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「MRAM」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「MRAM」に関する情報が集まったページです。

BiSbをSOT-MRAMに応用:
トポロジカル絶縁体で高性能純スピン注入源開発
東京工業大学は、トポロジカル絶縁体であるBiSb(ビスマスアンチモン)の(012)面方位を用いて、高性能の純スピン注入源を開発した。次世代スピン軌道トルク磁気抵抗メモリ(SOT-MRAM)を実現できる可能性が高まった。(2018/8/2)

福田昭のストレージ通信(110) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(10):
2xnm技術で試作した40Mビット埋め込みMRAM(後編)
2xnm世代のCMOSロジック製造技術によって記憶容量が40Mビット(5Mバイト)の埋め込みMRAMマクロを試作した結果を報告する後編である。ここでは、長期信頼性(書き換えサイクル数とデータ保持期間)とはんだ付け耐熱性に関する試験結果を紹介する。(2018/7/20)

福田昭のストレージ通信(109) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(9):
2xnm技術で試作した40Mビット埋め込みMRAM(前編)
2xnm世代のCMOSロジック製造技術によって記憶容量が40Mビット(5Mバイト)の埋め込みMRAMマクロを試作した結果を、前後編で報告する。前編では、高温動作での読み出し電圧マージンの確保と、低温動作での書き込み電圧マージンの維持について紹介する。(2018/7/18)

福田昭のストレージ通信(108) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(8):
磁気トンネル接合(MTJ)におけるSRAM代替用とフラッシュ代替用の違い
SRAM代替用MRAMとフラッシュメモリ代替用MRAMでは、磁気トンネル接合(MTJ)の特性がどのように異なるのだろうか。(2018/7/6)

Computer Weekly日本語版
期待のストレージクラスメモリ、Z-NAND、3D XPoint、MRAM
ダウンロード無料のPDFマガジン「Computer Weekly日本語版」提供中!(2018/6/30)

福田昭のストレージ通信(107) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(7):
埋め込みMRAMの磁気トンネル接合(MTJ)に要求される条件
多層配線の製造工程に磁気トンネル接合(MTJ)の製造プロセスを組み込むと、どのようなことがMTJに要求されるようになるのか。今回は、その要求を解説する。(2018/6/29)

SCMの時代がやって来た(前編)
期待のストレージクラスメモリ、Z-NAND、3D XPoint、MRAMを理解しよう
不揮発性で既存のSSDよりもはるかに高速な「ストレージクラスメモリ」。IntelとMicronの3D XPointを筆頭に、Z-NANDやMRAMなどが市場に登場している。有望な技術はどれだろうか。(2018/6/27)

福田昭のストレージ通信(106) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(6):
埋め込みMRAMのメモリセルと製造プロセス
今回は、ロジックへの埋め込みに向けたMRAMのメモリセルと製造プロセスについて解説する。(2018/6/21)

福田昭のストレージ通信(105) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(5):
MRAMのメモリセルと読み書きの原理
今回は、MRAMのメモリセルの構造と、データの読み出しと書き込みの原理をご説明する。(2018/6/12)

福田昭のストレージ通信(104) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(4):
IoT/自動車向けMRAMに対する要求仕様とデータ書き換え特性
埋め込みフラッシュメモリの置き換えを想定したMRAM(eMRAM-F)と、埋め込みSRAMの置き換えを想定したMRAM(eMRAM-S)が、IoT(モノのインターネット)や自動車で使われる場合、どういった仕様が要求されるのか。データの書き換え特性を中心に解説する。(2018/6/4)

福田昭のストレージ通信(103) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(3):
埋め込みMRAM技術がフラッシュとSRAMを置き換えへ
今回は、GLOBALFOUNDRIESが提供する埋め込みMRAMマクロの概要を解説する。(2018/5/25)

書き込み電流も同時に評価:
STT-MRAM用テスト装置、測定が2万倍高速に
東北大学とキーサイト・テクノロジーは、STT-MRAM(スピン注入磁化反転型磁気メモリ)の信頼性評価を高速かつ正確に行う技術を開発した。従来システムに比べ2万倍も高速に測定することができる。(2018/5/17)

福田昭のストレージ通信(102) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(2):
微細化限界に達したフラッシュをMRAMで置き換え
埋め込みフラッシュメモリが直面する課題は、微細化の限界である。GLOBALFOUNDRIESは、2xnm以下の技術世代に向けた埋め込み不揮発性メモリとして、MRAM(磁気抵抗メモリ)を考えている。(2018/5/15)

福田昭のストレージ通信(101) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(1):
記憶容量と書き換え回数から最適な埋め込みメモリを選択
半導体デバイス技術に関する国際会議「IEDM」で行われたセミナー「Embedded MRAM Technology for IoT & Automotive(IoTと自動車に向けた埋め込みMRAM技術)」の概要を今回からシリーズで紹介する。(2018/5/9)

100GビットのSTT-MRAM実現へ:
磁気トンネル接合素子、直径3.8nmで動作確認
東北大学電気通信研究所の大野英男教授らによる研究グループは、不揮発性磁気メモリ「STT-MRAM(スピン移行トルク−磁気抵抗RAM)」の大容量化を可能とする磁気トンネル接合素子の新方式を提案し、動作実証に成功した。(2018/2/19)

市場の見通しは明るい:
「MRAMの導入は速く進む」 STTが強気な見解
MRAMを手掛ける数少ない新興企業の1つSpin Transfer Technologies(STT)は、MRAMの根本的な課題を解決する技術の開発を進めているという。CEOに着任したばかりのTom Sparkman氏は、「MRAMの導入は、予想よりもはるかに速く進むのではないか」との見方を示す。(2017/9/15)

高信頼性と低消費電力を実現:
電圧トルクMRAM、書き込みエラー率を低減
産業技術総合研究所(産総研)は、電圧書込み方式磁気メモリ(電圧トルクMRAM)の書込みエラー率を従来の200分の1に低減する技術を開発した。(2017/7/18)

大容量化と高性能化を可能に:
MRAMの3次元積層プロセス技術を開発
産業技術総合研究所(産総研)の薬師寺啓研究チーム長らは、不揮発性磁気メモリー「MRAM」の大容量化、高性能化につながる3次元積層プロセス技術を開発した。(2017/5/22)

Everspinが発表:
STT-MRAM採用のストレージアクセラレーター
MRAM(磁気メモリ)を手掛けるEverspin Technologiesが、STT-MRAM(スピン注入磁化反転型磁気メモリ)を採用したストレージアクセラレーターを発表した。同社にとって初となる、システムレベルのMRAM製品だという。(2017/3/13)

大容量化と大量生産を加速:
MRAM、参照層スペーサーにイリジウム採用
産業技術総合研究所(産総研)は、磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の性能向上や大量生産を可能とする参照層を開発した。(2017/3/2)

電圧トルクMRAM実用化へ:
MRAMの書き込みエラー率、新型回路で低減
東芝と産業技術総合研究所(産総研)は、不揮発性磁気メモリ(MRAM)のための新たな電圧駆動書き込み方式を開発した。消費電力が極めて小さい高速メモリ「電圧トルクMRAM」の実用化に弾みをつける。(2016/12/7)

“完成形”にこだわらず:
次世代不揮発メモリ、まずは出荷を――Everspin
次世代不揮発メモリは幾つか候補はあるものの、実用化には至っていないものも多い。MRAM(磁気抵抗メモリ)メーカーEverspin TechnologiesでCEOを務めるPhillip LoPresti氏は、“完成形”にこだわらず、まずは量産して市場に投入することが重要だと主張する。(2016/9/27)

ギガビット未満の混載MRAMもサポート:
GFの7nm FinFETプロセス、2018年にも製造開始へ
GLOBALFOUNDRIES(GF)が、7nm FinFETプロセスの開発計画を発表した。2018年後半には同プロセスでの製造を開始する予定だという。さらに、同じく2018年には、22nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター)プロセスで製造するチップにおいて、ギガビット未満の低容量の混載MRAM(磁気抵抗メモリ)をサポートする予定だ。(2016/9/21)

ギガビット級MRAMの開発に道筋:
マンガン系合金ナノ薄膜からTMR素子を作製
東北大学の鈴木和也氏らは2016年7月、垂直磁化マンガン系合金ナノ薄膜を用いたトンネル磁気抵抗(TMR)素子の開発に成功した。ギガビット級の不揮発性磁気抵抗メモリ(MRAM)の開発につながる成果だとみている。(2016/8/1)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(14):
スピン注入型MRAMの不都合な真実
STT-MRAMの基礎を解説するシリーズ。最終回となる今回は、磁気トンネル接合(MTJ)を構成する固定層や磁性層に焦点を当てる。スピン注入型MRAMのMTJは、47層もの層で構成されている。これほどの層が必要なのにはきちんとした理由があるのだが、実は同時にそれがSTT-MRAMの弱点にもなっている。(2016/6/21)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(11):
スピン注入型MRAMの微細化(スケーリング)
STT-MRAMの記憶容量を拡大する最も基本的な方法が、微細化だ。現時点でSTT-MRAMは、研究レベルでかなりのレベルまで微細化できることが分かっている。実際の研究結果を交えて紹介しよう。(2016/6/7)

IMEC Technology Forum:
次世代メモリ、STT-MRAMが優勢か
IMECは、STT-MRAM(スピン注入磁化反転型磁気メモリ)を次世代メモリの最有力候補とみているようだ。(2016/6/2)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(7):
MRAMの記憶素子「磁気トンネル接合」
今回は、磁気トンネル接合素子に焦点を当てる。磁気トンネル接合素子においてどのように2値のデータを保持できるのか、その仕組みを解説したい。(2016/5/24)

「商品化を大きく促進させる成果」:
2Mb STT-MRAMのセル面積を歩留り維持し30%縮小
東北大学は2016年5月、2Mビット容量のSTT-MRAMのメモリセル面積を、歩留り率を維持しながら、従来比30%縮小できる技術を開発し、実証したと発表した。(2016/5/19)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(3):
強磁性、常磁性、反磁性の違い
今回は、STT-MRAM(スピン注入磁化反転型磁気メモリ)の動作原理と物理的な作用を説明する。(2016/4/26)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(2):
STT-MRAMの概要と応用の可能性
STT-MRAMを解説するシリーズの2回目となる今回は、STT-MRAMにおける論理値(「0」か「1」か)の判別方法やメモリアレイセルの構造などを説明する。(2016/4/22)

SSDがターゲット:
Everspin、256MビットのST-MRAMをサンプル出荷
MRAMメーカーのEverspin Technologiesが、56MビットのST-MRAM(スピン注入磁化反転型MRAM)のサンプル出荷を開始した。(2016/4/20)

福田昭のストレージ通信 次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(1):
STT-MRAMの基礎――情報の蓄積に磁気を使う
次世代不揮発メモリの候補の1つに、STT-MRAM(スピン注入磁化反転型磁気メモリ)がある。データの読み書きが高速で、書き換え可能回数も多い。今回から始まるシリーズでは、STT-MRAMの基本動作やSTT-MRAが求められている理由を、「IEDM2015」の講演内容に沿って説明していこう。(2016/4/19)

スピンホール効果と交換バイアスを利用:
MRAM開発に新しい道? 欧州が研究成果を発表
MRAMの開発を加速させる可能性がある新しい技術を、オランダの大学が発表した。スピンホール効果と交換バイアスを利用するもので、研究チームは、処理速度や記録密度、コストの面でMRAMが抱える課題を解決できると見込んでいる。(2016/3/11)

東芝など「全メモリで世界最高電力性能」:
STT-MRAMでSRAM比1/10以下の消費電力を達成
東芝と東京大学は2016年2月1日、「あらゆる種類のメモリと比べ世界最高の電力性能」というMRAMを開発したと発表した。(2016/2/2)

大容量STT-MRAMの開発を加速:
産総研、TMR素子の記憶安定性を約2倍に向上
産業技術総合研究所(産総研)の薬師寺啓氏は、スピントルク書込型磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)に用いられる垂直磁化トンネル磁気抵抗(TMR)素子の記憶安定性を従来の2倍に向上させることに成功した。素子サイズが20nm以下の大容量SST-MRAMを実現することが可能となる。(2015/12/22)

究極の省電力メモリ実現に道筋:
電圧トルクMRAMの安定動作を実証、評価法も開発
産業技術総合研究所の塩田陽一研究員は、電圧書込み方式不揮発性メモリが安定動作することを実証するとともに、書込みエラー率の評価方法を開発した。電圧トルクMRAMの実用化に向けた研究に弾みがつくものとみられる。(2015/12/15)

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(10):
着実な進展を見せるMRAM技術
今回から、カンファレンス最終日のセッションを紹介する。セッション26は、「MRAM、DRAMとSRAM」をテーマに講演が進んでいく。MRAMについては計4件の論文発表があり、例えばQualcomm Technologiesらは、40nmルールのCMOSロジックに埋め込むことを想定したSTT-MRAM技術を報告する。(2015/11/27)

ビジネスニュース 業界動向:
次世代メモリ市場、2020年には70億米ドル規模に
ReRAMやMRAMといった不揮発RAM市場は、今後急成長を遂げ、2020年には70億米ドル規模に拡大すると見られている。NAND型フラッシュメモリやDRAMに取って代わるには、微細化とビット当たりの価格が鍵になりそうだ。(2015/2/27)

CEATEC 2014:
スピントロニクス技術が可能にする新型メモリとHDD高記録密度化――TDK
TDKは、「CEATEC JAPAN 2014(CEATEC 2014)」において、ウェアラブル機器向けのワイヤレス給電システムやスピントランスファートルク(STT)型MRAMなどを参考展示した。(2014/10/8)

メモリ/ストレージ技術:
次世代ストレージ、10個の注目技術
3次元DRAMの量産が始まり、相変化メモリ(PCM)、スピン注入磁気メモリ(STT-MRAM)など次世代メモリの技術開発がさかんになっている。ここでは、注目のメモリ技術を10個紹介する。(2014/9/29)

普及にはもう少し時間が必要:
ニッチ用途の域を出ないMRAM、普及の鍵はコストと記録密度
幅広い用途でDRAMやSRAMの置き換えになると予想されているMRAM(磁気抵抗メモリ)。産業用途を中心に採用が進んでいるが、普及が加速するにはまだ時間が必要なようだ。(2014/7/2)

頭脳放談:
第163回 MRAMの時代がやってくる?
日米20社の半導体企業が集まって、東北大学でMRAMを共同開発するという。MRAMはすでに製品も登場しているものの、期待ほど市場は立ち上がっていない。さて、この共同開発でブレークスルーが起き、DRAMを置き換えるまでになるのか。(2013/12/24)

ビジネスニュース 業界動向:
次世代不揮発性メモリ市場が成長、MRAMとPCMは2016年に10億ドル規模へ
NAND型フラッシュメモリの微細化と大容量化は限界に近づいている。メモリセルを垂直に積み上げる3次元構造のNANDフラッシュの開発も進んでいるが、MRAMやPCMといった次世代不揮発性メモリが、NANDフラッシュに代わって大きく伸びることが予測されている。(2013/2/22)

メモリ/ストレージ技術:
スピン注入式の新型MRAMがいよいよ製品化、2015年にはギガビット品が登場へ
DRAMに近い高速性と書き換え耐性が得られる次世代不揮発メモリとして注目されるMRAM。これまでに製品化されていたトグル方式のMRAMは記憶容量に制約がありDRAMを置き換える応用は難しかった。この状況が変わる。大容量化の有力手段として期待がかかるスピン注入方式を使った、新型MRAMの製品化が始まった。(2013/1/8)

メモリ/ストレージ技術:
東芝のSTT-MRAM、モバイルプロセッサの消費電力を1/3に
東芝が新たに開発した不揮発性磁性体メモリ(STT-MRAM)は、スマートフォンやタブレット端末に搭載されるモバイルプロセッサの消費電力を約1/3に低減するという。SRAMの代替メモリの候補であるMRAMだが、これまでは消費電力が障壁となって、モバイルプロセッサへの採用がなかなか進まなかった。今回の開発は、SRAMの置き換えを加速する原動力となるかもしれない。(2012/12/10)

メモリ/ストレージ技術 ReRAM:
マイコンの進化を不揮発メモリが助ける、パナソニックが「ReRAM」を採用
新規の不揮発メモリが次々と最終製品への応用段階に進み始めた。SSD向けの「MRAM」、携帯電話機向けの「PRAM」、そして今度はマイコン向けの「ReRAM」だ。ReRAMは少ない電力で動作し、高密度化も可能な優れた性質を備える。パナニックはReRAMマイコンで、低消費電力が求められるスマートメーターやスマートフォン市場を狙う。(2012/5/15)

EE Times Japan Weekly Top10:
新たなメモリ技術「MRAM」の製品動向に注目集まる
EE Times Japanで先週(2012年5月6日〜5月12日)に、多くのアクセスを集めた記事をランキング形式で紹介します。さまざまなトピックのニュース記事、解説記事が登場!!(2012/5/14)

メモリ/ストレージ技術 SSD:
【ESEC2012】バッファローのMRAMキャッシュ搭載SSD、その実力やいかに!?
バッファローメモリがESEC2012でデモを披露しているMRAMキャッシュ搭載SSD。電源が瞬断した後の立ち上がり時間といった特性の他、制御コントローラやMRAMのベンダーが明らかになった。(2012/5/10)

メモリ/ストレージ技術 SSD:
業界初のMRAM搭載SSD、バッファローが産業向けに製品化
バッファローメモリは、MRAM(磁気抵抗変化メモリ)をキャッシュメモリに使ったSSDを初めて製品化した。電源遮断に対する耐性が高いことや、起動スピードを高速化できることなどが特徴だ。(2012/5/8)



ビットコインの大暴騰、「億り人」と呼ばれる仮想通貨長者の誕生、マウントゴックス以来の大事件となったNEM流出など、派手な話題に事欠かない。世界各国政府も対応に手を焼いているようだが、中には政府が公式に仮想通貨を発行する動きも出てきており、国家と通貨の関係性にも大きな変化が起こりつつある。

Amazonが先鞭をつけたAIスピーカープラットフォーム。スマホのアプリが巨大な市場を成したように、スマートスピーカー向けのスキル/アプリ、関連機器についても、大きな市場が生まれる可能性がある。ガジェットフリークのものと思われがちだが、画面とにらめっこが必要なスマホよりも優しいUIであり、子どもやシニアにもなじみやすいようだ。

「若者のテレビ離れが進んでいる」と言われるが、子どもが将来なりたい職業としてYouTuberがランクインする時代になった。Twitter上でのトレンドトピックがテレビから大きな影響を受けていることからも、マスメディア代表としてのテレビの地位はまだまだ盤石に感じるが、テレビよりもYouTubeを好む今の子ども達が大きくなっていくにつけ、少なくとも誰もが同じ情報に触れることは少なくなっていくのだろう。

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