「MOSFET」最新記事一覧

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

しきい値電圧変動を大幅に低減:
GaN-MOSFET向けゲート絶縁膜プロセス、東芝が開発
東芝は、GaNパワーデバイス向けにゲート絶縁膜プロセス技術を開発したと発表した。「IEDM 2017」で発表したもの。しきい値電圧の変動を極限まで低減するという。(2017/12/12)

福田昭のデバイス通信(120) 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー(4):
IEDM 2017の講演2日目(12月5日)午前(その2):ソニーの虹彩認識用イメージセンサー
2017年12月5日午前のセッションから注目講演を紹介する。ソニーは、スマートフォン向けを想定した、シリコンの赤外線イメージセンサーについて発表する。その他、III-V族ナノスケールMOSFETや、バイオセンサー、化学センサーなどの講演を取り上げる。(2017/11/17)

リテルヒューズ LSIC1MO120E0080シリーズ:
高速スイッチングを達成、定格1200VのSiC MOSFET
リテルヒューズは、定格電圧1200VのSiC MOSFET「LSIC1MO120E0080」シリーズを発売した。定格電流は25Aで、通常オン抵抗は80mΩ、最大150℃の温度で動作する。(2017/11/2)

Nexperia LFPAK56D:
車載規格AEC-Q101準拠の80VデュアルパワーMOSFET
Nexperiaは、LFPAK56D(デュアルパワーSO8)パッケージを採用した、車載向け80VデュアルパワーMOSFETの新製品を発表した。車載規格AEC-Q101に準拠し、エンジンマネジメントやトランスミッション制御、ABS(Antilock Brake System)などに向く。(2017/10/11)

インターシル ISL8215M:
42VシングルチャンネルDC-DC降圧電源モジュール
インターシルは、最大15Aの連続電流を可能にした、シングルチャンネルDC-DC降圧電源モジュール「ISL8215M」を発表した。コントローラ、MOSFET、インダクタ、受動部品を集積し、7〜42Vのシングル入力電圧範囲で動作する。(2017/9/29)

独自のソース領域構造で:
三菱電機が新型SiC-MOSFET、信頼性と省エネ両立
三菱電機は、電力損失を最小レベルに抑えたSiC(炭化ケイ素)パワー半導体素子を開発した。2020年度以降の実用化を目指す。(2017/9/25)

チャネル領域の抵抗を約4割減:
東芝、SiC-MOSFETの抵抗を下げる新プロセス開発
東芝は2017年9月19日、SiC-MOSFETのチャネル領域の抵抗を約40%低減する新しいプロセス技術を開発したと発表した。(2017/9/20)

インフィニオン CoolMOS P7:
SJ構造のパワーMOSFETにSOT-223パッケージを追加
インフィニオンテクノロジーズは、スーパージャンクション(SJ)構造を採用したパワーMOSFET「CoolMOS P7」シリーズに、SOT-223パッケージを追加した。基板上のDPAKの設置形状と互換性があるため、DPAKをそのまま置き換えることができる。(2017/9/11)

電子ブックレット(EDN):
MOSFETの実効容量値を簡単に求める術
EDN Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、最新のMOSFETの評価に有効な実効容量値を、より簡単に求める方法を説明する。(2017/8/28)

ADI LTC7003:
最大60VのハイサイドNチャネルMOSFETドライバ
アナログ・デバイセズ(ADI)は、最大60Vの電源電圧で動作する、高速ハイサイドNチャネルMOSFETドライバ「LTC7003」を発売した。内蔵のチャージポンプにより、100%のデューティサイクルを可能にした。(2017/8/22)

電気抵抗は半分以下に:
富士電機、トレンチゲート構造のSiC-MOSFET
富士電機は、トレンチゲート構造の「SiC-MOSFET」を開発した。プレーナーゲート構造を用いた素子に比べて、電気抵抗は5割以上も小さくなる。(2017/7/10)

アナログ・デバイセズ LTC7000/LTC7000-1:
最大150VのハイサイドNチャネルMOSFETドライバ
アナログ・デバイセズは、100%のデューティサイクルを可能にした、保護機能付き高速ハイサイドNチャネルMOSFETドライバ「LTC7000」と「LTC7000-1」を発売した。最大150Vの電源電圧で動作する。(2017/6/22)

STマイクロ MDmesh DK5シリーズ:
高速リカバリーダイオード内蔵のパワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスは、高速リカバリーダイオードを内蔵したスーパージャンクション型パワーMOSFET「MDmesh DK5」シリーズを発表した。さまざまな電力変換トポロジーの効率を最大化する。(2017/6/15)

オン・セミコンダクター FAN6248:
LLC電源向け同期式レクティファイア制御IC
オン・セミコンダクターはLLC方式の電源トポロジー向けに、同期式レクティファイア(SR)コントローラー「FAN6248」を発表した。2つのSR MOSFETにより、外付け部品を最小限に抑え、LLC電源の設計を簡素化する。(2017/5/29)

STM STLD200N4F6AGなど:
5×6mm両面放熱PKGに封止した車載パワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスが、車載用モータ制御アプリケーション、バッテリー逆接続防止、高性能電源スイッチングに適した40V耐圧パワーMOSFET「STLD200N4F6AG」と「STLD125N4F6AG」を発表した。STLD200N4F6AGとSTLD125N4F6AGは、車載用電子制御ユニット(ECU)の電力密度を高める両面放熱パッケージに封止されている。(2017/5/25)

PCIM 2017:
SiCだけではない、パワー製品群の展示に注力 ローム
ロームは、パワー半導体の展示会「PCIM Europe 2017」(2017年5月16〜18日、ドイツ・ニュルンベルク)にて、Si-IGBTやSiC-MOSFET向けゲートドライバーICなどを展示した。(2017/5/22)

PCIM Europe 2017:
Infineon、フルSiCモジュールを2018年に量産へ
Infineon Technologiesは、ドイツ・ニュルンベルクで開催中のパワー半導体の展示会「PCIM Europe 2017」(2017年5月16〜18日)で、耐圧1200VのSiC-MOSFETと、それを搭載したフルSiCモジュールの量産について発表した。SiCだけでなくGaNでも新製品を発表している。(2017/5/18)

インフィニオン 600V CoolMOS P7/C7 Gold:
小電力から大電力まで対応する高耐圧MOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、600Vのブレークダウン電圧で動作する高耐圧MOSFET「600V CoolMOS P7」「600V CoolMOS C7 Gold」を発表した。サーバや通信、太陽光発電、充電器などの用途で電力密度を高めることができる。(2017/4/20)

インフィニオン IR3883:
部品点数を5点削減できるMOSFETレギュレーター
インフィニオンテクノロジーズは、高密度アプリケーション向けに高集積型MOSFET DC-DCレギュレーター「IR3883」を発表した。強力な安定化エンジンを採用し、補償回路がなくてもセラミックコンデンサーによる安定動作を可能にした。(2017/3/22)

電子ブックレット:
“後発・ローム”がパワーデバイスで成長できる理由
EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、“後発ながら”パワーMOSFETやIGBTなどのパワーデバイス分野で売り上げ規模を拡大させているロームに、その理由を聞いた記事を紹介します。(2017/3/5)

電力損失を約21%低減へ:
三菱電機がSiC-SBDを発売、ディスクリート品は初
三菱電機は、SiC(炭化ケイ素)を用いたパワー半導体の新製品「SiC-SBD」を2017年3月1日に発売した。同社はこれまでSiC-SBDやSiC-MOSFETを搭載したパワー半導体モジュールを2010年から製品化してきたが、ディスクリート品の提供は初となる。(2017/3/3)

インフィニオン 700V CoolMOS P7ファミリー:
Rフライバック方式に対応した耐圧700VのMOSFET
インフィニオンテクノロジーズは2017年1月、疑似共振(QR)フライバック方式に対応する、耐圧700VのパワーMOSFET「700V CoolMOS P7」ファミリーを発表した。(2017/2/8)

東芝 TPH6R30ANL/TPH4R10ANL:
4.5Vロジックレベル駆動に対応したパワーMOSFET
東芝ストレージ&デバイスソリューションは2017年1月、100V耐圧で4.5Vのロジックレベル駆動に対応したNチャンネルパワーMOSFET「TPH6R30ANL」「TPH4R10ANL」を発表した。高速充電器やスイッチング電源、通信インフラ用のDC-DCコンバーターに活用できる。(2017/1/27)

耐圧800V、高効率電源向け:
オン抵抗を大幅低減、東芝のSJ−MOSFET
東芝は、「DTMOS IV」シリーズとして、耐圧800Vのスーパージャンクション(SJ)構造nチャネルパワーMOSFET製品を発表した。新たに出荷を始めるのは8製品で、低オン抵抗と高速スイッチング特性を実現している。(2017/1/23)

福田昭のデバイス通信(98) 高性能コンピューティングの相互接続技術(3):
NVIDIAがMOSFETの比例縮小則(デナード則)を解説(後編)
後編では、修正版のデナード・スケーリングを解説する。修正版のデナード・スケーリングでは、微細化によってMOSFETの密度は2倍に増えるものの、動作速度は高くならず、消費電力は1.4倍となる。そのため、消費電力を増やさないためには、MOSFETの密度を2倍ではなく、1.4倍にとどめる必要があるのだ。(2017/1/17)

福田昭のデバイス通信(97) 高性能コンピューティングの相互接続技術(2):
NVIDIAがMOSFETの比例縮小則(デナード則)を解説(前編)
1970年代から1990年代にかけて、半導体集積回路は「デナード・スケーリング」という法則に沿って高密度化と高速化を達成してきた。今回は、デナード・スケーリングの内容と、なぜ1990年代以降は、この法則に沿って微細化を進めることが困難になったのかを説明する。(2017/1/13)

インフィニオン OptiMOS 5 150V品:
オン抵抗と逆回復電荷を低減する150V品ファミリー
インフィニオンテクノロジーズは2016年10月、パワーMOSFETとして、高効率な設計を対象とした「OptiMOS 5」150V品ファミリーを発表した。特別な最適化が施されており、オン抵抗と逆回復電荷を低減する。(2016/11/18)

福田昭のデバイス通信(92):
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術(Applied Materials編)
Applied Materialsの講演では、MOSFETの微細化ロードマップと、微細化の手法および課題が解説された。7nm世代のFinFETでは、フィンを狭く、高くするとともにコンタクト用の金属材料を変える必要が出てくる。FinFETの限界が見え始める5nm世代では、微細化の手法として主に2つの選択肢がある。(2016/10/7)

車載用途に最適:
ローム、AEC-Q101に準拠した「業界最小」MOSFET
ロームは2016年9月、電装化が進む車載アプリケーションに向けて、AEC-Q101に準拠した「業界最小」クラスとなる3.3×3.3mmサイズのMOSFET「AG009DGQ3」を開発したと発表した。(2016/9/20)

SiCはシリコンデバイス採用のトリガー:
“後発・ローム”がパワーデバイスで成長できる理由
ロームはパワーMOSFETやIGBTなどのパワーデバイス分野で売り上げ規模を拡大させている。パワーデバイス市場では、後発のローム。なぜ、後発ながら、自動車や産業機器などの領域でビジネスを獲得できているのか。ローム役員に聞いた。(2016/9/15)

SJ-MOSFETなど最新FETを適切に評価しよう:
MOSFETの実効容量値を簡単に求める術
MOSFETのデータシートには、1つの測定電圧での出力静電容量値が記載されています。この値は、従来のプレーナ型MOSFETには有効でしたが、スーパージャンクションなど複雑な構造を用いる最新のMOSFETの評価には適していません。本稿では、最新のMOSFETの評価に有効な実効容量値を、より簡単に求める方法を探っていきます。(2016/9/7)

「究極のパワーデバイス実現へ」:
反転層型ダイヤモンドMOSFETの動作実証に成功
金沢大学理工研究域電子情報学系の松本翼助氏、徳田規夫氏らの研究グループは、「世界初」となるダイヤモンド半導体を用いた反転層チャンネルMOSFETを作製し、動作実証に成功したと発表した。(2016/8/24)

省エネ機器:
超省エネ社会に貢献、「ダイヤモンド」パワーデバイスの実用へ前進
さまざな機器の省エネを実現するとして、高性能化に期待が掛かるパワーデバイス。実用化はまだ先とみられているが、「究極のパワーデバイス材料」として注目されているのがダイヤモンドだ。金沢大学などの共同研究グループは。こうしたダイヤモンド半導体を用いたパワーデバイスの実用化で課題となっていた反転層チャネルMOSFETの作製に成功した。(2016/8/24)

サンケン電気 執行役員兼技術本部副本部長 中道秀機氏:
PR:自動車、産業、Power IoT―― パワエレ総合力を結集し成長市場に挑む
サンケン電気は、IGBT、MOSFETといったパワー半導体素子から、電源ユニットやUPS、パワコンなどの大型機器までを扱う総合パワーエレクトロニクスメーカーとして、自動車をはじめとした成長市場でエコ/省エネを実現する技術、製品の提供を行っている。さらには、間もなく迎えようとしているIoT(モノのインターネット)時代の新たな電源のカタチとして“Power IoT”を提唱。「素子だけでなく、モジュール、システムレベルでの提案が行えるサンケン電気ならではの強みを生かして、Power IoTなどの新しい価値提供を行っていく」という同社執行役員で技術本部副本部長を務める中道秀機氏に、技術/製品開発戦略を聞いた。(2016/8/22)

エアコンの通年エネルギー消費効率向上へ:
三菱電機、SiC-MOSFET搭載の新型IPM
三菱電機は、インバーター駆動用パワー半導体モジュールの新製品として、新開発のSiC(炭化ケイ素)-MOSFETを搭載したインバーター駆動用パワー半導体モジュール「超小型フルSiC DIPIPM」(PSF15S92F6)を発売した。(2016/8/19)

STマイクロ TO-220FP wide creepage製品:
優れたアーク放電耐性を持つ1500V耐圧のMOSFET
STマイクロエレクトロニクスは、「TO-220 FullPAK(TO-220FP)wide creepage」パッケージを採用したパワーMOSFET製品を発表した。テレビやPCの電源アダプター用途に適したパッケージで、耐圧1500V品なども含まれる。(2016/8/10)

オン・セミコンダクター STK984-190-E:
30A/40V MOSFETを搭載した車載用パワーモジュール
オン・セミコンダクターは、次世代の車載BLDCシステム向けに、車載用パワーモジュール「STK984-190-E」を発表した。3相ブリッジとして配列された6個の40V/30A MOSFETと40V/30Aハイサイド・リバース・バッテリー保護MOSFETを集積した。(2016/8/5)

STマイクロ VIPER01:
超低消費電力のAC-DCコンバーター、IoT機器にも
STマイクロエレクトロニクスは2016年7月、スマートホームや産業機器の電源向けに、高電圧AC-DCコンバーター「VIPER01」を発表した。800Vアバランシェ耐圧のパワーMOSFET、パルス幅変調(PWM)電流モードのコントローラー、各種保護機能を搭載しているという。(2016/8/1)

Bellnix RxxP22005D/RKZ-xx2005D:
+20/−5V出力のSiC MOSFET用絶縁型DC-DCコンバーター
ベルニクスは、SiC MOSFET用として+20/−5V出力の絶縁型DC-DCコンバーター「RxxP22005D」「RKZ-xx2005D」シリーズの販売を開始した。(2016/6/17)

ベルニクス RxxP22005D/RKZ-xx2005D:
+20/−5VのSiC MOSFET用DC-DCコンバーター
ベルニクスは2016年5月、SiC MOSFETを効率良くスイッチできる絶縁型DC-DCコンバーター「RxxP22005D」「RKZ-xx2005D」シリーズを発売した。(2016/6/6)

GaNにはGaNの設計を:
GaNに対する疑念を晴らす
新しいMOSFET技術が登場すると、ユーザーは新しいデバイスを接続してどの程度効率が改善されたかを測定します。多くの人が既存の設計のMOSFETをGaNに置き換える際にもこれと同じ方法を使ってしまい、性能の測定結果に失望してきました。GaNの本当の利点を引き出すには、通常、システム設計を変更しなければなりません。GaNを既存のMOSFET技術に対する完全な互換品(ドロップイン置換品)と見なすのではなく、さらなる高密度・高効率設計を実現する手段と捉えるべきです。(2016/5/27)

電源メーカーにとって:
SiCは好機会でも、GaNはまだ不透明――RECOM
RECOM Powerは「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ドイツ・ニュルンベルク)で、SiC-MOSFET専用の2WのDC-DCコンバーターなど同社の製品群を展示した。これまで同社は低電力・中電力のDC-DCコンバーターやAC-DCコンバーターを中核としてきたが、今後は500Wなど高電力市場も視野に入れる。(2016/5/23)

ビシェイ・インターテクノロジー SiHxxxN65EF:
ファーストボディーダイオード内蔵の650V NチャネルパワーMOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、産業、テレコム、再生可能エネルギー向けに、ファーストボディーダイオード内蔵の650V NチャネルパワーMOSFETの新製品「SiHX21N65EF」「SiHX28N65EF」「SiHG33N65EF」を発表した。(2016/5/23)

ローム SCT2H12NZ:
高電圧動作の産業機器に最適な1700V耐圧SiC-MOSFET
ロームは高電圧で動作する産業機器向けに、1700V耐圧のSiC-MOSFET「SCT2H12NZ」を開発。オン抵抗は1.15Ωで、産業機器の補機電源として使用される1500V耐圧のSi-MOSFETに比べて8分の1に低減した。(2016/5/23)

リニアテクノロジー DC2465:
熱設計を簡素化する低損失ダイオードブリッジ整流器
リニアテクノロジーは、低損失3相理想ダイオードブリッジ整流器「DC2465」を発売した。ダイオードの置き換えにより、6個の低損失NチャンネルMOSFETを駆動する。(2016/5/19)

ビシェイ SiHX21N65EF 他2種:
高電力のスイッチモード電源用650V パワーMOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、産業、テレコム、再生可能エネルギー向けに、ファーストボディーダイオード内蔵の650V NチャネルパワーMOSFET3種を発表した。(2016/5/13)

Design Ideas パワー関連と電源:
疑似共振型コンバーターをCMOS ICで制御する
今回は、取り扱いが簡単なCMOS ICを使ってMOSFETを制御するコンバーター回路を紹介する。(2016/5/12)

PCIM Europe 2016:
フルSiCは時期尚早? コスト面での不利さ拭えず
パワー半導体の展示会「PCIM Europe 2016」で、耐圧650VのSiC SBD(ショットキーバリアダイオード)や同1200VのSiC MOSFETなどを紹介したToshiba Electronics Europe。SiCのSBDとMOSFETを組み合わせた“フルSiC”のパワーモジュールは登場しているが、コストの壁は大きいと同社は述べる。(2016/5/11)

PCIM Europe 2016:
インフィニオン初のSiC MOSFETを披露、量産は2017年
Infineon Technologiesは、ドイツで開催中のパワー半導体の展示会「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日、ニュルンベルク)で、耐圧1200VのSiC MOSFETなどを展示した。(2016/5/11)

ローム SCT2H12NZ:
1700V耐圧SiC-MOSFET、オン抵抗1.15Ωを達成
ロームは、産業機器向けに1700V耐圧のSiC-MOSFET「SCT2H12NZ」を開発した。産業機器で使用される1500V耐圧のSi-MOSFETに比べ、8分の1となるオン抵抗1.15Ωを可能にした。(2016/5/11)



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意欲的なメディアミックスプロジェクトとしてスタートしたものの、先行したスマホゲームはあえなくクローズ。しかしその後に放映されたTVアニメが大ヒットとなり、多くのフレンズ(ファン)が生まれた。動物園の賑わい、サーバルキャットの写真集完売、主題歌ユニットのミュージックステーション出演など、アニメ最終回後もその影響は続いている。

ITを活用したビジネスの革新、という意味ではこれまでも多くのバズワードが生まれているが、デジタルトランスフォーメーションについては競争の観点で語られることも多い。よくAmazonやUberが例として挙げられるが、自社の競合がこれまでとは異なるIT企業となり、ビジネスモデルレベルで革新的なサービスとの競争を余儀なくされる。つまり「IT活用の度合いが競争優位を左右する」という今や当たり前の事実を、より強調して表現した言葉と言えるだろう。

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