連載 2015年8月24日 ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表（1）〜ArF液浸の限界（要約）：SEMICON West 2015リポート(4) [福田昭，EE Times Japan] 今回は、コストとパターン形成の2点について、ArF液浸とEUV（極端紫外線）リソグラフィを比べてみよう。ArF液浸では、10nm世代になるとステップ数と重ね合わせ回数が破壊的な数値に達してしまう。これがコストの大幅な上昇を招く。さらに、ArF液浸とEUVでは、10nm世代の配線パターンにも大きな差が出てくる。 続きを読む
