埋め込みフラッシュメモリ技術
今回は、Infineon Technologiesが開発した埋め込みフラッシュメモリ技術「HS3P(Hot Source Triple Poly)」を取り上げる。HS3Pによるメモリセルトランジスタの動作原理や、どういった分野で実用化されているかを解説する。(2018/4/5)

福田昭のストレージ通信(96) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(9):
マイコン大手ルネサスの埋め込みフラッシュメモリ技術
今回は、ルネサス エレクトロニクスのマイコン用埋め込みフラッシュメモリ技術「SG(Split Gate)-MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)」を解説する。(2018/3/30)

ホワイトペーパー:
「NVMe」など新技術で加速、「ストレージネットワーク高速化技術」のこれまでと今後
フラッシュメモリを搭載した高速に読み書きできるストレージの人気が高まるにつれ、各種ストレージネットワーク技術の高速化も進みつつある。本稿では各種ストレージネットワーク技術のこれまでの道のりと今後の開発予定について解説する。(2018/3/30)

処理性能は最高9600MIPS:
ルネサス、28nmフラッシュ内蔵マイコンを出荷
ルネサス エレクトロニクスは、28nmプロセス技術を用いたフラッシュメモリ内蔵の車載制御マイコンを開発し、サンプル出荷を始めた。次世代エコカーや自動運転車などに向ける。(2018/3/28)

車載半導体:
「世界初」で「世界最高性能」、ルネサスが28nm車載マイコンをサンプル出荷
ルネサス エレクトロニクスは、28nmプロセスを採用したフラッシュメモリ内蔵車載マイコン「RH850/E2xシリーズ」のサンプル出荷を開始した。28nmプロセス採用のフラッシュメモリ内蔵マイコンのサンプル出荷は「世界初」(ルネサス)、フラッシュメモリ内蔵車載マイコンの処理性能としても「世界最高」(同社)だという。(2018/3/28)

福田昭のストレージ通信(95) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(8):
埋め込みフラッシュIP大手ベンダーSSTのメモリ技術
今回は、SST(Silicon Storage Technology)が開発した埋め込みフラッシュメモリ技術を紹介する。同社は「SuperFlash(スーパーフラッシュ)」と呼んでいるが、その最大の特徴はスプリットゲート方式にある。(2018/3/27)

福田昭のストレージ通信(94) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(7):
STMicroelectronicsの埋め込みフラッシュメモリ技術(後編)
今回は、STMicroelectronicsの1トランジスタのNORフラッシュ(1T NOR eFlash)技術の製造プロセスと、フラッシュ内蔵車載用マイコンの開発史について紹介する。(2018/3/22)

福田昭のストレージ通信(93) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(6):
STMicroelectronicsの埋め込みフラッシュメモリ技術(前編)
今回は、開発各社の埋め込みフラッシュメモリ技術を前後編にわたって紹介する。前編では、STMicroelectronicsが製品化している、1トランジスタのNORフラッシュ(1T NOR eFlash)技術を取り上げる。(2018/3/19)

福田昭のストレージ通信(92) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(5):
車載用の埋め込みフラッシュメモリ技術
今回は、大容量、具体的には車載用の埋め込み不揮発性メモリ技術を取り上げる。車載用の不揮発性メモリ技術は、1トランジスタのNORフラッシュ(1T NOR Flash)技術と、スプリットゲートフラッシュ技術に大別される。(2018/3/13)

福田昭のストレージ通信(89) STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ(2):
不揮発性メモリ(単体)の栄枯盛衰と埋め込み用途への展開
今回は、単体の不揮発性メモリ製品(スタンドアロンの不揮発性メモリ製品)について考察し、車載マイコンの埋め込み用メモリとしてNORフラッシュメモリ技術が使われている理由や、単体メモリと埋め込み用メモリの違いに触れる。(2018/3/2)

2018年末完了を予定:
東芝、四日市新製造棟の一部クリーンルーム化投資を決定
東芝は2018年2月20日、NAND型フラッシュメモリの生産拠点である四日市工場で建設中の第6製造棟における一部のクリーンルーム化工事と関連する設備投資(総額270億円)を計画通り実施し、2018年末に完了させると発表した。(2018/2/20)

各ベンダーは処理負荷を軽減する施策を実装
フラッシュメモリの寿命を縮める「P/Eサイクル」増加問題 対処法はあるのか?
データの書き込みや消去といった単純な処理でさえも、NAND型フラッシュメモリの消耗を加速させる一因になる。だが対策はある。(2018/2/2)

福田昭のデバイス通信(133) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(9):
技術講演の最終日午前(その2)、ついに1Tビットに到達した3D NANDフラッシュ
「ISSCC 2018」最終日午前の講演から、セッション19と20を紹介する。シリコン面積が0.00021平方mmと極めて小さな温度センサーや、3D(3次元) NANDフラッシュメモリの大容量化および高密度化についての論文が発表される。(2018/1/23)

熱気に包まれるストレージ業界
「NVMe-oF」と「SCM」が出会うとき、ストレージ業界に破壊的革新が起こる
この5年間でNANDフラッシュメモリはストレージ分野に変革をもたらした。同じように、「NVMe over Fabrics」(NVMe-oF)と「ストレージクラスメモリ」(SCM)は、従来のストレージ分野を一変させる可能性がある。(2018/1/23)

値下げ圧力も:
半導体ブーム終焉か メモリ価格下落で市場は戦々恐々
足元で一部のフラッシュメモリ価格が突然下落。メモリ好況が少なくともあと1年は続くと見込んでいた投資家を不安に陥れている。(2018/1/19)

フラッシュストレージ選定の前にチェック
「NOR型」と「NAND型」の違いとは? フラッシュメモリの2大選択肢を比較
NOR型とNAND型のフラッシュメモリは、それぞれ適する用途が異なる。フラッシュストレージの導入を検討している企業は、選定前に両者の違いを知っておく必要がある。(2018/1/16)

東芝:
東芝、岩手新NAND工場の立ち上げへ先行投資
東芝と東芝メモリは2017年12月21日、岩手県北上市で建設準備を進めている新たなNAND型フラッシュメモリ製造拠点の立ち上げに向け、2017年度中に一部投資を開始すると発表した。(2018/1/10)

東芝メモリSSDフォーラム2017:
PR:TSV、NVMe-oF、MariaDBチューニング――東芝メモリの技術力が起こすフラッシュメモリによる革新
2017年11月30日、都内で東芝メモリの主催イベント「東芝メモリSSDフォーラム2017」が初めて開催された。イベントは2部構成になっており、第二部講演では「一挙公開 デジタル変革を支えるフラッシュ&SSDテクノロジー」と題し、東芝メモリのエンジニアらが、東芝メモリのフラッシュメモリ/SSDの詳しい技術解説やデモを行った。(2018/1/10)

東芝メモリSSDフォーラム2017:
PR:フラッシュメモリ/SSDは個人と企業の日常をどう変革し、そして、東芝メモリはどう貢献できるのか?
2017年11月30日、都内で東芝メモリの主催イベント「東芝メモリSSDフォーラム2017」が初めて開催された。東芝メモリは最先端のフラッシュメモリ/SSD開発を通じ、どのように“より良い日常”への変革に貢献できるかという点において最新の研究開発や新しい生産体制、今後の展望を披露。“新生”東芝メモリのこれからの飛躍を強く印象付けた。同時に、フラッシュメモリ/SSDについてIDC、Dell EMC、日本マイクロソフトからも講演があったので、併せてその模様をお届けする。(2018/1/10)

東芝:
東芝とWDが和解、協業強化へ
東芝とWestern Digital(ウエスタンデジタル/以下、WD)は2017年12月13日、NAND型フラッシュメモリ事業を手掛ける東芝の子会社東芝メモリの売却を巡る係争に関して和解に至り、両社の協業を強化していくことで合意したと発表した。(2017/12/26)

基本構造と価格、安定性、利用シーンを紹介
NANDフラッシュメモリ基礎編:SLC、MLC、TLC NANDは何が違うのか
NANDは最も一般的な種類のフラッシュだ。だが、さまざまな種類があり、それぞれ役立つ目的が異なる。NANDフラッシュメモリの基礎について、本稿を参考にしてほしい。(2017/12/25)

2017年度中に70億円:
東芝、岩手新NAND工場の立ち上げへ先行投資を決定
東芝と東芝メモリは2017年12月21日、岩手県北上市で建設準備を進めている新たなNAND型フラッシュメモリ製造拠点の立ち上げに向け、2017年度中に一部投資を開始すると発表した。(2017/12/21)

売却へ前進:
東芝とWestern Digitalが和解、協業強化へ
東芝とWestern Digital(ウエスタンデジタル/以下、WD)は2017年12月13日、NAND型フラッシュメモリ事業を手掛ける東芝の子会社東芝メモリの売却を巡る係争に関して和解に至り、両社の協業を強化していくことで合意したと発表した。(2017/12/13)

16/14nm世代MCU 2023年に実用化へ:
ルネサス 100MBのフラッシュマイコン実現にメド
ルネサス エレクトロニクスは2017年12月6日、16nm/14nmプロセス世代以降のフラッシュメモリ内蔵マイコンの実現に向けて、フィン構造の混載フラッシュメモリの大規模動作に成功したと発表した。これにより、次世代マイコンにおいて、100Mバイト超の大容量フラッシュメモリの内蔵化に向けたメドを得ることができたという。(2017/12/6)

マイコン講座 データシートの読み方編(3):
データシートの勝手な解釈は禁物! いま一度、数字の意味を考えよう
データシートの読み方編の最終回となる今回は、マイコン製品のデータシートのうち、「フラッシュメモリ特性」「ラッチアップ、EMS、EMI、ESD」「汎用I/O」「リセット回路特性」「通信機能特性(SPI)」「A-Dコンバーター特性」の項目について解説していく。(2017/11/29)

フラッシュメモリの容量問題を解決:
PR:進化したスタック・ダイ技術 ―― ピン数やフットプリント、システムの複雑性の問題をどう解決したのか?
近年、フラッシュメモリは単一パッケージ内にメモリダイをスタックし、小さなフットプリントでメモリ容量を増やしています。本記事では、複数のフラッシュメモリICを1つのスタック・ダイ・パッケージに置き換えた場合の影響を概説し、ウィンボンドが開発したスタック・ダイの新技術が、他のソリューションと比べていかに高性能で、なおかつピン数および、フットプリントの削減を実現したかという点について説明します。(2017/11/21)

製品分解で探るアジアの新トレンド(22):
中国勢が目指すマイコン市場、その新たなるルート
AppleやSamsung Electronicsなど、大手メーカーの製品に、中国メーカーのシリアルフラッシュメモリやARMマイコンが搭載され始めている。こうした傾向から、中国メーカーが開拓しつつある、マイコン市場への新たなルートが見えてくる――。(2017/11/13)

設備納期見越して前倒し:
東芝、17年度メモリ投資を2000億円上乗せ
東芝は2017年11月9日、NAND型フラッシュメモリの増産などを目的に、2017年度における半導体ストレージ事業の設備投資額(発注ベース)を4000億円から6000億円に引き上げると発表した。(2017/11/9)

機能安全規格対応の最新メモリ製品も紹介:
PR:車の機能安全規格を満たすため、フラッシュメモリに求められる要件とは?
自動車での利用が広がっているフラッシュメモリは、機能安全規格「ISO26262」を満たす必要性が高まっています。機能安全規格を満たすために必要な機能、要件とはどのようなものかを紹介しながら、機能安全規格を満たす最新フラッシュメモリを紹介していきます。(2017/11/6)

セキュリティの落とし穴:
PR:「外付けフラッシュメモリ」は組み込み認証で守る
フラッシュメモリは、セキュリティ上の脆弱性により、IPの盗難による商業的損害や、悪質なリバースエンジニアリングによる模造品の製造などの危機にさらされています。そこで、フラッシュメモリを正当なホストコントローラとユニークかつ、安全にペア接続させる方法について概説します。(2017/9/27)

特選プレミアムコンテンツガイド
「NVMe」など新技術で加速、「ストレージネットワーク高速化技術」のこれまでと今後
フラッシュメモリを搭載した高速に読み書きできるストレージの人気が高まり、各種ストレージネットワークも高速化している。各種ストレージネットワーク技術のこれまでの道のりと今後の開発予定について解説する。(2017/9/15)

2018年着工予定:
東芝、岩手県北上市にメモリ新工場建設へ
東芝は2017年9月6日、NAND型フラッシュメモリの新製造拠点を岩手県北上市に建設する予定であると発表した。(2017/9/6)

フラッシュメモリの価格低下か:
17年半導体設備投資、過去最高も過剰投資の懸念
 市場調査会社のIC Insightsは2017年8月31日(米国時間)、2017年における半導体設備投資が過去最高の809億米ドルを記録すると予測した。同時に、過度の投資がフラッシュメモリの供給過剰を招き、それに伴いフラッシュメモリ価格の低下が起きるとの懸念も示している。(2017/9/5)

需要と供給のバランスが取れず:
メモリ価格の高騰はしばらく続く
DRAMとNAND型フラッシュメモリは価格は上昇していて、この傾向は今後もしばらく続くという。(2017/9/1)

メモリの強い需要を受け:
Samsung、中国の製造施設に70億ドルを投資へ
Samsung Electronicsが、中国に保有する製造施設に70億米ドルを投資する計画だ。NAND型フラッシュメモリの需要が強いことから、製造能力を増強する。(2017/8/31)

主要ベンダーと製品も紹介
いまさら聞けない次世代メモリ技術「3D XPoint」とは
IntelとMicron Technologyが共同開発した次世代メモリ/ストレージ技術「3D XPoint」。両社によれば、DRAMとNANDフラッシュメモリの間を埋める新しい技術になるという。(2017/8/24)

Flash Memory Summit 2017:
NANDフラッシュ、開発の視点はチップからソフトへ
米国シリコンバレーで開催された「Flash Memory Summit 2017」では、3D(3次元) NANDフラッシュメモリや、フラッシュストレージ向けの新しいソフトウェアなどに注目が集まった。(2017/8/16)

17年内にもテストチップ:
MIFS、SSTのフラッシュ採用40nm車載半導体提供へ
三重富士通セミコンダクター(MIFS)は2017年8月7日、2017年10〜12月に半導体受託製造事業の顧客に対しSilicon Storage Technology(SST)のフラッシュメモリ技術「SuperFlashメモリ技術」を用いた40nmプロセス車載プラットフォームによるテストチップの提供が可能になると発表した。(2017/8/7)

メモリ新製造の設備費用含め:
WD、東芝とのメモリ合弁事業に投資継続の意思を強調
Western Digital(ウエスタンデジタル/WD)は2017年8月2日(米国時間)、東芝とのNAND型フラッシュメモリの合弁事業に対し、今後も投資を行うとの声明を発表した。この発表の直前に東芝は、東芝メモリのメモリ新製造棟(四日市工場)への投資について協議中だったSanDisk(サンディスク:WDの子会社)と合意に至らなかったため、東芝メモリ単体で投資を続行すると発表していた。(2017/8/3)

ウエスタンデジタルが「64層3D NAND」SSDを国内展開 「WD」「SanDisk」ブランドで8月下旬出荷開始
ウエスタンデジタル(WD)が、「64層3D NANDフラッシュメモリ」を採用する省電力性と耐久性に優れたSSDを国内展開する。より広いユーザーに訴求すべく、同一仕様の製品を「WD」「SanDisk」両ブランドで展開する。(2017/8/2)

記憶容量は従来比50%増:
WDが4ビット/セルの64層3D NANDを開発
Western Digital(WD:ウエスタンデジタル)は、64層構造の3D NAND型フラッシュメモリ「BiCS3」向けに、1セル当たり4ビットの多値化技術を開発した。記憶容量は、現行の3ビット/セルの512Gビットに比べて50%増となる768Gビットを実現できるとする。(2017/7/27)

製品選定前に読んでおきたい基礎技術 NVMe編
脱SAS&SATAへ、フラッシュ業界期待の通信規格「NVMe」の魅力と普及の壁
「NVMe」はPCIeを利用した新しい通信規格だ。NANDフラッシュメモリなど並列処理が得意なデバイスを利用する場合は、サーバ/NANDフラッシュメモリ間をNVMeで通信することで、フラッシュデバイスの応答速度を最大限に引き出す。(2017/7/24)

2017年中にサンプル出荷開始:
東芝、TSVを採用した1Tバイトの3D NANDを試作
東芝メモリが、複数の半導体チップを1つのパッケージ内で積層する「TSV(Through Silicon Via)」を活用し、総容量1Tバイトの3次元フラッシュメモリのプロトタイプを開発した。(2017/7/18)

WDの対抗措置実るか?:
米州裁、東芝によるWDへの情報遮断を一時禁止
東芝はWestern Digital(ウエスタンデジタル/WD)に対し、フラッシュメモリ合弁事業の共有データベースへのアクセス遮断措置を講じていた。だが、カリフォルニア州上級裁判所は2017年7月11日(米国時間)、その措置を暫定的に禁止する命令を出した。これを受け、WDと東芝の双方が声明を発表した。(2017/7/12)



ビットコインの大暴騰、「億り人」と呼ばれる仮想通貨長者の誕生、マウントゴックス以来の大事件となったNEM流出など、派手な話題に事欠かない。世界各国政府も対応に手を焼いているようだが、中には政府が公式に仮想通貨を発行する動きも出てきており、国家と通貨の関係性にも大きな変化が起こりつつある。

Amazonが先鞭をつけたAIスピーカープラットフォーム。スマホのアプリが巨大な市場を成したように、スマートスピーカー向けのスキル/アプリ、関連機器についても、大きな市場が生まれる可能性がある。ガジェットフリークのものと思われがちだが、画面とにらめっこが必要なスマホよりも優しいUIであり、子どもやシニアにもなじみやすいようだ。

「若者のテレビ離れが進んでいる」と言われるが、子どもが将来なりたい職業としてYouTuberがランクインする時代になった。Twitter上でのトレンドトピックがテレビから大きな影響を受けていることからも、マスメディア代表としてのテレビの地位はまだまだ盤石に感じるが、テレビよりもYouTubeを好む今の子ども達が大きくなっていくにつけ、少なくとも誰もが同じ情報に触れることは少なくなっていくのだろう。

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