東芝がQLCの3D NANDを試作、96層プロセスの開発も：1.5Tバイトのパッケージ品も
東芝メモリは、同社の3D NAND型フラッシュメモリ「BiCS FLASH」について、4ビット/セル（QLC）技術を用いた試作品と、96層積層プロセスを用いた試作品を開発し、基本性能を確認したと発表した。
QLCの3D NANDフラッシュ、容量1.5Tバイトのパッケージ品も
東芝メモリは2017年6月28日、4ビット/セル（QLC：Quad Level Cell）技術を用いた3D（3次元） NAND型フラッシュメモリ「BiCS FLASH」を試作し、基本動作と基本性能を確認したと発表した。QLCを用いることで、従来の3ビット/セル（TLC：Triple Level Cell）を用いたBiCS FLASHに比べてさらなる大容量のメモリを実現できる。QLCを用いた3D NANDフラッシュは「世界初」（同社）とする。
試作したQLC BiCS FLASHは、64層で、768Gビット（96Gバイト）という大容量を実現している。2017年6月上旬から、開発向けにSSDメーカーやメモリ制御ICメーカーに提供しているという。
さらに、768Gビットのチップを1パッケージ内に16段積層し、1.5Tバイトの容量を実現した製品を、2017年8月からサンプル出荷する予定だ。なお、この製品は米国カリフォルニア州サンタクララで開催される「Flash Memory Summit 2017」（2017年8月7〜10日）で参考展示する。
96層積層プロセスでBiCS FLASHを試作
東芝メモリは同日、BiCS FLASHの96層積層プロセスを適用した製品を試作し、基本動作を確認したことも発表した。こちらは、256Gビット（32Gバイト）のTLCで、2017年後半にサンプル出荷を、2018年に量産出荷を開始する予定だ。データセンター向けエンタープライズSSD、PC向けSSD、スマートフォン、タブレット、メモリカードなどを主な用途とする。
試作品は、回路技術とプロセスを最適化してチップサイズを小型化した。64層のBiCS FLASHに比べて、単位面積当たりのメモリ容量が約1.4倍になった。さらに、小型化したことから、ビット当たりのコストも低減した。なお、64層のBiCS FLASHは、512Gビット（64Gバイト）容量のサンプル出荷を、2017年2月に開始している（関連記事：東芝、64層 512Gbの3D NANDをサンプル出荷開始）。
今後は、96層積層プロセスを用いた512Gビット品の製品化も計画している。96層のBiCS FLASHは、四日市工場（三重県四日市市）の第5棟、新・第2製造棟、2018年夏に第1期が完了する予定の第6製造棟で製造する予定だ。
なお、東芝メモリについては、同社の売却をめぐり東芝とWestern Digital（ウエスタン・デジタル）の泥仕合が続いている（関連記事：東芝がWDを提訴、妨害差し止めと損害賠償を求める）。
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