小型のSiCパワー半導体モジュールを富士電機が開発：パワー半導体 SiCデバイス

　富士電機ホールディングスは、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体向けの小型モジュールを開発した（図1）。ワイヤボンディングを使わない独自の配線技術、熱抵抗が低い基板、耐熱性に優れた封止樹脂などを採用することで、Si（シリコン）パワー半導体のパッケージと比べて体積を1/4に小型化でき、信頼性は変わらないという。

　従来のSiCパワー半導体はダイオードやMOSFETを個別に製品化するのが一般的だが、富士電機は高温動作が可能であるというSiCパワー半導体の特性に合わせたモジュールにして発売する。

図1　SiCパワー半導体向け小型パッケージ
Si（シリコン）パワー半導体向けパッケージの1/4に小型化した。SiC（炭化ケイ素）チップを分散して実装することで放熱性を高めている。複数のSiCショットキバリアダイオードを並列接続することで、耐圧1200V、400A対応のSiCダイオードパワーモジュールも開発した。

　まずSiCショットキバリアダイオードを組み込んだ品種のサンプル出荷を2010年度中に開始し、その後SiCショットキバリアダイオードとSiC MOSFETの両方を実装したモジュールのサンプル出荷を2011年度中に始める。主な用途は、太陽光発電システムやハイブリッド自動車、UPSだという。