ニュース
SiCの生産効率を4倍にする装置、ディスコが展示：SEMICON Japan 2016レポート
ディスコは、「SEMICON Japan 2016」（2016年12月14〜16日／東京ビッグサイト）で、レーザー加工によるインゴットスライス手法を実現する製造装置を初めて展示した。
6インチまで対応
ディスコは、「SEMICON Japan 2016」（2016年12月14〜16日／東京ビッグサイト）で、レーザー加工によるインゴットスライス手法「KABRA」プロセス実現する製造装置「DAL7420」を初めて展示した。KABRAプロセスは、SiC（炭化ケイ素）ウエハー生産の高速化と取り枚数増を実現し、生産性を4倍向上させることができるという。
SiCインゴットからウエハーを切り出す方法は、ダイヤモンドワイヤソーが主流である。しかし、同社によると加工に1週間を要するだけでなく、ラップ研削や切断部分の素材ロスが生じるといった課題がある。
KABRAプロセスは、SiCインゴットの上面からレーザーを連続的に垂直照射し、光吸収する分離層（KABRA層）を水平に形成する。KABRA層を起点に剥離、ウエハー化するスライス加工方法である。これにより、従来の加工時間で30枚しか生産できなかったSiCウエハーが、KABRAプロセスでは114枚加工できる。つまり、従来と比較して生産効率は約4倍だ（関連記事：“他にないスライス技術”がSiCの生産効率を4倍へ）。
関連記事
IoTが変える未来 SEMICON Japanで動向を探る
マイクロエレクトロニクス製造サプライチェーンの展示会「SEMICON Japan 2016」が、2016年12月14〜16日にかけて、東京ビッグサイトで開催されている。注目の1つが今回で3回目を迎える「WORLD OF IOT」だろう。本記事では、その一部を写真で紹介する。
製造コスト「数十分の1」、卓上半導体工場
半導体製造の後工程に革新が生まれそうだ。コネクテックジャパンは製造プロセスを一新することで、後工程に必要なコストを抑え、実装時間を短縮するフリップチップ実装装置「MONSTER DTF」を開発した。特徴は低荷重、低温で半導体パッケージを基板に実装すること。例えばMEMSパッケージをフリップチップ実装できるようになり、最終製品の小型・軽量化にもつながるという。
120mの距離運ぶ「ミニマルファブ」搬送機が登場
産総研コンソーシアム・ファブシステム研究会などは、「SEMICON Japan 2016」（2016年12月14〜16日／東京ビッグサイト）で、ミニマルファブの開発成果を紹介した。
フォトレジスト不要で直接パターニング、VUVユニット
ウシオ電機は、「SEMICON Japan 2016」（2016年12月14〜16日／東京ビッグサイト）で、フォトレジストが不要で直接パターニングができる真空紫外平行光ユニットなどを展示している。
銅配線プロセスとメタルハードマスクで新技術
アルバックは、「SEMICON Japan 2016」（2016年12月14〜16日／東京ビッグサイト）で、マルチチャンバー型スパッタリング装置として、メインプラットフォーム向け「ENTRON-EX W300」や、小規模量産ライン向け「MLX-3000N」などを紹介する。
アドバンテスト、IoTデバイスに向けたテスト装置
アドバンテストは、高速ミックスドシグナルICテストなど、主要な分野におけるIoT（モノのインターネット）デバイスに向けたテストソリューションを「SEMICON Japan 2016」で紹介した。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.