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» 2014年10月16日 17時35分 公開

CEATEC 2014:指先だけで操る車イス、どこでも見られるテレビ――ベンチャーエリアまとめ (3/3)

[村尾麻悠子,EE Times Japan]
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半導体露光装置のUVランプを置き換える、高出力のUV-LED

 ナイトライド・セミコンダクターは、高い出力を実現したUV-LED(表面実装タイプ)などを展示した。UV-LEDチップを4個搭載した「6SMG」シリーズは、波長365nmで標準出力が2700mW、同385nmで3750mW。UV-LEDチップを1個搭載した「6SVG」シリーズは、375nmで700mW、405nmで1000mWなどを実現している。

 現在、半導体の露光装置では光源としてUVランプが使用されているが、効率が低い上に寿命が短く、水銀を含むといった課題がある。水銀は2020年までに製造と輸出入が禁止されることになっているので、UV-LEDへの置き換えが進む見込みだ。そのため、光源として十分な高出力のUV-LEDへのニーズが高まっている。

 ナイトライド・セミコンダクターは、上下に電極を形成する約1mm角のUV-LEDチップを銅製の基板に高密度で実装し、高い出力を実現することに成功したという。

左=表面実装タイプのUV-LEDを使ったカスタムの照射ユニット(赤枠内)。右=高出力UV-LED「6SVG」シリーズのロードマップ。2017年までに出力を現在の1.5倍、1W当たりのコストを現在の1/4に低減することが目標だ(クリックで拡大)

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