メモリ/ストレージ

DRAM、フラッシュメモリ、次世代メモリからHDD/SSDなどストレージ関連情報の一覧です。

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ニュース
メモリ
2017年4月には1Tバイト品も:

東芝は2017年2月22日、64層積層プロセスを用いた512Gビット(Gb)の3D NANDフラッシュメモリ「BiCS FLASH」のサンプル出荷を2017年2月上旬に開始したことを発表した。

(2017年02月22日)
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ニュース
企業動向,メモリ
会見速報:
(2017年02月14日)
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ニュース
企業動向,メモリ
開発センターも併設:
(2017年02月09日)
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ニュース
企業動向,メモリ
ウエスタンデジタル:
(2017年02月08日)
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特集
業界動向,メモリ
技術と人材の確保に奔走:
(2017年02月02日)
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ニュース
企業動向,メモリ
2018年にサンプル出荷へ:
(2017年02月01日)
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ニュース
メモリ
AEC-Q100規格に準拠:
(2017年01月30日)
ニュース
企業動向,メモリ
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原子力はエネルギー事業から独立:
(2017年01月27日)
ニュース
企業動向,メモリ
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出資受け入れ先は未定:
(2017年01月27日)
ニュース
メモリ
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3D XPointの実用化は未定でも:
(2017年01月05日)
連載
メモリ
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福田昭のストレージ通信(54) 抵抗変化メモリの開発動向(13):
(2016年12月28日)
特集
業界動向,メモリ
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台頭しつつあるメーカーは?:
(2016年12月27日)
連載
メモリ
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福田昭のストレージ通信(53) 抵抗変化メモリの開発動向(12):
(2016年12月27日)
特集
メモリ
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技術をどう手に入れる?:
(2016年12月22日)
連載
メモリ
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福田昭のストレージ通信(52) 抵抗変化メモリの開発動向(11):
(2016年12月19日)
連載
メモリ
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福田昭のストレージ通信(51) 抵抗変化メモリの開発動向(10):
(2016年12月13日)
連載
メモリ
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福田昭のストレージ通信(50) 抵抗変化メモリの開発動向(9):
(2016年12月09日)
ニュース
メモリ
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16/14nmマイコンへの混載に向け:
(2016年12月07日)
ニュース
メモリ
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電圧トルクMRAM実用化へ:
(2016年12月07日)
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メモリ
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福田昭のストレージ通信(49) 抵抗変化メモリの開発動向(8):
(2016年12月05日)
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メモリ
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福田昭のストレージ通信(48) 抵抗変化メモリの開発動向(7):
(2016年11月29日)
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メモリ
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福田昭のストレージ通信(47) 抵抗変化メモリの開発動向(6):
(2016年11月22日)
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福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(5):
(2016年11月14日)
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メモリ
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福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(4):
(2016年11月09日)
ニュース
企業動向,メモリ
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建設スケジュール決定:
(2016年11月08日)
連載
メモリ
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福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(3):
(2016年11月07日)
連載
メモリ
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福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(2):
(2016年11月01日)
ニュース
メモリ
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インターネット接続は不要:
(2016年10月28日)
連載
メモリ
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福田昭のストレージ通信 抵抗変化メモリの開発動向(1):
(2016年10月28日)
ニュース
メモリ,統計
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IC Insightsが上方修正:
(2016年10月25日)
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