「SiC」と「GaN」、勝ち残る企業はどこか？（後編）：知財で学ぶエレクトロニクス（2）（4/4 ページ）

評価できないモノは作れない

　省エネルギーの観点から、パワー半導体デバイスの需要が見込まれていますが、デバイスの作製には基板となるウエハーが必要不可欠です。ですから、パワー半導体向けウエハー技術の進展とウエハー産業化のメドなくして、パワー半導体デバイス事業は成立しません。その意味では、今回の調査結果は、パワー半導体デバイス産業を開花させるウエハー供給事業の準備が整いつつあることを示しています。

　技術開発を経験した方々はご存じのことですが、「評価できないモノ」を作ることは困難です^＊10）。

＊10） 評価できないモノを作ることの困難さについては、別掲記事を参照。

　ですから、ウエハー供給企業は自社内で評価用素子やデバイスを作り、自社での評価結果に基づいたウエハー開発／試作ができなければなりません。同時に、デバイス企業からの要求仕様／項目をウエハーの特性評価に結び付けられる能力を持ったウエハー供給企業でなければ、ウエハー事業開発競争から脱落するでしょう。

　現在のSiCウエハー供給のトップ企業であるCreeは、SiCウエハー上に作り込んだダイオードを販売しており、2011年1月には、MOSFET製品も発表しています。Creeは、パワー素子の製造を行うことで、パワー素子の立場から見て必要とされるウエハー／基板の特性改善を迅速に進める事業体制を整えており、SiCウエハー市場での生き残り対策を済ませています。

　この動きに対抗するかのように、SiCパワー半導体デバイス企業であるロームは、2009年10月に、ドイツSiemensからSiCウエハー供給企業であるドイツSiCrystalの株式74.5％を取得し、SiCrystalの筆頭株主になりました。

　SiCパワー半導体の性能や製造コストの決定要因の1つは、SiCウエハーの品質と価格、そしてサイズです。そのため、高品質で安い、大口径SiCウエハーが求められています。高品質ながらも比較的安価なウエハーを提供してきたという定評のあるSiCrystalを獲得することで、ロームはSiCパワー半導体事業開発をさらに加速させることを狙っています。

　パワー半導体向けSiCウエハーを手掛ける企業は増えていますが、今のところCreeが依然として高いシェアを占めています。そして、市場にはSiCパワー半導体の安定供給そのものを不安視する声があります。ですから、ロームのSiCrystal買収は「SiCウエハー安定供給源の確保」であると同時に、「ウエハー事業という利益の源泉を自社内に取り込む」という事業開発戦略の視点で捉えることができます（次回はこちら）。

筆者紹介

菅田正夫（すがた まさお） 知財コンサルタント＆アナリスト （元）キヤノン株式会社

メールアドレス：sugata.masao[at]tbz.t-com.ne.jp

1949年、神奈川県生まれ。1976年東京工業大学大学院理工学研究科化学工学専攻修了（工学修士）。

1976年キヤノン株式会社中央研究所入社。上流系技術開発（a-Si系薄膜、a-Si-TFT-LCD、薄膜材料〔例：インクジェット用〕など）に従事後、技術企画部門（海外の技術開発動向調査など）をへて、知的財産法務本部特許・技術動向分析室室長（部長職）など、技術開発戦略部門を歴任。技術開発成果については、国際学会／論文／特許出願〔日本、米国、欧州各国〕で公表。企業研究会セミナー、東京工業大学／大学院／社会人教育セミナー、東京理科大学大学院などにて講師を担当。2009年キヤノン株式会社を定年退職。

知的財産権のリサーチ・コンサルティングやセミナー業務に従事する傍ら、「特許情報までも活用した企業活動の調査・分析」に取り組む。

本連載に関連する寄稿：

2005年『BRI会報　正月号 視点』

2010年「企業活動における知財マネージメントの重要性−クローズドとオープンの観点から−」『赤門マネジメント・レビュー』9(6) 405-435

おことわり

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