インテルとマイクロン、384Gビット容量の3D NANDを発表――年内量産へ：容量はサムスン、東芝の3倍！
インテルとマイクロン テクノロジーは2015年3月26日（米国時間）、1ダイで384Gビット容量を実現した3次元積層構造を用いたNAND型フラッシュメモリ（以下、3D NAND）を共同開発したと発表した。
32層構造
インテルとマイクロン テクノロジーは2015年3月26日（米国時間）、1ダイで384Gビット容量を実現した3次元積層構造を用いたNAND型フラッシュメモリ（以下、3D NAND）を共同開発したと発表した。同日、256Gビット品のサンプル出荷を開始し、2015年夏までに384Gビット容量品のサンプル出荷を開始するという。量産は2015年内を予定している。
開発した3D NANDは、メモリセルを垂直方向に32層、重ねた構造を採用。セル当たり2ビットのデータを記憶するMLC（マルチレベルセル）で256Gビット、同3ビットのデータを記憶するTLC（トリプルレベルセル）で384Gビットの容量を実現したという。
フローティングゲートを採用
メモリセル構造には、従来の平面構造NANDにも採用してきたフローティング・ゲート・セル構造を採用し、同構造を用いたことが「設計上の大きな鍵となっており、これにより性能や品質、信頼性の向上が可能になった」（両社）とする。
「競合するNANDの3倍の容量」（両社）とする最大384Gビットの容量を実現したことにより、「板ガムサイズのSSDで3.5Tバイト以上、標準的な2.5インチSSDで10Tバイト以上のストレージ容量を搭載することが可能になる」とし、2016年以降にSSD製品の量産出荷も開始するという。
東芝、サムスンは128Gビット
メモリセルを垂直方向に積層し、面積当たりの記録密度を高める3D NANDは、2013年には、サムスン電子がチャージトラップフラッシュ（CTF）技術を用いた24層構造の128Gビット容量の3D NANDを世界で初めて製品化。サムスンは翌2014年にも、32層構造の3D NAND（128Gビット容量/TLC品）を製品化し先行。また東芝も2015年3月26日（日本時間）に、「BiCS」と呼ぶ3次元積層構造を用いた3D NANDのサンプル出荷を開始。サムスンを上回る48層構造ながら、容量はMLCで、128Gビットだった。
関連記事
東芝、3次元NAND「BiCS」の製品化を発表――サムスン上回る48層構造
東芝は2015年3月26日、「BiCS」と呼ぶ3次元積層構造を用いたNAND型フラッシュメモリ（以下、3D NAND）を開発し、同日サンプル出荷を開始したと発表した。
サムスンの3次元NAND、3ビット/セルの128G品が出荷間近
Samsung Electronics（サムスン電子）が2013年に発表した、3次元構造のNANDフラッシュメモリ「V-NAND」。3ビット/セルの128Gビット品を、間もなく出荷する予定だという。2015年には、256Gビット品も発表できるとしている。
サムスン電子が「業界初」の3次元NANDを量産
Samsung Electronics（サムスン電子）は、メモリセルを垂直に積層した3次元セル構造のNAND型フラッシュメモリの量産を発表した。記憶容量は128Gビットで、セルの積層数を増やすなどすれば、将来的には1テラビット容量も可能だという。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.