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メモリ/ストレージ

DRAM、フラッシュメモリ、次世代メモリからHDD/SSDなどストレージ関連情報の一覧です。

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連載
メモリ
福田昭のストレージ通信(124) 3D NANDのスケーリング(12):

3D NANDフラッシュ製造における重要技術(キープロセス)の一つである「絶縁膜の埋め込み(Isolation Fill)」技術と、「平坦(へいたん)化(Planarization)」技術を紹介する。

(2018年11月16日)
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ニュース
ET2018,会場レポート,メモリ
ET&IoT Technology 2018:
(2018年11月15日)
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連載
業界動向,メモリ
大山聡の業界スコープ(11):
(2018年11月13日)
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連載
メモリ
福田昭のストレージ通信(123) 3D NANDのスケーリング(11):
(2018年11月09日)
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連載
メモリ
福田昭のストレージ通信(122) 3D NANDのスケーリング(10):
(2018年11月05日)
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連載
semicon2018,事前情報,メモリ
福田昭のストレージ通信(121) 3D NANDのスケーリング(9):
(2018年10月31日)
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ニュース
企業動向,メモリ
NANDフラッシュメモリで:
(2018年10月30日)
ニュース
メモリ
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富士通セミコンダクター:
(2018年10月30日)
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メモリ
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福田昭のストレージ通信(120) 3D NANDのスケーリング(8):
(2018年10月26日)
連載
メモリ
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福田昭のストレージ通信(119) 3D NANDのスケーリング(7):
(2018年10月22日)
ニュース
メモリ,部品/材料
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超電導不揮発メモリ機能を実証:
(2018年10月11日)
連載
semicon2018,事前情報,メモリ
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福田昭のストレージ通信(118) 3D NANDのスケーリング(6):
(2018年10月09日)
ニュース
業界動向,メモリ
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10〜12月は前年比5%下落か:
(2018年10月05日)
連載
メモリ
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福田昭のストレージ通信(117) 3D NANDのスケーリング(5):
(2018年09月28日)
ニュース
メモリ
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好況、不況を繰り返す:
(2018年09月26日)
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メモリ
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福田昭のストレージ通信(116) 3D NANDのスケーリング(4):
(2018年09月20日)
ニュース
企業動向,メモリ
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96層NANDフラッシュを製造:
(2018年09月19日)
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メモリ
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福田昭のストレージ通信(115) 3D NANDのスケーリング(3):
(2018年09月07日)
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メモリ
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福田昭のストレージ通信(114) 3D NANDのスケーリング(2):
(2018年08月31日)
ニュース
メモリ,部品/材料
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テラビットからペタビット時代へ:
(2018年08月14日)
ニュース
先端技術,メモリ
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フレキシブルで水中動作も可能:
(2018年08月09日)
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メモリ
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福田昭のストレージ通信(111):
(2018年08月02日)
ニュース
企業動向,メモリ
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韓国・利川に:
(2018年07月31日)
ニュース
企業動向,メモリ
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エレ企業の投資、岩手に相次ぐ:
(2018年07月24日)
ニュース
企業動向,メモリ
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共同開発の終了で:
(2018年07月23日)
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メモリ
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福田昭のストレージ通信(110) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(10):
(2018年07月20日)
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メモリ
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福田昭のストレージ通信(109) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(9):
(2018年07月18日)
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メモリ
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福田昭のストレージ通信(108) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(8):
(2018年07月06日)
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メモリ
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コストと信頼性で高まるニーズ:
(2018年07月06日)
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メモリ
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福田昭のストレージ通信(107) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(7):
(2018年06月29日)

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