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シリコンの時代は「人類滅亡の日」まで続く(後編)福田昭のデバイス通信(2)(2/2 ページ)

» 2015年02月06日 10時00分 公開
[福田昭EE Times Japan]
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高性能パワー半導体と発光デバイスは「非シリコン材料」の領地

 パワー半導体の世界でも、シリコン以外の材料が入り込みつつある。1つはシリコンと炭素の化合物(SiC化合物、「シリコンカーバイド」と呼ばれる)、もう1つはガリウムと窒素の化合物(GaN化合物、「窒化ガリウム」と呼ばれる)である。いずれもシリコン単体に比べると、高効率で高耐圧のパワー半導体を作れる。ダイオードやMOSFETなどの製品が既に商品化されている。

 このほか既によく知られていることだが、発光デバイスは非シリコン材料の独壇場である。窒化ガリウム(GaN)化合物、ガリウムひ素(GaAs)化合物、ガリウムひ素リン(GaAsP)化合物、ガリウムインジウムひ素リン(GaInAsP)化合物などが商用の発光デバイスに使われている。

photo SiC化合物(シリコンカーバイド)によるショットキー・バリア・ダイオード(右)とMOSFET(左)。ロームが2015年1月に開催された「国際カーエレクトロニクス技術展」に出展したもの

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